有机电致发光显示器件及其制造方法

专利名称：有机电致发光显示器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及有机电致发光显示(OELD)器件，更具体地说，涉及一 种OELD器件及使用荫罩(shadow mask)制造该OELD器件的方法。
背景技术：
io 近来，开发并使用诸如等离子体显示板(PDP)、液晶显示(LCD)
器件和OELD器件的平板显示装置来代替阴极射线管(CRT)。在这些平 板显示装置当中，由于OELD器件是自发光类型的，其不需要背光单元 作为光源，所以它能够很薄并且很轻。与LCD器件相比较，OELD器件 具有宽的视角、高对比度和低功耗。而且，OELD器件可以用低直流电
15压驱动并且具有快速的响应时间。此外，OELD器件对于冲击具有很强 的耐用性并且具有低的制造成本。
通常，在OELD器件中，在单个基板上形成包括驱动薄膜晶体管 (TFT)在内的阵列元件和有机发光二极管。因此，OELD器件的产品合 格率取决于单个基板的产品合格率。即使阵列元件和有机发光二极管之
20 —具有缺陷，该OELD器件也被确定为次品。因此，OELD器件的产品 合格率降低。
对于该问题，提出了双面板型OELD器件。在双面板型中，在彼此 不同的基板上形成阵列元件和有机发光二极管。因此，产品合格率提高。 在基板上制造有机发光二极管的工艺中，使用具有条纹图案的荫罩来形 25成有机发光层。
图1是表示用于制造根据现有技术的双面板型OELD器件的荫罩的 示意性平面图。如图1所示，荫罩SM包括多个阻挡部分10和该多个阻 挡部分10之间的多个开口 20。通过该多个开口 20在基板上淀积有机发 光材料，以形成有机发光层。 通过蚀刻工艺来制造上述荫罩SM。不幸的是，由于蚀刻工艺中的误 差，而使得在荫罩SM的端部处阻挡部分10具有不希望的宽度。因此，
该多个阻挡部分10被分为正常图案S1和虚拟(dummy)图案S2。虚拟 图案S2具有不希望的宽度，并被设置在荫罩SM的两端。正常图案Sl 5具有所希望的宽度，并被设置在虚拟图案S2之间。因此，正常图案Sl 被设置为与像素区相对应，虚拟图案S2被设置为与像素区周边的虚拟像 素区相对应，由此在像素区中形成所希望的有机发光层。荫罩SM具有 的虚拟图案S2越多，正常图案S1的宽度的均匀性越大。结果，荫罩SM 具有的虚拟图案S2越多，产品合格率越高。 io 在采用玻上芯片(COG)型的OELD器件中，对于虚拟图案有所限
制。即，在COG型OELD器件中，阵列基板的电源端子与有机发光二极 管的电极接触，以向有机发光二极管施加电力。由于该COG型使得具有 其中形成虚拟像素区的窄空间，所以荫罩没有足够的虚拟图案，从而正 常图案的宽度的均匀性降低。显示质量劣化。
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发明内容
因此，本发明致力于一种荫罩、使用该荫罩制造的有机电致发光显
示(OELD)器件及制造该OELD器件的方法，其基本上消除了由于现有 技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。 20 本发明的目的是提供一种能够显示高质量图像的OELD器件。
本发明的其它特征和优点将在下面的描述中阐述，并且将通过该描 述而部分地明了，或可以通过本发明的实践来学得。通过书面说明书及 其权利要求书以及附图中具体指出得结构，将实现和获得本发明的这些 目的及其他优点。
25 为了实现这些及其他优点并且根据本发明的目的，正如在此具体实
施和广泛描述的， 一种有机电致发光显示(OELD)器件包括第一基板 上的第一电极，该第一基板具有有源区和位于有源区周边的非有源区， 该有源区包括多个像素区，而该非有源区包括电源区；该多个像素区中 的位于第一电极上的有机发光层；该电源区中的位于第一电极上的第一
