专利名称：倒置型有机电致发光器件及其制备方法
技术领域：
本发明涉及光电器件，尤其涉及一种倒置型有机电致发光器件。本发明还涉及该倒置型有机电致发光器件的制备方法。
背景技术：
1987年，美国Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中，IOV下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为I. 511m/W、寿命大于100小时。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。目前，OLED常用的结构为底发射结构，一般在透明导电氧化薄膜玻璃(ITO)上制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极等，但是制备ITO等透明氧化薄膜，会给制备过程带来一定程度的困难，一方面因为ITO往往都是通过溅射的方法制备在衬底上的，工艺比较复杂，较难控制，同时ITO中的铟(In)属于稀土金属，而锡(Sn)带有毒性，给未来的应用带来不良的后果；另一方面，目前底发射器件由于折射率的不一致(ΙΤ0折射率为I. 8，玻璃为I. 5)，光在到达空气的过程中，存在一定的全反射，使光反射回有机层内，造成出光损失，使得OLED出光效率都不高。为解决上述问题，顶发射OLED也是目前研究的重点。顶发射OLED —般使用折射率匹配层来提高光的取出(介质匹配层是通过调整金属的吸收率和反射率来使器件的发光增益效应变大，最终使器件效率提高，为了达到这种目的，所用到的折射率匹配层的折射率越大越好，一般采用折射率2. O以上的材料)；但是顶发射主要是使光谱窄化，是针对于某一波长的发光效率进行改善，不利于白光OLED(白光OLED为多波段的发光，不适宜单独提高某一波段的发光)。
发明内容
本发明的目的在于提供一种可以多波段发光的倒置型有机电致发光器件。—种倒置型有机电致发光器件，包括依次叠层的基底、折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。上述倒置型有机电致发光器件中，各功能层的材料如下所述折射层的材料为N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺、富勒烯的衍生物、三氧化钥或8-羟基喹啉铝；所述电子注入层的材料为Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2或者NaF ；所述电子传输层的材料与空穴阻挡层的材料采用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、I，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑；所述发光层的材料为9，10-二-β-亚萘基蒽、8-羟基喹啉铝、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种；所述空穴传输层的材料和电子阻挡层的材料为1，I- 二 [4_[N，N' - 二(P-甲苯基)氛基]苯基]环己烧、N, N’ - 二(3_甲基苯基)-N, N’ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺、4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(I-萘基)-N，N’- 二苯基_4，4’-联苯二胺；所述空穴注入层的材料为三氧化钥、三氧化钨、五氧化二钒或酞菁铜；所述阴极层的材料为银、铝、钼、钙或金；所述阳极层的材料为银、铝、钼或金；所述基底为玻璃。本发明的另一目的在于提供上述倒置型有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤SI、清洗、干燥基底；S2、在所述基底上依次层叠蒸镀折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层； 上述工艺步骤完后，制得所述倒置型有机电致发光器件。本发明提供的倒置型有机电致发光器件，将顶发射的介质匹配层(即折射层)引入到底发射中，提高底发射的出光增益效应，发光效率得到明显加强，且可以满足各种颜色的发光；同时，用金属作为阳极和阴极，用蒸镀方法制备，简化了制作工序。
图I为本发明倒置型有机电致发光器件的结构示意图；图2为本发明倒置型有机电致发光器件的制备工艺流程图；图3为实施例I的倒置型有机电致发光器件与对比例倒置型有机电致发光器件的流明效率与亮度关系图。
具体实施例方式本发明提供的一种倒置型有机电致发光器件，如图I所示，包括依次叠层的基底
11、折射层12、阴极层13、电子注入层14、电子传输层15、空穴阻挡层16、发光层17、电子阻挡层18、空穴传输层19、空穴注入层20及阳极层21。上述倒置型有机电致发光器件中，各功能层的材料如下所述折射层12的材料为N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基_4，4’ -联苯二胺(TH))、富勒烯的衍生物(如，含60个碳原子的富勒烯衍生物(C6tl)、含70个碳原子的富勒烯衍生物(C7tl))、三氧化钥(MoO3)或8-羟基喹啉铝(Alq3);所述折射层12又称为折射率匹配层，其厚度为10-80nm，优选厚度60nm;折射率匹配层按照理论计算，是越大越好，最佳值折射率在4. O以上，才能和有机层的折射率最好的匹配，而基于目前没有如此高折射率的材料；因此，尽可能的选择折射率大且易于蒸镀成膜以及吸光系数较低的材料；添加折射率匹配层可以实现对发光的共振波长和出射光谱的调谐，以及调整金属的吸收率和反射率，从而提高了顶部对光线的透过率；所述阴极层13的材料为(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)、钙(Ca)或金(Au);所述阴极层13的厚度为IO-IOOnm ；所述电子注入层14的材料为Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2, MgF2或者NaF ;所述电子注入层14的厚度为O. 