半导体发光器件及其制造方法

专利名称：半导体发光器件及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种具有发光元件的半导体发光器件及其制造方法，所述 发光元件被具有均匀厚度并包含混入其中的荧光物质的树脂区域围绕。
背景技术：
目前正在研究和开发采用如发光二极管(LED)这样的发光元件并发 出高质量白光的半导体发光器件。 一种产生上述白光的方法是使用红色、 蓝色、绿色、黄色等颜色的荧光物质。更具体地，如果一个发射蓝光的半 导体发光元件发出的一部分光被荧光物质吸收并转化波长以发射红光和 绿光，那么经荧光物质生成的这两种颜色的光和发光元件发出的蓝光混合 而发出白光。
一种这样的使用荧光物质的半导体发光器件的构成如图9所示。结合 在引线框架905上的半导体发光元件902被附加到封装906上，该封装 906具有一由高反射率的白色树脂构成的反射器904。半导体发光元件902 被一混有荧光物质的树脂901密封。发光元件902由导电线903键合 (bond)并电连接。目前，发射白光的这种半导体发光器件可用于照相机、 液晶显示器的背光等照明器件。
然而，图9所示的这种半导体发光器件在不同角度下看时其提供的白 光在色度上会有变化。这是因为产生了如下的现象半导体发光元件902 在不同方向上发光。从而光沿着不同的路径前进，并穿过树脂901前进不 同的距离。光在穿过树脂901的厚部分时要比穿过树脂901的薄部分时被 吸收得更多。
因此，就产生了这样的半导体发光器件，其发光元件被具有均匀厚度
并混有荧光物质的树脂区域包围，在下文中该树脂区域也称为荧光层。更 具体地，该半导体发光器件所发的光无论走哪条路径，其通过荧光层时都 走了基本上相同的距离，经由荧光物质而提供的波长变化也具有了固定的 比率。结果，无论从哪个角度看，光在色度上都是一致的。例如在下文指 出的文献中公开了这种半导体发光器件，在下文中将采用本文中使用的术 语描述每篇文献。
日本专利特许公开2002 — 185048揭示了一种方法，提供在衬底上的 发光半导体器件置于模具(stencil)的开口处，接着在该开口处淀积包含 发光材料的化合物以最终形成包含发光材料并包围发光半导体器件的层， 该化合物具有基本上均匀厚度。此外，日本专利特许公开2003 — 110153 以及日本专利特许公开2002 — 185048描述了一种使用模具的方法，和使 用电泳方法在半导体发光元件上淀积照明材料结构的方法。此外，日本专 利特许公开2006—037097描述了一种将发光材料混入无机材料的方法， 该无机材料作为结合剂以事先提供波长转换材料薄层，该材料又形成凹 陷，以提供覆盖LED管芯以便附加的波长转换元件。

发明内容
在使用模具的方法中，如日本专利特许公开2002—185048描述的那 样，如果放置在模具中的发光半导体器件稍有偏离，所有的发光半导体器 件都将偏离，含有发光材料的层在厚度上不可能均匀。而且，由于该发光 半导体器件为小尺寸，模具开口处放置的包含发光材料的层的源材料在固 化前必须在粘度和总量上严格控制，在产品固化后，产品能否从模具上成 功脱离是一个需要关注的问题。此外，该包含发光材料的层的源材料必须 在模具的每个开口处都引入，这导致复杂的工艺并且费时。
此外，日本专利特许公幵2003 — 110153中所公开的利用电泳的方法 需要让发光元件等被充电，而且淀积该结构也颇为费时。此外，如在日本 专利特许公开2006—037097中描述的采用以事先准备好的薄层覆盖LED 管芯的方法为每个LED管芯提供薄层，对于大批量生产来说也是费时的。 而且该方法需要消除LED管芯和波长变化元件之间的空隙，这需要在引 入附加的树脂材料以填补空隙。
从而，采用具有均匀厚度的荧光层包围和覆盖半导体发光元件的方法 都很麻烦且费时。本发明设想了一种采用简单工艺制造高质量半导体发光 器f^的制造方法，该半导体发光器件具有采用均匀厚度的荧光层包围并覆 盖的半导体发光元件。
