专利名称：进阶式四方扁平无引脚封装结构及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体元件及其制作方法，且特别是涉及一种进阶式四方扁平无引脚(advanced Quad Flat No Lead, aQFN)封装结构及其制作方法。
背景技术：
半导体封装技术包含有许多封装形态，其中属于四方扁平封装系列的四方扁平无引脚封装具有较短的信号传递路径及相对较快的信号传递速度，因此四方扁平无引脚封装适用于高频传输(例如射频频带)的芯片封装，且为低脚位(low pin count)封装型态的
主流之一。在四方扁平无引脚封装结构的制作方法中，先将多个芯片配置于引脚框架 (Ieadframe)上。接着，通过多条焊线使这些芯片电连接至引脚框架。之后，通过封装胶体来包覆部分引脚框架、这些焊线以及这些芯片。然后，通过切割(punching)或锯切(sawing) 单体化上述结构而得到多个四方扁平无引脚封装结构。最后，提供一已涂布有锡膏的印刷电路板，通过表面粘着技术(surface mounting technology, SMT)将所得到的四方扁平无引脚封装结构焊接至印刷电路板，以增加四方扁平无引脚封装结构的应用性。然而，印刷电路板上的锡膏量的多寡会直接影响到与四方扁平无引脚封装结构接合的可靠度。举例来说，当印刷电路板上的锡膏量较多时，易导致四方扁平无引脚封装结构的这些接垫(包括芯片座与接触端子)因锡膏而产生短路现象；或者是，当印刷电路板上的锡膏量较少时，易导致四方扁平无引脚封装结构的有些接垫没有接触锡膏而产生电性效能降低的问题。因此，如何有效提升四方扁平无引脚封装结构与印刷电路板之间的接合可靠度便成为是前业界亟欲解决的重要课题之一。
发明内容
本发明的目的在于提供一种进阶式四方扁平无引脚封装结构及其制作方法，通过改变载体的结构设计，来增加后续产品应用的可靠度。为达上述目的，本发明提出一种进阶式四方扁平无引脚封装结构，其包括一载体、 一芯片、多条焊线以及一封装胶体。载体具有一芯片座、多个环绕芯片座配置的引脚及多个第一凹槽部。每一引脚具有彼此相对的一内表面与一外表面。第一凹槽部分别位于引脚的外表面上。芯片配置于载体的芯片座上。焊线配置于芯片与引脚之间。封装胶体包覆芯片、 焊线与引脚的内表面，并暴露出外表面与第一凹槽部。本发明提出一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法，其包括以下步骤。 提供一载体。载体具有彼此相对的一第一表面与一第二表面、位于第二表面上的至少一凹穴与多个凹口以及多个位于第一表面上的第一凹槽部。凹口之间定义出多个内引脚部，且内引脚部环绕凹穴配置。分别形成一第一金属镀层及一第二金属镀层于载体的第一表面与第二表面上。第一金属镀层与第一凹槽部共形设置。配置至少一芯片于载体的凹穴中。芯片通过多条焊线电连接至内引脚部。形成一封装胶体于载体上，以覆盖芯片、焊线、第二金属镀层与内引脚部，并填充于凹穴以及凹口。对第一金属镀层之外的载体的第一表面进行一蚀刻制作工艺，以蚀穿载体至填充于凹口内的封装胶体暴露为止，以便形成多个引脚、至少一芯片座与多个开口。基于上述，本发明是通过改变载体的设计，使载体的第一表面预先形成多个第一凹槽部。因此，在后续的制作工艺中，当所形成的进阶式四方扁平无引脚封装结构须与印刷电路板接合时，可直接分别形成多个第一焊料球于这些第一凹槽部上，且通过这些第一焊料球使进阶式四方扁平无引脚封装结构直接接合于印刷电路板上。如此一来，可有效提高接合后的产品的制作工艺良率与可靠度。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
图IA至图II为本发明的一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法的剖面示意图；图2为图ID的载体与金镀镀层之间相对位置的局部俯视与剖面示意图；图3A至图3D为本发明的一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图；图4为本发明的一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的剖面示意图；图5为本发明的另一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的剖面示意图；图6为本发明的又一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的剖面示意图。主要元件符号说明12 第一图案化光致抗蚀剂层14:图案化光致抗蚀剂层20:第二光致抗蚀剂层100a、100b、100c、100d、IOOe 进阶式四方扁平无引脚封装结构110、110b、110c、110d 载体Illa:第一表面Illb:第二表面112:芯片座113:凹穴114、114，、114”引脚114a、114e 内表面114b、114f 外表面114c、114c，、114g 上部114c” 次上部114d、114h:下部115:凹口
115，开口
115a 第一凹口