5-5nm ；所述电子注入层14的材料也可采用Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2, MgF2或者NaF掺杂电子传输层的材料(如，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi))组成的掺杂混合材料(其中，电子注入材料为掺杂材料)，掺杂材料的掺杂质量百分比为20-60%，优选掺杂质量百分比为20% ;所述电子注入层14采用掺杂混合材料时，优选Bphen = CsN3,此时所述电子注入层的厚度为20_60nm,厚度为40nm ；所述电子传输层15的材料与空穴阻挡层16的材料采用2-(4-联苯基)-5_ (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)、8_羟基喹啉铝(Alq3)、、4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi);其中，电子传输层的材料优选为Bphen，所述空穴阻挡层的材料优选TPBi ;电子传输层的厚度为40_80nm，优选厚度为60nm ;空穴阻挡层的厚度为Ι-lOnm，优选厚度为5nm ；所述发光层17的材料为9，10- 二 - β -亚萘基蒽(AND)、8_羟基喹啉铝(Alq3)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱(Ir (MDQ)2 (acac))或三(2-苯基卩比唳)合铱(Ir(ppy)3)中的至少一种掺杂混合；所述电子阻挡层18的材料和空穴传输层19的材料为1，1_ 二 [4_[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、N，N’_二(3-甲基苯基)-N，N’_二苯基-4，4’_联苯二胺(TPD)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N，N’-(1-萘基)-N，N’_ 二苯基_4，4’ -联苯二胺(NPB);其中，电子阻挡层的材料优选为TAPC，空穴传输层的材料优选为NPB ;电子阻挡层的厚度为Ι-lOnm，优选厚度为5nm ;空穴传输层的厚度为20_80nm，优选厚度为40nm ；所述空穴注入层20的材料采用三氧化钥(MoO3)、三氧化钨(WO3)、五氧化二钒(V2O5)或酞菁铜(CuPc);所述空穴注入层20的材料优选为MoO3 ;所述空穴注入层20的厚度为20-80nm，优选厚度为40nm ；所述阳极层21的材料为银(Ag)、铝(Al)、钼(Pt)或金(Au);所述阴极层的厚度为 80_250nm ；所述基底11为玻璃。所述倒置型有机电致发光器件中，所述发光层17的材料为也可以是上述所列发光层的材料与空穴传输层的材料或者电子传输层的材料中的一种或两种进行混合掺杂制得的掺杂混合材料(其中，掺杂混合材料中，发光层的材料为掺杂材料)，掺杂混合材料掺杂比例为1% _20%，厚度为2-50nm ;发光层选用掺杂混合材料时，优选为TCTA掺杂Ir (MDQ) 2 (acac)、FIrpic 和 Ir (ppy) 3，且 Ir (MDQ) 2 (acac)、FIrpic 和 Ir (ppy) 3 掺杂比例分别为5%，8%和7%，此时的发光层厚度优选为15nm。
上述倒置型有机电致发光器件的制备方法，如图2所示，包括如下步骤SI、将基底依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除阳极基底表面的有机污染物，干燥基底，备用；S2、采用蒸镀工艺，在所述基底上依次层叠蒸镀折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；上述工艺步骤完后，制得所述倒置型有机电致发光器件。本发明提供的倒置型有机电致发光器件，将顶发射的介质匹配层(即折射层)引入到底发射中，提高底发射的出光增益效应，发光效率得到明显加强，且可以满足各种颜色的发光；同时，用金属作为阳极和阴极，用蒸镀方法制备，简化了制作工序。下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。实施例I本实施例的倒置型有机电致发光器件的结构为玻璃/TFO/Ag/Bphen: CsN3/Bphen/TPBi/(TCTA: Ir (MDQ) 2 (acac) :FIrpic: Ir (ppy) 3) /TAPC/NPB/Mo03/Ag。该倒置型有机电致发光器件的制备工艺如下I、先将玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物；2、采用蒸镀工艺，在玻璃表面依次层叠蒸镀材料分别为TDP、Ag、Bphen:CsN3>Bphen、TPBi、、TAPC、NPB、Mo03、Ag的折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层的厚度分别为60nm、50nm、40nm、60nm、5nm、15nm、5nm、40nm、40nm、200nm ;其中，发光层材料中，TCTA 为主体材料，Ir (MDQ) 2 (acac)、Firpic 及 Ir (ppy) 3 为掺杂材料，且 Ir (MDQ) 2 (acac)、Firpic 及Ir(ppy)3的掺杂质量百分比分别为上述制备工艺完善后，得到所需要的倒置型有机电致发光器件。实施例2本实施例的倒置型有机电致发光器件的结构为玻璃/Alq3/Ag/Cs2C03/PBD/Alq3/TBP/TPD/TAPC/W03/Al。该倒置型有机电致发光器件的制备工艺如下I、先将玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物；2、采用蒸镀工艺，在玻璃表面依次层叠蒸镀材料分别为Alq3、Ag、Cs2CO3、PBD、Alq3、TBP, TPD、TAPC、W03、Al的折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层的厚度分别为15nm、100nm、0. 5nm、80nm、lnm、50nm、lnm、20nm、80nm、250nm ；上述制备工艺完善后，得到所需要的倒置型有机电致发光器件。实施例3本实施例的倒置型有机电致发光器件的结构为
