专利名称：一种有机电致发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电致发光器件，属于有机电致发光技术领域。
技术背景有机电致发光器件(有机发光二极管，Organic Light-emitting diodes,简 称OLEDs)作为一种新型的、下一代平板显示技术及光源，兼具主动发光、宽视 角、全彩色、可弯曲、高效率、低功耗、低成本等许多优点，符合信息时代移动 通信和信息显示的发展趋势对显示技术的要求，其广阔的应用前景及近年来在材 料和器件的突破性进展使之成为目前和未来极有竞争力的新型平板显示技术与 照明技术之一。1987年，美国柯达(Kodak)公司发表了以胺类衍生物为空穴传输层，以8-羟基喹啉铝(Alq3)薄膜为发光层的双层结构0LEDs，器件电致发光外部量子效 率约为1%。 (C. W. Tang and S. A. VanSlyke， Appl. Phys. Lett. 51， 913 (1987))。近二十年，Alq3是有机电致发光技术领域应用最广泛的发光材料和电子传输 材料，但是由于Alq3薄膜的荧光效率不高(约为32%)，现有技术以Alq3为发光 材料的器件其电致发光外部量子效率不高(小于2%)。2002年，Ma等人发表了以Alq3和胺类衍生物(NPB)的混合薄膜为发光层 的0LEDs，将器件电致发光外部量子效率从0.63%提高到0.96%。 (D. G. Ma, C. S. Ue, S. T. Lee, L S. Himg， Applied Physics Letters, Vol. 80， pp. 3641， (2002))。2005年，Fukuno等人发表了以Alq3和2， 9-二甲基-4, 7-二苯基-1， 10-二氮 杂菲(BCP)的混合薄膜为发光层的OLEDs，将器件电致发光的外部量子效率从约 1. 1%提高至lj约1. 3%。 (K. Fukuno, T. 0sasa， Y. Iwasaki， A. Kimura, M. Matsumura ， Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 44, pp. 6245 (2005))。2006年，Chen等人发表并公开了以Alq3和4,4' -二 (咔唑-9-基)-联苯 (CBP)的混合薄膜为发光层的0LEDs，将器件电致发光的外部量子效率从约 1.0%提高到约1.4%。
(B, J. Chen， X. W. Sun' K. R. Sa雇，Applied Physics Letters, Vol. 88, pp. 243505 (2006)和已公开的中国专利申请申请号 200710019921.2，公开号CN101030624A)。发明内容本发明的目的是改善现有技术以Alq3为发光材料的器件其电致发光效率外 部量子效率不高的问题，进一步提高器件电致发光外部量子效率。为实现上述目的，本发明所述的有机电致发光器件由依次设置的基底(1)、 底电极(2)、载流子传输层(3)、发光层(4)、载流子传输层(5)、上电极(6) 构成，其特征是所述的发光层(4)由发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)掺杂的 9， 10-二萘基蒽(ADN)构成。发光层(4)中发光材料Alq3的掺杂质量百分比浓度为0. 1% - 90%。发光层(4)的厚度为1 nm - 1000 nm。发光层(4)由真空热(共)蒸发镀膜方法制备。基底(1)可以由金属材料或无机非金属材料或有机高分子材料构成，可以 由单一材料构成，也可以由复合材料(两种或多种材料掺杂或互混)构成，主要 用于起支撑作用底电极(2)可以由金属材料或无机非金属材料或有机高分子材料构成，可 以是单层，也可以是多层，各层可以由单一材料构成，也可以由复合材料(两种 或多种材料掺杂或互混)构成，主要用于载流子注入和接触电极。载流子传输层(3)可以由金属材料或无机非金属材料或有机高分子材料构 成，可以是单层，也可以是多层(实现载流子注入、传输、阻挡功能)，各层可 以由单一材料构成，也可以由复合材料(两种或多种材料掺杂或互混)构成，主 要用于注入或传输或阻挡载流子。载流子传输层(5)可以由金属材料或无机非金属材料或有机高分子材料构 成，可以是单层，也可以是多层(实现载流子注入、传输、阻挡功能)，各层可 以由单一材料构成，也可以由复合材料(两种或多种材料掺杂或互混)构成，主要用于注入或传输或阻挡载流子。上电极(6)可以由金属材料或无机非金属材料或有机高分子材料构成，可 以是单层，也可以是多层，各层可以由单一材料构成，也可以由复合材料(两种 或多种材料掺杂或互混)构成，主要用于载流子注入和接触电极。载流子传输层(3)、发光层(4)、载流子传输层(5)，可以是由相同材料构 成，也可以是由不同材料构成。底电极(2)和上电极(6)可以是由相同材料构成，也可以是由不同材料构成。
