专利名称：一种具有电双稳性质的聚合物材料及其应用的制作方法
技术领域：
本发明属于有机光电信息材料技术领域。具体设计一类含铱配合物的非共轭聚合物电存储材料，实现其在高性能电存储器件中的应用。
背景技术：
随着信息时代的到来，人们每日所面对的信息量呈爆炸式增长。由于受到摩尔定律的限制及信息时代人们对高存储容量的需求，虽然传统的硅半导体存储器件具有快速存储的特点，其自身所存在的缺陷如尺寸不能无限缩小、制备工艺复杂、生产成本高、2D存储工艺限制其存储容量等制约了它在信息和电子工业等领域的发展和应用。近年来，以聚合物材料代替传统的无机半导体材料来制备有机电存储器件，为超大规模集成电路的发展提供了一个新的方向。聚合物材料可以通过旋涂成膜或LB膜等方式制备器件，工艺简单。同时聚合物材料分子设计灵活，可以根据实际需要来设计合成。因此，聚合物电存储材料以其易加工、低成本、稳定性好、低功耗、可实现3D堆积以及高存储密度等优点引起了人们广泛的研究兴趣。近年来，以聚合物材料为基础的聚合物存储材料与器件作为有机电子学中的新兴领域，已经成为热门的研究课题。虽然有机电存储器件目前取得了显著的进展，但毕竟是近年来刚刚发展起来的， 针对这类存储器件的实验现象和工作原理的解释仍然不成熟，机理解释存在多种说法，主要有丝状电导机制，场致电荷转移机制，分子构象转变机制，氧化还原机制等。正因为如此， 这也意味着有机电存储存在着更大的发展空间。含重金属配合物的聚合物材料是通过化学键和配位键将高分子母体和小分子配合物连接在一起，按其连接位置可分为主链连接和侧链连接。聚合物主链可分为共轭和非共轭两类。在这类聚合物材料中，铱配合物可作为电子受体，含有给电子基团的聚合物作为给体，在外界电压的影响下，电荷转移，使其具有电双稳性质。通过得到的电流-电压曲线确定其归属的电存储器件的类型，给出不同主链结构、金属位置等对材料性能的影响。本发明的内容对含重金属配合物的聚合物光电材料的研究以及电存储器件的发展有着重要的
眉、ο
发明内容
技术问题本发明的目的在于提供一种具有电双稳性质的聚合物材料及其应用， 该材料是一类基于铱的配合物的非共轭聚合物，该材料合成步骤简单、条件温和，且具有电双稳性质，从而在电存储领域有良好的应用前景。技术方案本发明具体涉及一类含Ir的重金属配合物的非共轭聚合物电存储材料，实现其在高性能电存储器件中的应用。该类配合物材料由环金属配体、金属中心和聚合物主链组成，结构通式如下。该材料合成步骤简单、条件温和，且具有电双稳性质，从而在电存储领域有良好的应用前景。具有如下结构式
权利要求
1. 一种具有电双稳性质的聚合物材料，其特征在于所述材料为一种含重金属配合物的非共轭聚合物，具有如下结构通式
2. 一种如权利要求1所述的具有电双稳性质的聚合物材料的制备方法，其特征在于该制备方法为
3.一种如权利要求1所述的具有电双稳性质的聚合物材料，其特征在于该聚合物材料应用于单层或多层电存储器件。
4.一种如权利要求1所述的具有电双稳性质的聚合物材料，其特征在于该聚合物材料应用于二阶或三阶电存储器件中。
全文摘要
一种具有电双稳性质的聚合物材料及其应用属于有机电存储材料技术领域。具体涉及一类含重金属Ir配合物的非共轭聚合物电存储材料，实现其在高性能电存储器件中的应用。该类配合物材料由环金属配体、金属中心和聚合物主链组成，结构通式如下。该材料合成步骤简单、条件温和，且具有电双稳性质，从而在电存储领域有良好的应用前景。
文档编号H01L51/00GK102344528SQ20111019193
公开日2012年2月8日 申请日期2011年7月8日 优先权日2011年7月8日
发明者刘淑娟, 王鹏, 董晓臣, 赵强, 黄维 申请人:南京邮电大学