专利名称：一种有机电致发光器件的制备方法
技术领域：
本发明涉及电子元件中有机电致发光技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。背景技木
随着近几年来纳米科技的发展，在孩i米和纳米尺度的范围内具有规则形貌(如具有球、线、带、管等形状)的材料成为各国科学家的研究热点之一。微/纳米结构的导电聚合物还可能由于表面效应、小尺寸效应和量子隧道效应等使其具有其它特殊性能，如载流子迁移率高等优点。
近年来，导电聚合物聚3， 4-乙烯基二氧噻吩(PEDOT)由于具有电导率高、热稳定及透明性好等特点，逐步成为有机电子材料研究的热点。掺杂态的PEDOT具有较高的电导率，为一种富空穴材料，因而可以作为有机电子器件的空穴传输材料。
Zhang等人以多孔氧化铝(AAO)为模板，以化学聚合方法制备了 PEDOT纳米线及纳米管。他们首先采用负压注入的方法将单体溶液注入AA0 4莫板的孔中，然后再将含有氧化剂的模板浸入氧化剂中发生聚合，从而得到PEDOT的纳米管和纳米线。通过控制氧化剂的浓度和反应温度，可以得到管壁厚度可控的一系列纳米管，这种纳米管可以较好的分散于乙醇溶液中。他们将含有管壁厚度小于20 nm的纳米管液滴滴到基片上，待溶剂挥发后可以得到透明的薄膜，在有机电子和光电子材料方面具有很好的应用前景。
作为有机电致发光的空穴注入层，不仅需要材料具有较好的导电性能使得载流予的迁移效率高，同时要与电极有良好的匹配从而提高载流子的注入效率，因此PEDOT纳米线^f更成为理想的空穴传输材料，因此采用 一种有效的方法来获得超薄、高度有序的导电聚合物纳米线薄膜，对于制备高性能的空穴传输层并提高有机电致发光器件的性能具有重要意义。
目前，以导电聚合物纳米线来作为空穴传输材料的报道很少，由于难以获得分散性良好并与有效的组装方法结合，这类材料很难形成致密无缺陷的薄膜结构，因此限制了其在有机电致发光器件上的应用，因此迫切需要一种方法来
得到结构上紧密排列并严4各有序的导电聚合物纳米线结构。
LB拉膜技术能够精密的构造二维有序组合体，尤其是纳米结构阵列化和高密度纳米有序薄膜制备的有力工具。Gibson等人利用其实现了表面活性剂修饰的直径仅为1.4nm的Au55纳米微粒的有序组装。除了组装零维纳米微粒外，Lieber研究组用LB拉膜技术组装Si/Si02核-壳结构半导体纳米线，形成不同间距的大面积、高密度纳米线有序阵列。目前，以LB膜技术来进行纳米结构有序排列还处于起步阶段，尤其对聚合物类型材料研究很少，而采用这种方法得到的有序排列纳米结构薄膜由于具有高密度、大面积的优点，是有机电致发光器件空穴传输层的理想材料。
尽管近年来OLED技术已取得长足的进步，但是目前的技术在有机电致发光领域中仍然存在很多瓶颈。无论是从薄膜的材料还是从薄膜的结构来提高器件的空穴传输率都是至关重要的。尤其是利用已知的具有优良光电性能的导电聚合物材料、尤其是纳米结构材料，采用结构优化、尽可能提高器件性能的结构，如LB膜法或者静电自组装等方法，实现载流子注入效率的提高，而得到高效、低成本的器件方面，特别需要人们去不断的探索。
发明内容
本发明所要解决的问题是如何提供一种有机电致发光器件的制备方法，利用该方法所制得的有机电致发光器件能克服现有技术中所存在的缺陷，提高了空穴注入的效率，提高了器件的发光效率，同时制备方法简单易于操作。
本发明所提出的技术问题是这样解决的提供一种有机电致发光器件的制备方法，器件包括阳极层、阴极层以及设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层至少包括空穴注入层和发光层，所述发光层在外加电源的驱动下发光，其特征在于，制备方法包括以下步骤
(1) 将器件阳极层衬底进行表面清洁干燥处理；
(2) 将导电聚合物纳米线超声分散溶于有机溶剂中，形成导良好的分散体
系；
6(3) 将步骤(2)得到的导电聚合物纳米线溶液滴加于亚相，并在气/液界面压膜形成纳米线薄膜；
(4) 控制LB拉膜机滑障压缩步骤(3)得到的纳米线薄膜到成膜膜压，采用垂直成膜的方式将纳米线薄膜转移至步骤(1)得到的阳极层衬底上形成空穴注入层；
(5) 将形成了空穴注入层的阳极层衬底转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；
(6) 在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备；
(7) 将步骤(6)所得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围；
(8) 测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电