116a、116b 第一凹槽部117内引脚部
118a、118b 第二.凹槽部119a:第一环状突起部
119fc’第二环状突起部120 芯片
122底表面130焊线
140封装胶体
142下表面150第一金属键层160第二金属键层170第一焊料球
180第二焊料球
具体实施例方式图IA至图II为本发明的一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法的剖面示意图。图2绘示图ID的载体与金镀镀层之间相对位置的局部俯视与剖面示意图。依照本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法，首先，请参考图1A，提供一载体110。载体110具有彼此相对的一第一表面Illa与一第二表面111b，其中载体110 的第一表面Illa上已涂布有一第一图案化光致抗蚀剂层12，而载体110的第二表面Illb 上已涂布有一第二光致抗蚀剂层20。第一图案化光致抗蚀剂层12暴露出载体110的部分第一表面111a，而第二光致抗蚀剂层20全面性覆盖载体110的第二表面111b。接着，请参考图1B，以第一图案化光致抗蚀剂层12及第二光致抗蚀剂层20为蚀刻掩模，蚀刻第一图案化光致抗蚀剂层12所暴露出的载体110的部分第一表面111a，以于部分第一表面Illa上形成多个第一凹槽部116a(图IB绘示四个)。接着，请参考图1C，移除第一图案化光致抗蚀剂层12以及第二光致抗蚀剂层20， 而暴露出载体110的第一表面Illa与第二表面111b。此时，载体110的第一表面Illa上已具有这些第一凹槽部116a。接着，请参考图1D，通过对载体110的第一表面Illa及第二表面Illb进行涂布光致抗蚀剂(未绘示)及对光致抗蚀剂曝光与显影，以于未配置有光致抗蚀剂的区域形成一第一金属镀层150以及一第二金属镀层160。第一金属镀层150位于载体110的第一表面Illa上，而第二金属镀层160位于载体110的第二表面Illb上。特别是，第一金属镀层 150与这些第一凹槽部116a共形设置。接着，请参考1E，涂布一光致抗蚀剂层(未绘示)于载体110的第一表面Illa以及第一金属镀层150上，并以第二金属镀层160为一蚀刻掩模，以蚀刻载体110的第二表面 111b，而形成位于第二表面Illb上的至少一凹穴113与多个凹口 115、115a，其中这些凹口115之间定义出多个内引脚部117，且这些内引脚部117环绕凹穴113配置。之后，移除光致抗蚀剂层，而暴露出载体110的第一表面Illa与第一金属镀层150。接着，请参考图1F，配置至少一芯片120(图IF中仅示意地绘示一个)于载体110 的凹穴113中，其中芯片120通过多条焊线130电连接至这些内引脚部117。接着，请参考图1G，形成一封装胶体140于载体110上，以覆盖芯片120、这些焊线 130、第二金属镀层160与这些内引脚部117，并填充于凹穴113以及这些凹口 115、llfe内。然后，请参考图1H，对第一金属镀层150之外的载体110的第一表面Illa进行一蚀刻制作工艺，以蚀穿载体110至填充于这些凹口 115内的封装胶体140暴露为止，以便形成多个引脚114、114’、至少一芯片座112(图IH中仅示意地绘示一个)及多个开口 115’。 其中，每一引脚114具有彼此相对的一内表面11 与一外表面114b、一配置邻近于内表面 114a的上部IHc以及一配置邻近外表面114b的下部114d，而封装胶体140实质上覆盖这些引脚114的这些上部lHc，且这些引脚114的这些下部114d至少部分从封装胶体140的下表面142向外延伸。特别是，引脚114’的上部114c’是由两个次上部lHc”所组成，其中凹口 11 位于两个次上部114c”之间，而这些次上部114c”连接至同一下部114d，且一条焊线130连接于一个次上部114c”与芯片120之间。之后，可通过一单体化的制作工艺，来形成多个各自独立的进阶式四方扁平无引脚封装结构100a(图IH中仅示意地绘示一个)。 至此，已大致完成进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa的制作。于结构上，请再参考图1H，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa包括载体110、芯片120、这些焊线130、封装胶体140、第一金属镀层150以及第二金属镀层160。 载体110具有芯片座112、这些环绕芯片座112配置的引脚114、114’及这些第一凹槽部 116a。每一引脚114、114’具有彼此相对的内表面11 与外表面114b、配置邻近于内表面 114b的上部lHc、114c，以及配置邻近外表面114b的下部114d。这些第一凹槽部116a分别位于这些引脚114、114’的外表面114b上。芯片120配置于载体110的芯片座112上。 焊线130配置于芯片120与这些引脚114、114’之间。封装胶体140包覆芯片120、这些焊线130与这些引脚114的这些上部114c、lHc’，且暴露出这些第一凹槽部116a，其中这些引脚114、114’的这些下部114d至少部分从封装胶体140的下表面142向外延伸。