有机层；该电源区的外部区域中的位于第一基板上的第二有机层；该有 机发光层上的第二电极；连接到第二电极并形成在第二基板上的驱动薄 膜晶体管；以及连接到第一有机层并形成在第二基板上的电源端子，其 中该第一有机层具有与该有机发光层基本相同的形状，并且该第二有机 5层具有与该有机发光层基本不同的形状。
在本发明的另一方面，--种制造有机电致发光显示器件的方法包括 在第一基板上形成第一电极，该第一基板具有有源区和位于有源区周边 的非有源区，该有源区包括多个像素区，而该非有源区包括电源区和密 封区，该密封区设置在第二基板的最外侧部分；在该第一电极上方设置
10具有第一部分和第二部分的荫罩，该第一部分与有源区和电源区相对应， 并且具有多个第一开口，该第二部分与电源区的外部区域相对应，并且 具有多个第二开口；使用该荫罩在第一电极上形成有机发光层；在有机 发光层上形成第二电极，其中通过第二电极暴露出电源区中的有机发光 层；在第二基板上形成与该多个像素区相对应的驱动薄膜晶体管；在第
15 二基板上形成与该电源区相对应的电源端子；以及接合第一和第二基板， 以使驱动薄膜晶体管面对第二电极。
应当理解，前面的概述及以下的详细描述是示例性和说明性的，旨 在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
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包含附图以提供对本发明的进一步理解，并入附图并构成本说明书 的一部分，附图示出了本发明的实施例并与说明书一起用来说明本发明 的原理。
图1是表示用于制造根据现有技术的双面板型OELD器件的荫罩的
25示意性平面图。
图2是表示根据本发明的用于制造OELD器件的荫罩和该OELD器 件的基板的一部分的示意性平面图。
图3是表示使用根据本发明的荫罩制造的双面板型OELD器件的示 意性剖面图。
具体实施例方式
现将参照附图详细描述优选实施例，附图中示出了其示例。
图2是表示根据本发明的用于制造OELD器件的荫罩和该OELD器 5件的基板的一部分的示意性平面图。如图2所示，本发明中的荫罩SM包 括多个阻挡部分110和多个开口 120。该多个开口 120中的每一个都设置 在两个相邻的阻挡部分110之间。通过该多个开口 120将有机发光材料 淀积到第一基板260上，以形成有机发光层。尽管未示出，但是有机发 光二极管构成具有第一和第二电极的有机发光二极管。
io 通过蚀刻工艺来制造上述荫罩SM。不幸的是，由于蚀刻工艺的误差，
而导致荫罩sm的端部处的阻挡部分110具有不希望的宽度。因此，该 多个阻挡部分110被分为正常图案Sl和虚拟图案S2。第一基板260包括 有源区AR和非有源区NR。非有源区NR与基板的除了有源区AR之外 的部分相对应。有源区AR包括像素区和位于该像素区周边的虚拟像素
15区。像素区用作所希望的图像显示区，但是虚拟像素区不用作图像显示 区。
另一方面，非有源区NR包括电源区PR和密封区SR。电源区PR 中的电源端子(未示出)连接到第一电极，以向有机发光二极管的第一 电极供电。在面对第一基板的第二基板上的电源区PR中形成电源端子 20 (未示出)。尽管未示出，但是该电源端子通过电源图案连接到第一电极。 因此，电源的电力通过电源端子和电源图案施加到第一电极。例如，电 源和芯片直接连接到第二基板上的电源焊盘，在电源端子的一端具有电 源线的电源端子连接到该电源焊盘。该电源的电力被施加到第一电极。
在密封区SR中形成有密封图案。该密封图案接合第一基板与第二基
25 板。
荫罩SM的虚拟图案S2与电源区PR的周边相对应。最外侧的虚拟 图案S2可以与密封区SR相对应。在这种情况下，荫罩SM的正常图案 Sl可以与电源区PR相对应。由于虚拟图案S2可以与非有源区NR中的 电源区PR相对应，所以荫罩SM可以具有足够的虚拟图案S2，从而提