6
玻璃/Alq3/Pt/CsN3/Alq3/TAZ/AND/TAPC/NPB/V205/Pt。该倒置型有机电致发光器件的制备工艺如下I、先将玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物；2、采用蒸镀工艺，在玻璃表面依次层叠蒸镀材料分别为Alq3、Pt、CsN3、Alq3、TAZ,AND、TAPC、NPB、V2O5, Pt的折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层的厚度分别为20nm、10nm、5nm、40nm、10nm、20nm、10nm、20nm、20nm、80nm ；上述制备工艺完善后，得到所需要的倒置型有机电致发光器件。实施例4本实施例的倒置型有机电致发光器件的结构为玻璃/Mo03/Al/LiF/Bphen/TAZ/Ir (MDQ) 2 (acac) : TCTA/NPB/TPD/TO3/Au。该倒置型有机电致发光器件的制备工艺如下I、先将玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物； 2、采用蒸镀工艺，在玻璃表面依次层叠蒸镀材料分别为Mo03、Al、LiF、Bphen、TAZ、Ir (MDQ)2(acac) :TCTA(其中，Ir (MDQ)2 (acac)为掺杂材料，掺杂质量百分比为2% )、NPB、TPD、W03、Au的折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层的厚度分别为10nm、60nm、2. 5nm、50nm、8nm、5nm、7nm、40nm、60nm、120nm ；上述制备工艺完善后，得到所需要的倒置型有机电致发光器件。实施例5玻璃/C6tl 富勒烯衍生物 /Au/CsF/TPQ/TPBi/FIrpic: TPBi/TCTA/TAPC/Mo03/Au。该倒置型有机电致发光器件的制备工艺如下I、先将玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物；2、采用蒸镀工艺，在玻璃表面依次层叠蒸镀材料分别为C6tl富勒烯衍生物、Au、CsF、TPQ、TPBi、FIrpic: TPBi (其中，FIrpic为掺杂材料，掺杂质量百分比为20% )、TCTA、TAPC、Mo03、Au的折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层的厚度分别为80nm、80nm、lnm、70nm、2nm、20nm、10nm、50nm、70nm、150nm ；上述制备工艺完善后，得到所需要的倒置型有机电致发光器件。实施例6玻璃/C7tl 富勒烯衍生物 /Al/CaF2/Alq3/PBD/Ir (ppy) 3:PBD/TAPC/TAPC/Mo03/Ag。该倒置型有机电致发光器件的制备工艺如下I、先将玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物；2、采用蒸镀工艺，在玻璃表面依次层叠蒸镀材料分别为C7tl富勒烯衍生物、Al、CaF2、Alq3、PBD、Ir (ppy) 3: PBD (其中，Ir (ppy) 3 为掺杂材料，掺杂质量百分比为 12 %)、TAPC、TAPC、Mo03、Ag的折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层的厚度分别30nm、20nm、3nm、50nm、7nm、8nm、2nm、70nm、30nm、IOOnm ；上述制备工艺完善后，得到所需要的倒置型有机电致发光器件。实施例7玻璃/Mo03/Au/MgF2/TAZ/Alq3/Ir (MDQ) 2 (acac) : TAPC/TAPC/NPB/TO3/Pt。该倒置型有机电致发光器件的制备工艺如下I、先将玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物；2、采用蒸镀工艺，在玻璃表面依次层叠蒸镀材料分别为Mo03、Au、MgF2, TAZ、Alq3、Ir (MDQ)2 (acac) :TAPC(其中，Ir (MDQ)2 (acac)为掺杂材料，掺杂质量百分比为5% )、TAPC、NPB、W03、Pt的折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层的厚度分别40nm、90nm、4nm、50nm、7nm、5nm、3nm、25nm、45nm、180nm ；上述制备工艺完善后，得到所需要的倒置型有机电致发光器件。实施例8玻璃/Alq3/Ca/NaF/Bphen/Alq3/AND/NPB/NPB/TO3/Pt。该倒置型有机电致发光器件的制备工艺如下I、先将玻璃依次用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙醇各超声清洗15min，去除玻璃表面的有机污染物；2、采用蒸镀工艺，在玻璃表面依次层叠蒸镀材料分别为Alq3、Ca、NaF、Bphen、Alq3、AND、NPB、NPB、W03、Pt的折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层的厚度分别25nm、30nm、