本发明的半导体发光器件的制造包括以下步骤以预定的间隔在衬底 和子基座中的一个上结合至少两个半导体发光元件；在衬底和子基座的其 中一个的整个表面上并与半导体发光元件的顶部表面基本上平行成型第 一树脂，以覆盖半导体发光元件；在第一树脂固化后，划割(dicing)并穿 透第一树脂和衬底，以提供在半导体发光元件的顶部表面和侧表面上的厚 度分别为D1、 D2的第一树脂，其比率D2/D1为0.85到1.15。
而且，本半导体发光器件的制造还包括以下步骤以预定的间隔在衬 底或子基座其中之一上结合至少两个半导体发光元件；在衬底或子基座的 整个表面上与半导体发光元件的顶部表面基本上平行成型第一树脂，以覆 盖半导体发光元件；在第一树脂形成之后，划割至少一部分第一树脂，以 提供在半导体发光元件的顶部表面和侧表面上的厚度分别为Dl、 D2的第 一树脂，其比率D2/D1为0.85到1.15。
而且，在本半导体发光器件中，优选，第一树脂混有荧光物质。优选， 在划割步骤之后，覆盖着半导体发光元件的第一树脂的表面上覆盖有第二 树脂。优选，覆盖半导体发光元件的第一树脂具有从50um到500ym的厚度。
而且，在本半导体发光器件中，优选，第一树脂包含硅树脂作为源材 料。优选，第二树脂是环氧树脂。优选，固化后的第一树脂具有比固化后 的第二树脂更小的弹性模量。优选，第二树脂的吸湿性小于第一树脂。优 选，第一树脂的折射系数大于第二树脂。
而且，在本半导体发光器件中，优选，半导体发光元fj^在底部表面具 有p型电极和n型电极。此外，优选，半导体发光元件通过金和焊料之一 结合到通过通孔导电的陶瓷或碳化硅衬底。
而且，在本半导体发光器件中，优选，在结合步骤中，衬底是由铝片、 铝片上的绝缘层以及在绝缘层上的并形成电路图案的铜箔形成的铝衬底。
此外，优选，上述的半导体发光器件安装在具有折射器的封装座上，
半导体发光器件被反射器包围。
而且，本制造半导体发光器件的方法包括以下步骤以预定的间隔在 衬底和子基座中的一个上结合至少两个半导体发光元件；在衬底和子基座 的其中一个的整个表面上与该半导体发光元件的顶部表面基本上平行成
型第一树脂，以覆盖半导体发光元件；在第一树脂固化后，划割并穿透第
一树脂和衬底，以提供在半导体发光元件的顶部表面和侧表面上的厚度分
别为D1、 D2的第一树脂，其比率D2/D1为0.85到1.15。
而且，本制造半导体发光器件的方法包括以下步骤以预定的间隔在 衬底或子基座其中之一上结合至少两个半导体发光元件；在衬底或子基座 的整个表面上与该半导体发光元件的顶部表面基本上平行成型第一树脂， 以覆盖半导体发光元件;在第一树脂形成之后，划割至少一部分第一树脂， 以提供在半导体发光元件的顶部表面和侧表面上的厚度分别为Dl、 D2的 第一树脂，其比率D2/D1为0.85到1.15。
集中地形成荧光层有利于在树脂固化之前控制该包含荧光物质的树 脂层的数量和粘性。这有助于增加产量和提高质量。此外，同时划割包含 荧光物质的设置在衬底或子基座上的第一树脂有助于简化制造工艺。
而且，可以采用简单而固定的工艺制造可用于液晶显示装置的背光、 照明用的光源模组等的高质量的半导体发光器件，其生产率也可得以提 高。
D2/D1的比率可承受的范围是0.85到1.15。
本发明的其他目的、特性、方面、优势等将在下文结合附图的详细描 述中体现得更为清楚。


图1A-1C是分别用于说明按照本发朋一个实施例的工艺的半导体发 光器件的简要剖面图。
图2是说明本发明一个实施例划割步骤的半导体发光器件剖面图。 图3是说明本发明一个实施例划割步骤的半导体发光器件剖面图。 图4是说明本发明一个实施例划割步骤的半导体发光器件剖面图。 图5是本发明一个实施例中半导体发光器件的剖面图。
图6是本发明中采用的半导体发光元件的一个实施例的剖面图。
图7是用于说明按照本发明一个实施例的电连接和划割步骤的半导
体发光器件的剖面图。
图8是本发明一个实施例中半导体发光器件的剖面图。 图9是传统的半导体发光器件一个实施例的剖面图。
具体实施例方式