高了正常图案S1的宽度的均匀性。
荫罩SM设置在第一基板260上方，并且通过该多个开口 120在第 一基板260上淀积有机发光材料，以形成有机发光层。由于与像素区相 对应的正常图案Sl在阻挡图案110和开口 120的宽度方向上具有优异的 5均匀性，所以形成在像素区中的有机发光层具有所希望的图案。另一方 面，由于与电源区PR或密封区SR相对应的虚拟图案S2在阻挡图案110 和开口 120的宽度方向上具有差的均匀性，所以形成在电源区PR或密封 区SR中的有机发光层具有不希望的图案。由于电源区PR和密封区SR 两者都不用作图像显示区，所以该不希望的有机发光层不会导致显示图
io像的质量劣化。结果，像素区中的有机发光层具有提高的均匀性，从而 该OELD器件能够显示高质量图像。
图3是表示使用根据本发明的荫罩制造的双面板型OELD器件的示 意性剖面图。如图3所示，双面板型OELD器件包括彼此面对的第一和 第二基板210和260。在第一和第二基板260和210上限定有包括虚拟像
15素区DP和像素区P的有源区AR以及包括电源区PR和密封区SR的非 有源区NR。在第一基板260上形成有机发光二极管E，并且在第二基板 210上形成有驱动薄膜晶体管(TFT) Td。有机发光二极管E包括第一电 极244、有机发光层256和第二电极258。在像素区P中使用(图2的) 荫罩SM形成有机发光层256，该有机发光层256具有优异的均匀性和所
20希望的图案。(图2的)正常图案S1可以与虚拟像素区DP和电源区PR 相对应。在这种情况下，当在像素区P中形成有机发光层256时，在虚 拟像素区DP和电源区PR上分别形成有虚拟有机发光层257和第一有机 图案254。由于虚拟有机发光层257和第一有机图案254与(图2的)正 常图案S1相对应，所以它们具有优异的均匀性和所希望的图案。即，有
25机发光层256、虚拟有机发光层257和第一有机图案254具有相同的宽度。 另一方面，在电源区PR的外部区域中形成有第二有机图案255。第 二有机图案255可以形成在电源区PR和密封区SR之间的区域中。第二 有机图案255是通过(图2的)虚拟图案S2形成的，从而具有差的均匀 性和不希望的图案。
在第一基板260的内侧上形成有第一电极244。第一电极244与有 源区AR和电源区PR两者相对应。在第一电极244上形成有分隔区246。 该分隔区246形成在虚拟像素区DP和像素区P之间、两个相邻虚拟像素 区DP之间以及两个相邻像素区P之间，以隔开它们。当在第一电极244 5上淀积有机发光材料时，有机发光层256和虚拟有机发光层257由于分 隔区246而分离。在像素区P中的有机发光层256上形成有第二电极258， 并且在虚拟像素区DP中的虚拟有机发光层257上形成有虚拟电极259。 因为虚拟像素区DP和像素区P由于分隔区246而被隔开，所以第二电极 258和虚拟电极259也彼此隔开。每个像素区P中的第二电极258都由于
io分隔区246而被隔开。像素区P中的第一电极244、有机发光层256以及 第二电极258构成了有机发光二极管E。
另一方面，在像素区P中在第二基板210上形成有包括驱动薄膜晶 体管(TFT) Td的阵列元件和连接电极220。尽管未示出，但是在第二 基板210上形成有选通线、数据线和开关TFT。选通线和数据线彼此交
15叉，以限定像素区P。开关TFT连接到数据线和选通线。该驱动TFTTd 和开关TFT中的每一个都包括栅极、源极和漏极。开关TFT的栅极连接 到选通线，而开关TFT的源极被连接到数据线。开关TFT的漏极连接到 该驱动TFT Td的栅极。连接线220连接到该驱动TFT Td的漏极。
第二基板210中的虚拟像素区DP具有与第二基板210中的像素区P
20基本上相同的结构。例如，在虚拟像素区DP中形成有虚拟TFTTD和虚 拟连接电极221。