第一金属镀层150配置于这些引脚114的这些外表面114b与芯片座120的一底表面122上，其中第一金属镀层150与这些第一凹槽部116a共形设置。第二金属镀层160配置于这些引脚 114,114'的这些内表面IHa上。此外，为了增加进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa的应用性，请参考图II，也可于进行完单体化制作工艺后，分别形成多个第一焊料球170于位于这些第一凹槽部116a 上的第一金属镀层150上。此时，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa可通过这些第一焊料球170而接合于一外部电路(未绘示)上，例如是一印刷电路板，且通过这些第一焊料球170与外部电路电连接。由于本实施例是通过改变载体110的结构设计，使载体110的第一表面Illa预先形成这些第一凹槽部116a，且于后续的制作工艺中，使第一金属镀层150可共形配置这些第一凹槽部116a中。因此，当所形成的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa预与外部电路(例如是印刷电路板)(未绘示)接合时，可直接形成这些第一焊料球170于这些第一凹槽部116a上的第一金属镀层150上，且通过这些第一焊料球170使进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa直接接合且电连接至外部电路上。如此一来，可有效提高接合后的产品的制作工艺良率与可靠度。值得一提的是，本发明并不限定这些第一凹槽部116a的结构形态，虽然此处所提及的第一凹槽部116a是通过蚀刻载体110的第一表面Illa所构成，但已知的其他能达到同等可作为植球之用的结构设计，仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。此外，必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。图3A至图3D为本发明的一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法的局部步骤的剖面示意图。为了方便说明起见，图3C绘示绘示图;3B的载体与金属镀层之间相对位置的局部俯视与剖面示意图。请先参考图3B，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOb与前述实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa相似，其中两者主要的差异是在于进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOb的多个第一凹槽部116b是由第一表面11 la (请参考图3A)与多个第一环状突起部119a所构成，而第一金属镀层150与这些第一凹槽部116b共形设置，且完全包覆这些第一环状突起部119a，请参考图3C。在制作工艺上，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOb可以采用与前述实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa大致相同的制作方式，在图IA的步骤时，采用与不同于第一图案化光致抗蚀剂层12的一图案化光致抗蚀剂层14，并且此以图案化光致抗蚀剂层14为一第一电镀掩模进行一电镀制作工艺，以电镀多个第一环状突起部 119a(图3A绘示四个)于图案化光致抗蚀剂层14所暴露出的部分第一表面Illa上。接着，同时移除图案化光致抗蚀剂层14及第二光致抗蚀剂层20，以暴露出位于图案化光致抗蚀剂层14下方的第一表面Illa及第二表面111b，其中第一表面Illa与这些第一环状突起部119a构成这些第一凹槽部116b。接着，依序进行ID至图IH的步骤，即可大致完成图的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOb的制作。当然，为了增加进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOb的应用性，请参考图3D，也可形成这些第一焊料球170于位于这些第一凹槽部116b上的第一金属镀层150。当此进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOb欲与外部电路(例如是印刷电路板)(未绘示)接合时， 进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOb可直通过这些第一焊料球170而接合且电连接至外部电路上。如此一来，可有效提高接合后的产品的制作工艺良率与可靠度。图4为本发明的一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的剖面示意图。 