参考图1描述按照一个实施例的本发明制造方法和器件。
开始，如图1A所示，至少两个半导体发光元件101按照预定方式在 衬底102上隔开，并从而与之结合。本发明中，衬底102是固定半导体发 光元件101的固定器，也是包括用作外部框架作为封装的部件的概念。此 外，衬底102可以是也用来外部引出电极的引线框架。此处提到的管芯结 合是连接该半导体发光元件101。然而这种管芯结合并不局限于采用任何 特定的方式，优选地，采用加热的金、焊料等将半导体发光元件101连接 到它要附加的部件。此外，优选地，半导体发光元件101发射蓝光。结合 到衬底或子基座上的半导体发光元件的数目不限于某个特定的值，虽然应 考虑半导体发光元件如何隔开。另外，在管芯结合中，优选地，在衬底 102和半导体发光元件101之间提供电连接。上述的电连接和管芯结合中 的间隔在下文中将具体描述。
接下来，参照图1B，在衬底102的整个表面上施加第一树脂103以 覆盖半导体发光元件101并使第一树脂103与发光元件101的顶部表面基 本上平行。应该注意的是，只需在其上结合有管芯的衬底102表面上成型 第一树脂就足够了。不需要在其上结合有管芯的表面的相反面上成型树 脂。还应注意半导体发光元件101的顶部表面是与结合到衬底102的表面 相反的表面。优选地，半导体发光元件101除了与衬底102结合的表面外, 所有的表面都被第一树脂103所覆盖。注意，优选地，半导体发光元件 101结合成允许下面将描述的发光层基本上平行与衬底102。
第一树脂103可以采用例如树脂成型中采用填充(potting)设备的具 有代表性的方法进行成型。
第一树脂103可由含有荧光物质混合其中的树脂制成。荧光物质是指
吸收从半导体发光元件发出的光并将光进行波长变换从而发出不同波长 的光，如红、蓝、绿、蓝绿或类似颜色的物质。这些不同颜色的荧光物质
可以混合以发出白光。注意到荧光物质在第一fe脂层103中是均匀分布 的。其中含有荧光物质的第一树脂103此处用作荧光层。
此外，优选地，第一树脂103是由硅树脂制成。硅树脂是一种由包含 硅氧键的聚合物形成其中加入例如固化剂的催化剂的热固性树脂。
接下来，参照图1C，在第一树脂103固化后，穿透或划割第一树脂 层103和衬底102使第一树脂103在半导体发光元件101的顶部表面有厚 度D1，在半导体发光元件101的侧表面上有厚度D2， D2/D1的比率从 0.85到1.15。此处提到的划割是采用划割机104切割以形成沟槽，并且这 种切割以形成沟槽的划割包括切割和研磨以形成沟槽。此外，半导体发光 元件101的侧表面包括除了半导体发光元件101的管芯结合表面和半导体 发光元件101的顶部表面外的任何表面。在本实施例中，衬底102和第一 树脂103都被划割机104穿透。该步骤允许每个半导体发光元件110分离。
此外，虽然依赖于第一树脂103在半导体发光元件101顶部表面的厚 度Dl ，第一树脂103在半导体发光元件101侧表面上优选具有从50 u m 到500ym的厚度D2，以获得所需的色度和亮度。优选该厚度还因为用 划割机104划割以提供小于50um厚度的第一树脂103需要高工作精度， 导致工艺复杂。如上所述的划割可以提供在半导体发光元件101的顶部表 面和侧表面厚度基本上均匀的第一树脂103。这样，半导体发光器件110 可以被制造成无论从哪个角度看都保持色度一致。
在图1A中，优选，结合在衬底102上的半导体发光元件101按预定 方式隔开，为了制造还考虑划割余量，以使得第一树脂103在半导体发光 元件101的顶部表面和侧表面上的厚度基本上均匀。
优选地，本半导体发光元件是如图6所示的半导体发光元件61仏它 具有p电极609和n电极608，沿着允许倒装芯片连接(flip chip connection) 的方向设置。半导体发光元件610是半导体层的叠层，具有在器件衬底 601上的n型区域602， p型区域604和一个作为发光层的有源区域603。 n型接触605和p型接触606分别具有被绝缘层607覆盖的表面。n型区 域602和p型区域604半导体层的数目和有源区域603的配置可以适当调