I.5nm、45nm、3nm、50nm、lnm、25nm、45nm、150nm ；上述制备工艺完善后，得到所需要的倒置型有机电致发光器件。图3为实施例I的倒置型有机电致发光器件(结构为玻璃/Tro/Ag/Bphen = CsN3/Bphen/TPBi/(TCTA: Ir (MDQ)2 (acac) :FIrpic: Ir (ppy) 3) /TAPC/NPB/Mo03/Ag)与对比例正置型有机电致发光器件(结构为IT0/Mo03/NPB/TAPC/(TCTA:Ir(MDQ)2(acac) :FIrpic: Ir (ppy)3)/TPBi/Bphen/Bphen:CsN3Ag)的流明效率与亮度关系图；其中，曲线I表示实施例I制得倒置型有机电致发光器件的流明效率与亮度曲线，曲线2表示对比例的倒置型有机电致发光器件的流明效率与亮度曲线。上述电流密度与电压的测试，采用高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强< I X 10_3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司，型号PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学,型号ST-86LA)。从图3中可以看到，实施例I制得的倒置型有机电致发光器件的最大流明效率为
12.71m/W，而对比例的倒置型有机电致发光器件的最大流明效率仅为8. 71m/W ;因此，当采用本发明的倒置底发射结构的有机电致发光器件，并增加折射率匹配层之后，可以提高该有机电致发光器件的光取出率，使更多的光得以出射，最终提高了该有机电致发光器件的流明效率，即提高了该有机电致发光器件的发光效率。应当理解的是，上述针对本发明较佳实施例的表述较为详细，并不能因此而认为是对本发明专利保护范围的限制，本发明的专利保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种倒置型有机电致发光器件，其特征在于，该倒置型有机电致发光器件包括依次叠层的基底、折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。
2.根据权利要求I所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述折射层的材料为N，N’ - 二(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺、富勒烯的衍生物、三氧化钥或8-羟基喹啉铝。
3.根据权利要求I所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料为 Cs2C03、CsN3、LiF、CsF、CaF2、MgF2 或者 NaF。
4.根据权利要求I所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料与空穴阻挡层的材料采用2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羟基喹啉铝、4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、I，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。
5.根据权利要求I所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为9，10- 二 - β -亚萘基蒽、8-羟基喹啉铝、双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合铱、三(2-苯基吡啶)合铱中的至少一种。
6.根据权利要求I所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料和电子阻挡层的材料为1，1-二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、N，N’- 二(3-甲基苯基)-N，N’- 二苯基-4，4’-联苯二胺、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’ - (I-萘基)-N，N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺。
7.根据权利要求I所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为三氧化钥、三氧化钨、五氧化二钒或酞菁铜。
8.根据权利要求I至7任一所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层的材料为银、铝、钼、钙或金；所述阳极层的材料为银、铝、钼或金。
9.根据权利要求8所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述基底为玻璃。
10.一种倒置型有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤51、清洗、干燥基底；52、在所述基底表面依次层叠蒸镀折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层；上述工艺步骤完后，制得所述倒置型有机电致发光器件。
全文摘要
本发明属于电致发光器件领域，其公开了一种倒置型有机电致发光器件及其制备方法；该倒置型有机电致发光器件包括依次叠层的基底、折射层、阴极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、发光层、电子阻挡层、空穴传输层、空穴注入层及阳极层。本发明提供的倒置型有机电致发光器件，将顶发射的介质匹配层(即折射层)引入到底发射中，提高底发射的出光增益效应，发光效率得到明显加强，且可以满足各种颜色的发光；同时，用金属作为阳极和阴极，用蒸镀方法制备，简化了制作工序。
文档编号H01L51/52GK102916135SQ20111022444
公开日2013年2月6日 申请日期2011年8月5日 优先权日2011年8月5日
发明者周明杰, 王平, 黄辉, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司