请参考图4，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc与前述实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa的相似，其中两者主要的差异是在于进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc的载体IlOc更包括多个第二凹槽部118a，且这些第二凹槽部118a分别位于这些引脚114、114’的这些内表面11 上。此外，为了增加进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc的应用性，进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc可更包括多个第二焊料球180，其中第二焊料球180分别配置于这些第二凹槽部118a上的第二金属镀层160上。特别是，在本实施例中，至少一条焊线130与至少一个第二焊料球180配置于同一引脚114’的内表面 IHa上，其中此引脚114，的内表面11 具有一凹口 115a，且焊线130与第二焊料球180 分别位于凹口 11 的相对两侧的内表面IHa上的第二金属镀层160上。
在制作工艺上，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc可以采用与前述实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOa大致相同的制作方式，并且在图IA的步骤时，对第二光致抗蚀剂层20进行曝光步骤与显影步骤时，以于载体110的第二表面Illb 上形成一第二图案化光致抗蚀剂层(未绘示)，其中第二图案化光致抗蚀剂层暴露出部分第二表面111b。接着，在图IB蚀刻第一图案化光致抗蚀剂层10所暴露出的部分第一表面 Illa时，同时蚀刻第二图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分第二表面111b，以形成图4中的这些第二凹槽部118a。接着，如图IC的步骤，同时移除第一图案化光致抗蚀剂层12与第二图案化光致抗蚀剂层。之后，在图ID的形成第二金属镀层160于载体110的第二表面 Illb上时，这些第二金属镀层160与这些第二凹槽部118a共形设置，请参考图4。最后，依序进行图IE至图II的步骤，即便可大致完成进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc的制作。由于本实施例的载体IlOc的第一表面Illa与第二表面Illb分别具有这些第一凹槽部116a与第二凹槽部118a，因此于后续的应用中，可于这些第一凹槽部116a与第二凹槽部118a上设置这些第一焊料球170与这些第二焊料球180。如此一来，进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc可通过这些第一焊料球170与一外部电路(例如是印刷电路板)电连接，而可通过这些第二焊料球180与另一封装结构(未绘示)电连接，来形成一堆叠式封装 (package on package)结构。简言之，本实施例是通过改变载体IlOc的设计，使载体110c 的第一表面11 Ia与第二表面11 Ib预先形成这些第一凹槽部116a与第二凹槽部118a,来增加后续进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc与外部电路或其他封装结构接合时的制作工艺良率与可靠度。图5为本发明的另一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的剖面示意图。请参考图5，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOd与前述实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc的相似，其中两者主要的差异是在于引脚114”具有一内表面IHe与一外表面114f、一配置邻近于内表面IHe的上部114g以及一配置邻近外表面 114f的下部114h，其中引脚114”的内表面IHe的表面积大于外表面114f的表面积，且至少一条焊线130与至少一个第二焊料球180配置于引脚114”的内表面IHe上。在制作工艺上，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOd可以采用与前述实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc大致相同的制作方式，并在图ID步骤中， 采用形成不同于第一金属镀层150及第二金属镀层160的图案化设计，来形成不同形态的引脚114”结构。接着，依序进行图IE至图II，即可大致完成封装结构IOOd的制作。在此必须说明的是，本发明并不限定这些第二凹槽部118a的结构形态，虽然此处所提及的第二凹槽部118a是通过蚀刻载体IlOd的第二表面Illb所构成，但其他实施例中，也可采用如图3A的第一凹槽部116b的形成方式来形成多个第二凹槽部118b。