整。此外，在本发明中，半导体发光元件610可以被结合成使元件的衬底 601变成顶部表面。而且，如果p电极609和n电极608在一个方向，优 选，p电极609和n电极608与器件的衬底601的距离基本上相等。
在将半导体发光元件结合到衬底的步骤中，如上文所述，半导体发光 元件被电连接。在本实施例中，半导体发光元件的电连接将参考图7在下 文那中进行描述。在本实施例中，优选衬底702由具有通孔706的陶瓷衬 底、碳化硅衬底等实现，因为这样的衬底702可以更有效的散发半导体发 光元件601产生的热量。通孔706是一个垂直穿透衬底702的孔，并镀上 导体以形成接线端707。通孔706使得衬底702顶部和底部表面导电。
从而，通过在半导体发光元件610的电极上用金或焊料形成的焊块 708电连接通孔706和半导体发光元件610，半导体发光元件610同时也 结合在衬底702上。通过这种电连接，通过衬底702的通孔706连接到半 导体发光元件610的p和n电极的接线端707可以提供在衬底702的背面。 在电连接之后，半导体发光元件610被第一树脂701覆盖并划割，正如前 面已经描述过的那样。这种电连接方式允许在第一树脂层的外部设置接线 端。这使得本实施例中的半导体发光元件可以在制作好之后与例如其他的 封装进行电连接。此外，本实施例中，优选地，应避免发半导体光元件 610之间的电连接以防止在划割步骤中切断了其中的连接。
注意，如果使用不能倒装芯片连接(flip chip connection)的半导体发 光元件，如图6所示，有必要在结合步骤中将半导体发光元件的电极连接 到衬底以允许通过至少一条键合线向外部引出电极。此外，划割步骤必须 小心完成以免切到键合线。
第二实施例
将参考图2介绍另一实施例中的本发明的制造方法和器件。 开始，至少两个半导体发光元件201结合在子基座205上。除了在本 实施例中，半导体发光元件201是与子基座205结合外，管芯结合与在第 一实施例中类似。这里讲的子基座205是一个热胀系数(coefficient of thermal expansion)与半导体发光元件201接近的热传导良好的平板，支 撑半导体发光元件201并被衬底202支撑。衬底202通过子基座205来支 撑发光元件201。在本发明中，子基座205可以用于向外部引出电极。结 合到子基座的半导体发光元件201的数目不局限于任何特定数值。
接下来，第一树脂层203被用于子基座205的整个表面以覆盖半导体 发光元件201 ，并使得第一树脂203与半导体发光元件201的顶部表面基 本上平行。第一树脂层203的成型步骤与第一实施例中类似。
在第一树脂203固化之后，第一树脂203和衬底202被穿透或划割以 使第一树脂203在发光元件201顶部表面上具有厚度Dl，在半导体发光 元件201的侧表面上具有厚度D2， D2/D1的比率从0.85到1.15。这种划 割提供在半导体发光元件201的顶部和侧表面具有基本上均匀厚度的第 一树脂203。
本发明的半导体发光元件201优选与第一实施例相同，例如，能够进 行倒装芯片连接。此外，当发光元件201与子基座205结合时，半导体发 光元件201与子基座205和衬底201电连接。可以采用任何一种电互连方 式来形成电连接，尽管优选的是单独对每个半导体发光元件201实现电互 连以避免在划割时切断了电互连。也就是说，优选的是，半导体发光元件 201之间不进行电连接。子基座205和衬底202可以通过通孔来允许电连 接，就如第一实施例中描述的那样。此外，可以采用线键合来电连接半导 体发光元件201与子基座205，子基座205可以结合到具有通孔的衬底 202。注意在任何情况下，电互连必须具有提供在第一树脂203的外部的 接线端。
第三实施例