聚合物纳米线材料包括3， 4-聚乙撑二氧噻吩和聚吡咯。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，导电聚合物纳米线能够在有机溶剂中形成稳定的分散体系。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层制备过程中，通过选择不同的导电聚合物纳米结构而在阳极层上得到不同的导电有序纳米薄膜结构。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机功能层还包括空穴传输层或者电子传输层。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层是发出蓝光的荧光材料层或者发出绿光的荧光材料层或者发出红光的掺杂材料层，在所述外加电源的驱动下，发出蓝光或者绿光或者红光。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述阳极层是金属氧化物薄膜或者金属薄膜，该金属氧化物薄膜可以是ITO薄膜或者氧化锌薄膜或氧化锡锌薄膜，该金属薄膜可以是金、铜、银等功函数较高的金属薄膜；所述阴极层是金属薄膜或合金薄膜，该金属薄膜可以是锂或镁或钙或锶或铝或铟等功函数较低的金属薄膜或它们与铜或金或银等的合金薄膜。按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电 子传输层是金属配合物材料或者噁二唑类电子传输材料，或者咪唑类电子传输
材料；所述空穴传输材料可以是芳香族二胺类化合物或星形三苯胺化合物。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发 蓝光的荧光材料层是双(2-曱基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝(BAlq)或者9，10-二 -(2-萘基)蒽(ADN或BAN);所述发出绿光的荧光材料层是Alq3 ;所述的发出红 色的掺杂荧光材料为Alq3:DCJTB掺杂型材料，主体材料为Alq3，或者ADN等 能级差异较大的材料，掺杂染料一般为DCJTB或者DCM或者DCM1等红光染 料。
按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以 下步骤
(1) 利用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对阳极层衬底进行超声清洗，清洗后 用干燥氮气吹干；
(2) 将3， 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线超声分散溶于丙酮-氯仿中，纳米线的浓 度为0.8 mg/ml,以便形成良好的^c体系溶液；
(3) 采用微量进样器抽取100^13， 4-聚乙撑二氧瘗吩纳米线/丙酮-氯仿溶液 滴加于亚相，待溶剂挥发20 min后开始压膜，此时在气/液界面已形成3, 4-聚 乙撑二氧噢吩纳米线薄膜；
(4) 控制LB拉膜机滑障以3 mm/min的速度压缩纳米线薄膜到30 mN/m的 膜压，采用垂直成膜的方式将纳米线薄膜转移至步骤(1)得到的阳极层衬底上， 成膜速率为1 mm/min，得到3， 4-聚乙撑二氧p塞吩纳米线有序薄膜，亦是器件 的空穴注入层；
(5) 将制备了空穴注入层的阳极层衬底转移至有机真空蒸发室，按照器件结 构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传 输层；
(6) 在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备； CO将步骤(6)所得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围，
器件结构为阳极层/3， 4-聚乙撑二氧瘗吩纳米线/空穴传输层/发光层/电子传输层
8/阴极层；
(8)测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光语参数。 按照本发明所提供的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以 下步骤
(1) 利用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对阳极衬底进行超声清洗，清洗后用 干燥氮气吹干；
(2) 将聚吡咯纳米线超声分散溶于四氰呋喃-氯仿中，纳米线的浓度为1.0 mg/ml，以便形成良好的分散体系溶液；
(3) 采用^f敬量进样器抽取100 nl聚吡咯纳米线/四氰呋喃-氯仿滴加于亚相， 待溶剂挥发20 min后开始压膜，此时在气/液界面已形成聚吡咯纳米线薄膜；
(4) 控制LB拉膜才几滑障以3 mm/min的速度压缩纳米线薄膜到30 mN/m的 膜压，采用垂直成膜的方式将纳米线薄膜转移至步骤(1)得到的阳极层衬底上， 成膜速率为1 mm/min,得到聚吡咯纳米线有序薄膜，亦是器件的空穴注入层；
(5) 将沉积了空穴注入层的基片转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次 蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；
(6) 在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备；
(7) 将步骤(6)得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围， 阳极层/聚吡咯纳米线/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极层；
(8) 测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光语参数。 按照本发明的制备方法所得的有机电致发光器件，其特征在于，包括以下