图6为本发明的又一实施例的一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的剖面示意图。请参考图6，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOe与前述实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc相似，其中两者主要的差异是在于进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOe的多个第二凹槽部118b是由第二表面Illb与多个第二环状突起部119b所构成，而第二金属镀层160与这些第二凹槽部118b共形设置，且完全包覆这些第二环状突起部119b。
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在制作工艺上，本实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOe可以采用与前述实施例的进阶式四方扁平无引脚封装结构IOOc大致相同的制作方式，其在进行完图IA 的形成第一图案化光致抗蚀剂层12与第二图案化光致抗蚀剂层之后，请参考图3A，于进行电镀制作工艺时，同时以第二图案化光致抗蚀剂层为一第二电镀掩模进行电镀制作工艺， 以电镀多个第二环状突起部11%，请参考图6，其中第二图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分第二表面Illb上。接着，如图IC步骤，在移除第一图案化光致抗蚀剂层12的同时， 移除第二图案化光致抗蚀剂层，以暴露出位于第二图案化光致抗蚀剂层下方的第二表面 111b，其中第二表面Illb与这些第二环状突起部119b构成这些第二凹槽部118b，请参考图6。接着，依序进行ID至图II的步骤，即便可大致完成进阶式四方扁平无引脚封装结构 IOOe的制作。综上所述，本发明是通过改变载体的设计，使载体的表面预先形成凹槽部。因此， 在后续的制作工艺中，当所形成的进阶式四方扁平无引脚封装结构须与印刷电路板或其他封装结构接合时，可直接形成焊料球于凹槽部上，且通过焊料球使进阶式四方扁平无引脚封装结构直接接合于印刷电路板或其他封装结构上。如此一来，可有效提高接合后的产品的制作工艺良率与可靠度。虽然结合以上实施例揭露了本发明，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中熟悉此技术者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围应以附上的权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种进阶式四方扁平无引脚封装结构，包括载体，具有一芯片座、多个环绕该芯片座配置的引脚及多个第一凹槽部，其中各该引脚具有彼此相对的一内表面与一外表面，该些第一凹槽部分别位于该些引脚的该些外表面上； 芯片，配置于该载体的该芯片座上； 多条焊线，配置于该芯片与该些引脚之间；以及封装胶体，包覆该芯片、该些焊线与该些引脚的该些内表面，并暴露出该些外表面与该些第一凹槽部。
2.如权利要求1所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构，其中各该引脚具有一配置邻近于该内表面的上部以及一配置邻近该外表面的下部，该封装胶体实质上覆盖该些引脚的该些上部，且该些引脚的该些下部至少部分从该封装胶体的一下表面向外延伸。
3.如权利要求1所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构，还包括第一金属镀层，配置于该些引脚的该些外表面与该芯片座的一底表面上，其中该第一金属镀层与该些第一凹槽部共形设置；以及第二金属镀层，配置于该些引脚的该些内表面上。
4.如权利要求1所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构，还包括 多个第一焊料球，分别配置于该些第一凹槽部上。
5.如权利要求1所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构，其中该载体还包括多个第二凹槽部，且该些第二凹槽部分别位于该些引脚的该些内表面上。
6.如权利要求5所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构，还包括 多个第二焊料球，分别配置于该些第二凹槽部上。
7.如权利要求6所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构，其中至少一该些焊线与至少一该些第二焊料球配置于同一该引脚的该内表面上。
8.如权利要求7所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构，其中同一该引脚的该内表面具有一凹口，且该焊线与该第二焊料球分别位于该凹口的相对两侧的该内表面上。