像素区P中的连接图案230设置在第一基板260和第二基板210之 间。第二电极258通过连接图案230连接到连接电极220。由于连接电极 220连接到该驱动TFT Td的漏极(未示出)，所以有机发光二极管E的 25第二电极258连接到该驱动TFT Td。类似地，在虚拟像素区DP中形成 有虚拟连接图案231，并将虚拟电极259连接到虚拟连接电极221。
另一方面，在第二基板210上的电源区PR中形成有电源端子225。 电源端子225从电源(未示出)接收电力。电源端子225与第一基板210 上的电源区PR中的第一有机图案225相对应。电源图案280与电源端子
225和第一有机图案225两者接触，以电连接它们。结果，电源端子225 通过电源图案280和第一有机图案254电连接到第一基板260上的电源 区PR中的第一电极244。第一有机图案254具有充分低的厚度，从而具 有相对低的电阻。例如，第一有机图案254具有约200埃至约400埃的 5范围的厚度。结果，电源的电力被施加到第一电极244。
在密封图案SR中在第一基板260和第二基板210之间形成有密封图 案270，以接合第一基板260和第二基板210。密封图案270沿第一基板 260和第二基板210的边缘部分设置。从密封区SR的外侧在第二基板210 上设置芯片(未示出)。
io 通过图3来说明制造根据本发明的OELD器件的方法。在第一基板
260上的有源区AR和电源区PR中形成第一电极244。在第一电极244 上形成分隔区246。分隔区246使像素区P和虚拟像素区DP隔开。在第 一基板260上方设置(图2的)荫罩SM。(图2的)正常图案S1与有源 区AR和电源区PR相对应，(图2的)虚拟图案S2与电源区PR的外部
15空间相对应。接下来，使用(图2的)荫罩SM在第一电极244上淀积 有机发光材料，以在像素区P中形成有机发光层256，在虚拟像素区DP 中形成虚拟有机发光层257，以及在电源区PR中形成第一有机图案254。 由于有机发光层256、虚拟有机发光层257和第一有机图案254是通过(图 2的)荫罩SM的正常图案S1 (图2)形成的，所以它们具有优异的均匀
20性和所希望的图案。有机发光层256、虚拟有机发光层257和第一有机图 案254由于分隔区246而彼此隔开。同时，在第一基板260上的电源区 PR的外部区域中形成第二有机图案255。由于第二有机图案255是通过 (图2的)荫罩SM的(图2的)虚拟图案S2形成的，所以第二有机图 案255具有差的均匀性和不希望的图案。
25 接下来，在有机发光层256和虚拟有机发光层257上分别形成第二
电极258和虚拟电极259。第二电极258和虚拟电极259由于分隔区246 而彼此隔开。尽管在图3中未示出，但是在形成第二电极258之前，可 以去除非有源区NR中的第一和第二有机图案254和255。
另一方面，在第二基板210上形成包括驱动TFTTd、虚拟TFTTD
的阵列元件和电源端子280。在第二基板210上形成连接图案230、虚拟 连接图案231和电源连接图案280。在连接电极220上形成连接图案230， 以将连接电极220与第二电极258连接。在虚拟连接电极220上形成虚 拟连接图案231。在电源端子225上形成电源图案280,以将电源端子225
5与第一有机图案254连接。当去除第一有机图案254时，电源连接图案 280直接将电源端子225连接到第一电极244。可以在第一基板260上形 成连接图案230、虚拟连接图案231和电源连接图案280。
接下来，沿第一和第二基板260和210之一的边缘部分形成密封图 案270。然后，使用密封图案270，将第一和第二基板260和210彼此接
io合。在接合第一和第二基板260和210之后，通过玻上芯片(COG)型 在第二基板210上设置芯片。