执行一与在第一实施例中描述相类似的工艺直到图1B。接着，如图 3所示，在第一树脂303固化后，将第一树脂303划割到允许第一树脂303 留下少量的深度，以在半导体发光元件301的顶部表面有厚度D1，在半 导体发光元件301的侧表面有厚度D2， D2/D1的比率从0.85到1.15。 在这一过程中，划割机304划割第一树脂到某一深度而没有接触到衬底 302。本实施例描述的这种划割可以防止半导体发光元件310具有有表面 和/或内部损伤的衬底。因此，当半导体发光元件301结合到衬底302时， 半导体发光元件301同时互连到衬底302以提供构成电连接电路的互连。 此外，衬底302可以通过大量具有通孔的衬底层叠在一起而形成以在内部 提供互连。这种互连允许半导体发光元件301被电连接在一起。半导体发
光元件301优选能够进行倒装芯片连接，如图6所示，就象上文所述的那 样。电连接在一起的半导体发光元件301可以为半导体发光器件节省空 间。
注意，本实施例中第一树脂303在半导体发光元件301侧表面上的厚 度D2是指在划割机304切割或划割的部分与半导体发光元件301的侧表 面之间的厚度，如图3所示。这种划割提供在半导体发光元件301的顶部 和侧表面上有基本上均匀的厚度的第一树脂303。
第四实施例
执行与在第二实施例中描述的类似的工艺直到划割。接着，如图4所
示，在第一树脂403固化后，第一树脂403被划割到在半导体发光元件 401的顶部表面具有厚度D1，在半导体发光元件401的侧表面上具有厚 度D2， D2/D1的比率从0.85到1.15。在这一过程中，在其上结合有半导 体发光元件401的子基座405上的第一树脂403被划割到允许第一树脂 403被留下少量的深度。在这一过程中，划割机404划割第一树脂到一定 深度使其不接触子基座405。
对半导体发光器件410来说，当半导体发光元件401结合到子基座 405时，半导体发光元件401可以同时互连到衬底402或子基座405以提 供构成电连接电路的互连。例如，其上结合有半导体发光元件401的子基 座405可以承载在由铝片、片上沉积的绝缘层、以及沉积在层上并形成电 路图案的铜箔形成的衬底402上。此外，衬底402还可以通过大量具有通 孔的薄膜衬底层叠在一起以在内部提供互连来实现。
上述的互连将半导体发光元件401电连接在一起。半导体发光元件 401优选是能够进行倒装芯片连接的，如图6所示，就象在上文所述的那 样。电连接在一起的半导体发光元件401可以为半导体发光器件节省空 间。
注意，本实施例中第一树脂403在半导体发光元件401侧表面上的厚 度D2是指在划割机404切割或划割的部分与半导体发光元件401的侧表 面之间的厚度，如图4所示。这种划割提供在半导体发光元件401的顶部 和侧表面上有基本上均匀的厚度的第一树脂403。
第五实施例
在下文中，任何具有封装的半导体发光元件并具有电连接到半导体发 光元件的接线端的产品都被称为半导体发光器件。从而，具有封装的上述 半导体发光器件的器件也被称为半导体发光器件。
参考图5，将介绍本发明的一个实施例。
在第一实施例中描述过的发光器件110与封装502接触，并被第二树 脂501所环绕，该封装是具有折射器503的树脂模制产品。封装502可以 是例如陶瓷封装。开始，半导体发光器件UO通过金、焊料等与封装502 结合，并在半导体发光器件110外部提供的接线端同时电连接到封装502 的接线端。
覆盖了半导体发光器件110的第二树脂501可以保护第一树脂的划割 面并防止光在界面的散射。从而，优选地，第一树脂具有比第二树脂501 大的折射系数，第二树脂501是高度透明的树脂。
此外，优选地，本来的和固化后的第一树脂的弹性模量小于本来的和 固化后的第二树脂501，第二树脂501的吸湿性小于第一树脂。第二树脂 501覆盖半导体发光器件以便防止光散射，正如前述的那样，除此还可以 保护半导体发光元件。因此，优选地，第二树脂501是作为热固性树脂的 环氧树脂。
此外，包括环绕半导体发光元件以反射从半导体发光元件发出的光的 反射器503的半导体发光器件501允许从半导体发光元件发出的光沿一特 定方向发射以获得高的发光强度。