9.一种进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法，包括提供一载体，该载体具有彼此相对的一第一表面与一第二表面、位于该第二表面上的至少一凹穴与多个凹口以及多个位于该第一表面上的第一凹槽部，其中该些凹口之间定义出多个内引脚部，且该些内引脚部环绕该凹穴配置；分别形成一第一金属镀层及一第二金属镀层于该载体的该第一表面与该第二表面上， 其中该第一金属镀层与该些第一凹槽部共形设置；配置至少一芯片于该载体的该凹穴中，其中该芯片通过多条焊线电连接至该些内引脚部；形成一封装胶体于该载体上，以覆盖该芯片、该些焊线、该第二金属镀层与该些内引脚部，并填充于该凹穴以及该些凹口 ；以及对该第一金属镀层之外的该载体的该第一表面进行一蚀刻制作工艺，以蚀穿该载体至填充于该些凹口内的该封装胶体暴露为止，以便形成多个引脚、至少一芯片座与多个开口。
10.如权利要求9所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法，其中形成该载体的该些第一凹槽部的步骤，包括涂布一第一光致抗蚀剂层于该载体的该第一表面上；对该第一光致抗蚀剂层进行一曝光步骤与一显影步骤，以于该载体的该第一表面上形成一第一图案化光致抗蚀剂层，其中该第一图案化光致抗蚀剂层暴露出部分该第一表面；蚀刻该第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分该第一表面，以形成该些第一凹槽部；以及移除该第一图案化光致抗蚀剂层。
11.如权利要求10所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法，还包括涂布该第一光致抗蚀剂层于该载体的该第一表面上时，同时涂布一第二光致抗蚀剂层于该载体的该第二表面上；对该第一光致抗蚀剂层进行该曝光步骤与该显影步骤时，同时对该第二光致抗蚀剂层进行该曝光步骤与该显影步骤，以于该载体的该第二表面上形成一第二图案化光致抗蚀剂层，其中该第二图案化光致抗蚀剂层暴露出部分该第二表面；蚀刻该第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分该第一表面时，同时蚀刻该第二图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分该第二表面，以形成多个第二凹槽部；移除该第一图案化光致抗蚀剂层时，同时移除该第二图案化光致抗蚀剂层；以及形成该第二金属镀层于该载体的该第二表面上时，该第二金属镀层与该些第二凹槽部共形设置。
12.如权利要求9所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法，其中形成该载体的该些第一凹槽部的步骤，包括涂布一第一光致抗蚀剂层于该载体的该第一表面上；对该第一光致抗蚀剂层进行一曝光步骤与一显影步骤，以于该载体的该第一表面上形成一第一图案化光致抗蚀剂层，其中该第一图案化光致抗蚀剂层暴露出部分该第一表面；以该第一图案化光致抗蚀剂层为一第一电镀掩模进行一电镀制作工艺，以电镀多个第一环状突起部于该第一图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分该第一表面上；以及移除该第一图案化光致抗蚀剂层，以暴露出位于该第一图案化光致抗蚀剂层下方的该第一表面，其中该第一表面与该些第一环状突起部构成该些第一凹槽部。
13.如权利要求12所述的进阶式四方扁平无引脚封装结构的制作方法，还包括涂布该第一光致抗蚀剂层于该载体的该第一表面上时，同时涂布一第二光致抗蚀剂层于该载体的该第二表面上；对该第一光致抗蚀剂层进行该曝光步骤与该显影步骤时，同时对该第二光致抗蚀剂层进行该曝光步骤与该显影步骤，以于该载体的该第二表面上形成一第二图案化光致抗蚀剂层，其中该第二图案化光致抗蚀剂层暴露出部分该第二表面；进行该电镀制作工艺时，同时以该第二图案化光致抗蚀剂层为一第二电镀掩模进行该电镀制作工艺，以电镀多个第二环状突起部于该第二图案化光致抗蚀剂层所暴露出的部分该第二表面上；移除该第一图案化光致抗蚀剂层时，同时移除该第二图案化光致抗蚀剂层，以暴露出位于该第二图案化光致抗蚀剂层下方的该第二表面，其中该第二表面与该些第二环状突起部构成多个第二凹槽部；以及形成该第二金属镀层于该载体的该第二表面上时，该第二金属镀层与该些第二凹槽部共形设置。
全文摘要
本发明公开一种进阶式四方扁平无引脚封装结构及其制作方法，该结构包括一载体、一芯片、多条焊线以及一封装胶体。载体具有一芯片座、多个环绕芯片座配置的引脚及多个第一凹槽部。每一引脚具有彼此相对的一内表面与一外表面。第一凹槽部分别位于引脚的外表面上。芯片配置于载体的芯片座上。焊线配置于芯片与引脚之间。封装胶体包覆芯片、焊线与引脚的内表面，并暴露出外表面与第一凹槽部。
文档编号H01L21/56GK102184908SQ20111010455
公开日2011年9月14日 申请日期2011年4月26日 优先权日2011年4月26日
发明者丁一权, 廖国成, 蔡宗岳, 陈家庆, 黄东鸿 申请人:日月光半导体制造股份有限公司