几种结构
① 阳极/3， 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
② 阳极/聚吡咯纳米线/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极。 本发明所提供的一种有机电致发光器件的制备方法中，通过将导电聚合物
纳米线组成良好^L体系，将其铺展于亚相中，通过LB膜动态压缩方法及纳米 结构的自组装在界面形成致密有序的导电聚合物纳米结构薄膜，并将其转移至 阳极基片表面作为器件的空穴注入层，再进行器件其它功能层及电极薄膜的制 备。在OLED器件的阳极上构筑一种纳米结构有序排列薄膜作为器件的空穴注入层，提高器件的空穴注入效率，该层有序纳米薄膜的构筑采用了普通LB膜法，
制备方法合理简单，易于梯:作，与器件其它结构的制备工艺兼容。可通过不同 材料纳米线的组装实现不同导电聚合物纳米结构有序膜作为空穴注入层，并实 现大面积成膜。这种有序纳米薄膜结构可以有效的减小阳极层与空穴传输层之
间接触势垒，增加空穴载流子的注入效率，提高OLED器件的发光效率。
空穴注入层中的导电聚合物纳米结构紧密有序排列，具有电导率高、取向有 序的特点。本发明不仅用于制作高发光效率、长寿命的有机电致发光显示器件， 而且可应用于彩色液晶显示的背光灯、照明灯板等领域。
图1是导电聚合物纳米结构有序膜作为空穴注入层后器件原理图。
其中，1、阳极层，2、空穴注入层(导电聚合物纳米线有序膜)，3、空穴 传输层，4、发光层，5、电子传输层，6、阴极层，7、外加电源。
具体实施例方式
下面结合附图以及实施例对本发明作进一步的说明。
本发明提供了一种在阳极层上构筑导电聚合物纳米结构有序薄膜作为空穴 注入层的有机电致发光器件及其制备方法。通过将导电聚合物纳米线组成良好 ^t体系，将其铺展于亚相中，通过LB膜动态压缩方法及纳米结构的自组装在 界面形成致密有序的导电聚合物纳米结构薄膜，并将其转移至阳极基片表面作 为器件的空穴注入层，再进行器件其它功能层及电极薄膜的制备。在OLED器 件的阳极上构筑一种纳米结构有序排列薄膜作为器件的空穴注入层，提高器件 的空穴注入效率，该层有序纳米薄膜的构筑采用了普通LB膜法，制备方法合理 筒单，易于操作，可以通过常规方法制备器件其它功能层，空穴注入层的制备 方法与OLED器件的制备工艺兼容。
图l是导电聚合物多层有序膜作为空穴注入层后器件原理图，其中1、阳 极层，2、空穴注入层(导电聚合物纳米线有序膜)，3、空穴传输层，4、发光 层，5、电子传输层，6、阴极层，7、外加电源。2可以通过选择不同的导电聚 合物材料来构筑不同的有序膜。
本发明的特点是采用了一种纳米线结构致密有序排列薄膜作为OLED器件的空穴注入层，空穴注入层的厚度可以通过纳米线的直径来进行调控。
依托成熟的LB膜成膜方法，本发明制备的空穴注入层严格有序并可控，可 以转移至多种基片上，并实现大面积成膜，适宜于大面积OLED器件的制备。 采用本发明制备的一些有机电致发光器件举例如下
① 阳极/3, 4-聚乙撑二氧瘗吩纳米线/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
② 阳才57聚吡咯纳米线/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极。 以下是本发明的具体实施例
实施例1
如图l所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层3，发光层4和电子 传输层5，其中发光层4分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB,发光层材料为BAlq或者Alq3,电子传输 材料为Alq3,阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为
玻璃衬底/ITO /3， 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线(直径20nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3(10 nm)/Mg:Ag(90 nm)
制备方法如下
(1) 利用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对阳4及层衬底进行超声清洗，清洗后
用干燥氮气吹干；
(2) 将3， 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线超声M溶于丙酮/氯仿中，纳米线的浓 度为0.8mg/ml，以便形成良好的^t体系溶液；
(3) 采用微量进样器抽取100fi13, 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线/丙酮-氯仿溶液 滴加于亚相，待溶剂挥发20 min后开始压膜，此时在气/液界面已形成3， 4-聚 乙撑二氧噻吩纳米线薄膜；
(4) 控制LB拉膜机滑障以3 mm/min的速度压缩纳米线薄膜到30 mN/m的 膜压，将处理后的基片采用垂直成膜的方式将纳米线薄膜转移至基片上，成膜 速率为1 mm/min，得到3， 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线有序薄膜，亦是器件的空 穴注入层；