注意，从第二到第四实施例中的半导体发光器件210、 310、 410也能 用于制造与本实施例类似的半导体发光器件。
第六实施例
参考图8将介绍本发明的一个实施例。
将第五实施例中制造的半导体发光器件510结合到金属核心衬底 (metal core substrate) 809上并安装以提供半导体发光器件810。这里提 及的金属核心衬底809是能够将例如安装的组件所产生的热量散发出去 的衬底。在第一实施例中，衬底和半导体发光元件倒装芯片连接，通过焊 块提供的路径散热比半导体发光元件的衬底整体结合时提供的路径还是 有所不及。从而器件需要研究散热。安装在例如金属核心衬底809这样的
衬底上可以使产生的热更有效地散发，并延长半导体发光器件的寿命。
虽然己经在上文中详细地描述和说明了本发明，但应很清楚的是这些 描述和说明只是作为示例说明而不是进行限定，本发明的精神和范围仅由 所附的权利要求限定。
权利要求
1、一种半导体发光器件，按照以下步骤制造以预定的间隔将至少两个半导体发光元件结合到衬底和子基座其中之一；在所述衬底和所述子基座的所述其中之一的整个表面实质上平行于所述半导体发光元件的顶部表面成型第一树脂，以覆盖所述半导体发光元件；以及在所述第一树脂固化之后，划割并因而穿透所述第一树脂和所述衬底以提供在所述半导体发光元件的所述顶部表面和侧表面上分别具有厚度D1和厚度D2的所述第一树脂，使得D2/D1的比率为0.85到1.15。
2、 如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一树脂包含混 入第一树脂中的荧光物质。
3、 如权利要求1所述的半导体发光器件，其中，在划割步骤之后， 在覆盖所述半导体发光元件的所述第一树脂的表面上覆盖第二树脂。
4、 如权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述第二树脂是环氧 树脂。
5、 如权利要求3所述的半导体发光器件，其中固化后的所述第一树 脂具有比固化后的所述第二树脂更小的弹性模量。
6、 如权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述第二树脂的吸湿 性小于所述第一树脂。
7、 如权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述第一树脂的折射 系数大于所述第二树脂。
8、 如权利要求3所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光器件 安装在具有折射器的封装上，使得如权利要求1所述的半导体发光器件 被所述反射器包围。
9、 如权利要求1所述的半导体发光器件，其中覆盖所述半导体发光 元件的所述第一树脂具有从50Miii到500^的厚度。
10、 如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第一树脂包含 硅树脂作为源材料。
11、 如权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光元件的底部表面具有P型电极和n型电极。
12、 如权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光元 件采用金和焊料其中之一结合到借助于通孔导电的陶瓷衬底。
13、 如权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光元 件采用金和焊料其中之一结合到借助于通孔导电的碳化硅衬底。
14、 一种半导体发光器件，按照以下步骤制造 按照预定的间隔将至少两个半导体发光元件结合到衬底和子基座其中之一；在所述衬底和所述子基座的所述其中之一的整个表面实质上平行于 所述半导体发光元件的顶部表面成型第一树脂，以覆盖所述半导体发光 元件；以及在所述第一树脂固化之后，划割至少部分所述第一树脂以提供在所 述半导体发光元件的所述顶部表面和侧表面上分别具有厚度Dl和厚度 D2的所述第一树脂，使得D2/D1的比率为0. 85到1. 15。