通过上述工艺，制造根据本发明的OELD器件。在本发明中，由于 荫罩的虚拟图案与电源区相对应，所以荫罩具有相对较宽的虛拟图案， 从而荫罩的正常图案具有优异的均匀性。由此，提高了通过荫罩的正常
15图案制造的有机发光层的均匀性，从而该OELD器件能够显示高质量图 像。
本领域的技术人员应当明白，在不脱离本发明的精神或范围的情况 下，可以对本发明的有机电致发光器件及其制造方法进行各种修改和变 化。因此，本发明旨在涵盖落入附加权利要求及其等同物的范围内的本 20发明的这些修改和变化。
本申请要求2006年6月26日在韩国提交的韩国专利申请No. 2006-0057344的优先权，在此通过引用将其并入。
权利要求
1、一种有机电致发光显示(OELD)器件，该器件包括第一基板上的第一电极，该第一基板具有有源区和位于该有源区周边的非有源区，该有源区包括多个像素区，并且该非有源区包括电源区；所述多个像素区中的位于所述第一电极上的有机发光层；所述电源区中的位于所述第一电极上的第一有机层；所述电源区的外部区域中的位于所述第一基板上的第二有机层；所述有机发光层上的第二电极；连接到所述第二电极并形成在第二基板上的驱动薄膜晶体管；以及连接到所述第一有机层并形成在所述第二基板上的电源端子，其中所述第一有机层具有与所述有机发光层基本上相同的形状，并且所述第二有机层具有与所述有机发光层基本不同的形状。
8、 根据权利要求7所述的器件，其中，所述有机发光层被所述分隔 区隔开。
9、 根据权利要求1所述的器件，该器件还包括位于所述第一基板和 第二基板中的至少一个的边缘部分处的密封图案。
10、 一种制造有机电致发光显示器件的方法，该方法包括在第一基板上形成第一电极，该第一基板具有有源区和在该有源区 周边的非有源区，该有源区包括多个像素区，而该非有源区包括电源区 和密封区，该密封区设置在第二基板的最外侧部分；在所述第一电极上方设置具有第一部分和第二部分的荫罩，该第一 10部分与所述有源区和电源区相对应，并且具有多个第一开口，该第二部 分与所述电源区的外部区域相对应，并且具有多个第二开口；使用所述荫罩在所述第一 电极上形成有机发光层； 在所述有机发光层上形成第二电极，其中通过所述第二电极暴露出所述电源区中的有机发光层； 15 在所述第二基板上形成与所述多个像素区相对应的驱动薄膜晶体 管；在所述第二基板上形成与所述电源区相对应的电源端子；以及 接合所述第一和第二基板，以使所述驱动薄膜晶体管面对所述第二 电极。
11、根据权利要求10所述的方法，其中，所述荫罩的第二部分延伸到所述密封区。
12、 根据权利要求10所述的方法，其中，所述荫罩的第二部分在所 述密封区上延伸。
13、 根据权利要求10所述的方法，该方法还包括形成将所述驱动25薄膜晶体管连接到第二电极的连接图案以及将所述电源端子连接到所暴露出的有机发光层的电源图案。
14、 根据权利要求IO所述的方法，该方法还包括在所述第一电极上方设置所述荫罩之前，在所述第一电极上在相邻两个像素区之间形成 分隔区。
全文摘要
本发明提供了一种有机电致发光显示器件及其制造方法。该器件包括第一基板上的第一电极，该第一基板具有有源区和位于该有源区周边的非有源区，该有源区包括多个像素区，并且该非有源区包括电源区；所述多个像素区中的位于所述第一电极上的有机发光层；所述电源区中的位于所述第一电极上的第一有机层；所述电源区的外部区域中的位于所述第一基板上的第二有机层；所述有机发光层上的第二电极；连接到所述第二电极并形成在第二基板上的驱动薄膜晶体管；以及连接到所述第一有机层并形成在所述第二基板上的电源端子，其中所述第一有机层具有与所述有机发光层基本上相同的形状，并且所述第二有机层具有与所述有机发光层基本不同的形状。
文档编号H01L23/488GK101097910SQ200710112580
公开日2008年1月2日 申请日期2007年6月21日 优先权日2006年6月26日
发明者俞忠根, 李康柱 申请人:Lg.菲利浦Lcd株式会社