(5) 将沉积完空穴注入层后的基片转移至有机真空蒸发室，待室内气压为 4xl04Pa，开始进行有机薄膜的蒸镀。按照如上所述器件结构依次蒸镀的空穴传
ii输层NPB为30nm,发光层材料BAlq层10 nm， Alq3层10 nm并且兼作电子 传输层。各有机层的蒸镀速率0.1nm/s,蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜 厚仪监控；
(6) 在有机层蒸镀结束后将基片传送至金属真空蒸发室中进行金属电极的 制备。其气压为3xl(T3Pa，蒸镀速率为lnm/s，合金中Mg， Ag比例为 10:l， 膜层厚度为90nm。蒸镀速率及厚度由安装在基片附近的膜厚仪监控；
(7) 将做好的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为99.9%氮气氛围；
(8) 测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。 实施例2
如图l所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层3，发光层4和电子 传输层5，其中发光层4分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB，发光层材料为BAlq或者Alq3,电子传输 材料为Alq3，阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为
玻璃衬底/ITO /3, 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线(直径40 nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90 nm) 器件的制备流程与实施方式1相同。 实施例3
如图l所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层3，发光层4和电子 传输层5，其中发光层4分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB，发光层材料为BAlq或者Alq3，电子传输 材料为Alq3,阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为
玻璃衬底/ITO /聚吡咯纳米线(直径30 nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3 (10 nm)/Mg:Ag(90 nm)
器件的制备流程与实施方式1相同。 实施例4
如图l所示，器件结构中的有机功能层包括空穴传输层3，发光层4和电子 传输层5，其中发光层4分别为蓝色发光层或者绿色发光层。
器件的空穴传输层材料为NPB,发光层材料为BAlq或者Alq3,电子传输材料为Alq3,阴极层用Mg:Ag合金。整个器件结构描述为
玻璃衬底/ITO /聚吡咯纳米线(直径20 nm) / NPB(30 nm) /BAlq(10 nm)/Alq3
(10 nm)/Mg:Ag(90 nm)
器件的制备流程与实施方式1相同。
权利要求
1、一种有机电致发光器件的制备方法，器件包括阳极层、阴极层以及设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层，所述有机功能层至少包括空穴注入层和发光层，所述发光层在外加电源的驱动下发光，其特征在于，包括以下步骤(1)将器件阳极层衬底进行表面清洁干燥处理；(2)将导电聚合物纳米线超声分散溶于有机溶剂中，形成良好的分散体系；(3)将步骤(2)得到的导电聚合物纳米线溶液滴加于亚相，并在气/界面压膜形成纳米线薄膜；(4)控制LB拉膜机滑障压缩步骤(3)得到的纳米线薄膜到成膜膜压，采用垂直成膜的方式将纳米线薄膜转移至步骤(1)得到的阳极层衬底上形成空穴注入层；(5)将形成了空穴注入层的阳极层衬底转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；(6)在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备；(7)将步骤(6)所得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围；(8)测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。
2、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电聚合物纳米线材料包括3, 4-聚乙撑二氧遙吩和聚吡咯。
3、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，导电聚合物纳米线能够在有机溶剂中形成稳定的分散体系。
4、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层制备过程中，通过选择不同的导电聚合物纳米结构而在阳极层上得到不同的导电有序纳米薄膜结构。