图1是本发明有机电致发光器件的结构示意图。图1中，本发明有机电致发 光器件由基底(1)、底电极(2)、载流子传输层(3)、发光层(4)、载流子传输 层(5)、上电极(6)构成，其特征是发光层(4)由发光材料8-羟基喹啉铝(AlQ3) 掺杂的9， 10-二萘基蒽(ADN)构成。图2是Alq3分子结构示意图。图3是ADN分子结构示意图。
具体实施方式
首先在表面覆盖有铟锡氧化物(IT0)底电极的玻璃基底上利用真空热蒸发 镀膜的方法制备厚度为60 nm的胺类衍生物(NPB)薄膜作为空穴传输层，然后 在其上利用真空热(共)蒸发镀膜的方法制备厚度为60 nm的8-羟基喹啉铝(Alq3) 掺杂的9,10-二萘基蒽(ADN)薄膜作为发光层，再利用真空热蒸发镀膜的方法 制备厚度为1.5 mn的CS2C03薄膜作为电子注入层，最后利用真空热蒸发镀膜的 方法制备厚度为100 nm的Al薄膜作为上电极，器件结构为ITO/NPB (60 nm) / Alq3: ADN (60 nm) /Cs^ft (1.5 run) /Al (100 nm)。对比现有技术器件(器件 结构为ITO/NPB (60 nm) / Alq3 (60 nm) /Cs2C03 (1.5 nm) /Al (100 nm)，发 光层为AlQ3薄膜，上述本发明实例器件的电致发光外部量子效率有显著的提高， 如表1所示。本发明的要点是发光层4由发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)掺杂的9， IO-二萘基蒽(ADN)构成。除此以外，所述的基底l、底电极2、载流子传输层3、载 流子传输层5、上电极6的材料和制备方法还可以釆用现有的各种材料和方法， 并不受本实施例所述的材料和制备方法所限制。表1各种有机电致发光器件的电致发光外部量子效率比较有机电致发光器件最大电致发光外部量子效率本发明器件l (Alq3掺杂浓度为1 %)2. 2%本发明器件2 (Alq3掺杂浓度为3 %)2. 3%本发明器件3 (Alq3掺杂浓度为5 %)2. 4%本发明器件4 (Alq3掺杂浓度为10%)2. 7%本发明器件5 (Alq3掺杂浓度为20%)2. 5%本发明器件6 (Alq3掺杂浓度为50 %)1. 7%现有技术器件1. 2%
权利要求
1.一种有机电致发光器件，该器件由依次设置的基底(1)、底电极(2)、载流子传输层(3)、发光层(4)、载流子传输层(5)、上电极(6)构成，其特征是所述的有机材料发光层(4)由发光材料8-羟基喹啉铝(Alq3)掺杂的9，10-二萘基蒽(ADN)构成。
2. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是所述的发光层中 发光材料Alqs的掺杂质量百分比浓度为O. 1% - 90%。
3. 根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征是所述的发光层厚 度为1 nm - 1000 nm。
4. 根据权利要求1所述的有机电致命发光器件，其特征是所述的发光层 采用真空热(共)蒸发镀膜方法制备。
全文摘要
本发明涉及一种有机电致发光器件，该器件由基底(1)、底电极(2)、载流子传输层(3)、发光层(4)、载流子传输层(5)、上电极(6)构成，其特征是有机材料发光层(4)由发光材料8-羟基喹啉铝(Alq<sub>3</sub>)掺杂的9，10-二萘基蒽(ADN)构成。本发明公开的器件比现有技术器件具有更高的电致发光外部量子效率。
文档编号H01L51/50GK101217186SQ20081002595
公开日2008年7月9日 申请日期2008年1月21日 优先权日2008年1月21日
发明者翔 周, 爽 李, 袁永波, 连加荣 申请人:中山大学