15、 如权利要求14所述的半导体发光器件，其中所述第一树脂包含 混入第一树脂中的荧光物质。
16、 如权利要求14所述的半导体发光器件，其中，在划割步骤之后， 在覆盖所述半导体发光元件的所述第一树脂的表面上覆盖所述第二树 脂。
17、 如权利要求16所述的半导体发光器件，其中所述第二树脂是环 氧树脂。
18、 如权利要求16所述的半导体发光器件，其中固化后的所述第一 树脂具有比固化后的所述第二树脂更小的弹性模量。
19、 如权利要求16所述的半导体发光器件，其中所述第二树脂的吸 湿性小于所述第一树脂。
20、 如权利要求16所述的半导体发光器件，其中所述第一树脂的折 射系数大于所述第二树脂。
21、 如权利要求16所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光器 件安装在具有折射器的封装上，使得如权利要求14所述的半导体发光器 件被所述反射器包围。
22、 如权利要求14所述的半导体发光器件，其中覆盖所述半导体发 光元件的所述第一树脂覆盖具有从50Mm到500^的厚度。
23、 如权利要求14所述的半导体发光器件，其中所述第一树脂包含 硅树脂作为源材料。
24、 如权利要求14所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光元 件的底部表面具有p型电极和n型电极。
25、 如权利要求24所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光元 件采用金和焊料其中之一结合到借助于通孔导电的陶瓷衬底。
26、 如权利要求24所述的半导体发光器件，其中所述半导体发光元 件采用金和焊料其中之一结合到借助于通孔导电的碳化硅衬底。
27、 如权利要求14所述的半导体发光器件，其中在结合步骤中，所 述衬底是由铝片、所述铝片上的绝缘层、以及所述绝缘层上并形成电路 图案的铜箔形成的铝衬底。
28、 一种制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤.-按照预定的间隔将至少两个半导体发光元件结合到衬底和子基座其中之一；在所述衬底和所述子基座的所述其中之一的整个表面实质上平行于 所述半导体发光元件的顶部表面成型第一树脂，以覆盖所述半导体发光 元件；以及在所述第一树脂固化之后，划割并因而穿透所述第一树脂和所述衬 底以提供在所述半导体发光元件的所述顶部表面和侧表面上分别具有厚 度Dl和厚度D2的所述第一树脂，使得D2/D1的比率为0. 85到1. 15。
29、 一种制造半导体发光器件的方法，包括以下步骤-按照预定的间隔将至少两个半导体发光元件结合到衬底和子基座其中之一；在所述衬底和所述子基座的所述其中之一的整个表面实质上平行于 所述半导体发光元件的顶部表面成型第一树脂，以覆盖所述半导体发光元件；以及在所述第一树脂固化之后，划割至少部分所述第一树脂以提供在所 述半导体发光元件的所述顶部表面和侧表面上分别具有厚度Dl和厚度D2的所述第一树脂，使得D2/D1的比率为0. 85到1. 15。
全文摘要
提供一种通过简单的工艺制造高质量半导体发光器件(110)的方法，该半导体发光器件(110)具有由均匀厚度的树脂形成的荧光层环绕并因而被其覆盖的半导体发光元件(101)。至少两个半导体发光元件(101)以预定的间隔结合到衬底(102)。随后，第一树脂(103)作为荧光层在衬底(102)的整个表面上基本上平行于半导体发光元件(101)的顶部表面成型，以覆盖半导体发光元件(101)。在第一树脂(103)固化后，第一树脂(103)至少部分被划割。
文档编号H01L33/50GK101114689SQ20071014943
公开日2008年1月30日 申请日期2007年5月28日 优先权日2006年6月1日
发明者竹川浩 申请人:夏普株式会社