5、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机功能层还包括空穴传输层或者电子传输层。
6、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层是发出蓝光的荧光材料层或者发出绿光的荧光材料层或者发出红光的掺杂材料层，在所述外加电源的驱动下，发出蓝光或者绿光或者红光。
7、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述电子传输层是金属配合物材料或者噁二唑类电子传输材料，或者咪唑类电子传输材料；所述空穴传输材料是芳香族二胺类化合物或星形三苯胺化合物。
8、 根据权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发蓝光的荧光材料层是双(2-甲基-8-羟基喹啉)(对苯基苯酚)铝或者9,10-二-(2-萘基)蒽；所述发出绿光的荧光材料层是Alq3;所述的发出红色的掺杂荧光材料为Alq3:DCJTB掺杂型材料，主体材料为Alq3或者ADN掺杂染料为DCJTB或者DCM或者DCM1红光染料。
9、 一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤(1) 利用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对阳极层衬底进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；(2) 将3， 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线超声分散溶于丙酮-氯仿中，纳米线的浓度为0.8mg/ml,形成良好的^Ht体系溶液；(3) 采用4效量进样器抽取100^13， 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线/丙酮-氯仿溶液滴加于亚相，待溶剂挥发20 min后开始压膜，此时在气/液界面已形成3， 4-聚乙撑二氧p塞吩纳米线薄膜；(4) 控制LB拉膜机滑障以3 mm/min的速度压缩纳米线薄膜到30 mN/m的膜压，采用垂直成膜的方式将纳米线薄膜转移至步骤(1)得到的阳极层衬底上，成膜速率为1 mm/min，得到3， 4-聚乙撑二氧瘗吩纳米线有序薄膜，亦是器件的空穴注入层；(5) 将制备了空穴注入层的阳极层衬底转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；(6) 在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备；(7) 将步骤(6)所得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围，阳极层/3， 4-聚乙撑二氧噻吩纳米线/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极层；(8) 测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光语参数。
10、 一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤(1) 利用洗涤剂、乙醇溶液和去离子水对阳极衬底进行超声清洗，清洗后用干燥氮气吹干；(2) 将聚吡咯纳米线超声分散溶于四氰呋喃-氯仿中，纳米线的浓度为1.0mg/ml ，形成良好的分散体系溶液；(3) 采用微量进样器抽取100 pl聚吡咯纳米线/四氰呋喃-氯仿滴加于亚相，待溶剂挥发20 min后开始压膜，此时在~液界面已形成聚吡咯纳米线薄膜；(4) 控制LB拉膜机滑障以3 mm/min的速度压缩纳米线薄膜到30 mN/m的膜压，采用垂直成膜的方式将纳米线薄膜转移至步骤(1)得到的阳极层衬底上，成膜速率为1 mm/min，得到聚吡咯纳米线有序薄膜，亦是器件的空穴注入层；(5) 将沉积了空穴注入层的基片转移至有机真空蒸发室，按照器件结构依次蒸镀有机功能层，所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层；(6) 在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备；(7) 将步骤(6)得到的器件传送到手套箱进行封装，手套箱为氮气氛围，阳极层/聚吡咯纳米线/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极层；(8) 测试器件的电流-电压-亮度特性，同时测试器件的发光光谱参数。
全文摘要
本发明公开了一种有机电致发光器件的制备方法，首先在器件阳极上构筑有序紧密排列的导电聚合物纳米线结构作为器件的空穴注入层，再进行器件其它功能层及电极薄膜的制备。空穴注入层中的材料是有序排列的高导电性聚合物纳米线，具有载流子迁移率高的特点。本发明不仅用于制作高发光效率、长寿命的有机电致发光显示器件，而且可应用于彩色液晶显示的背光灯、照明灯板等领域。
文档编号H01L51/54GK101540378SQ20091005906
公开日2009年9月23日 申请日期2009年4月24日 优先权日2009年4月24日
发明者徐建华, 杨亚杰, 蒋亚东 申请人:电子科技大学