有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电基底、发光层、阴极、阻挡层及封装盖，阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜，所述氧化物膜的材料为ReO3、MoO3、WO3或V2O5，所述掺杂有机膜的材料包括有机材料及掺杂在所述有机材料中的无机材料，所述掺杂有机膜中所述无机材料的质量百分含量为20%~40%，所述有机材料为TiPc、CuPc、VPc、FePc、CoPc或ZnPc，所述无机材料为ReO3、MoO3、WO3或V2O5；封装盖将发光层、阴极及阻挡层封装于导电基底上，封装盖为铝箔。上述有机电致发光器件的寿命较长。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【专利说明】有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】[0002]有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层,发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光福射。
[0003]有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后，会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效，从而所述有机电致发光器件的寿命较短。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。
[0005]一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电基底、发光层、阴极、阻挡层及封装盖，所述阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜，所述氧化物膜的材料为Re03、Mo03、WO3或V2O5,所述掺杂有机膜的材料包括有机材料及掺杂在所述有机材料中的无机材料，所述掺杂有机膜中所述无机材料的质量百分含量为20%~40%，所述有机材料为TiPc、CuPc,VPc、FePc, CoPc或ZnPc，所述无机材料为Re03、MoO3> WO3或V2O5 ;封装盖将发光层、阴极及阻挡层封装于导电基底上，封装盖为铝箔。
[0006]在其中一个实施例中，所述氧化物膜的厚度为100nnT200nm，所述掺杂有机膜的厚度为 IOOnm~200nm。
[0007]在其中一个实施例中，所述阻挡层为3个飞个，多个所述阻挡层依次层叠。
[0008]在其中一个实施例中，所述封装盖与所述导电基底配合形成有收容腔，所述发光层、阴极及阻挡层均收容于所述收容腔。
[0009]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0010]在导电基底上形成发光层；
[0011]在所述发光层上形成阴极；
[0012]在所述阴极上形成阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜，所述氧化物膜的材料为Re03、Mo03、W03或V2O5，所述掺杂有机膜的材料包括有机材料及掺杂在所述有机材料中的无机材料，所述有机材料为TiPc、CuPc, VPc、FePc, CoPc或ZnPc，所述无机材料为ReO3、MoO3、WO3或V2O5 ；
[0013]及
[0014]使用封装盖将所述发光层、阴极及阻挡层封装于所述导电基底上，所述封装盖为铝箔。
[0015]在其中一个实施例中，通过涂布封装胶使所述封装盖与所述导电基底密封连接以将所述发光层、阴极及阻挡层封装于所述导电基底上。
[0016]在其中一个实施例中，所述阻挡层为3个~5个，多个所述阻挡层依次层叠。[0017]在其中一个实施例中，所述氧化物膜的厚度为100nnT200nm，所述掺杂有机膜的厚度为 IOOnm~200nm。
[0018]在其中一个实施例中，蒸镀所述阻挡层时，真空度为8X10_5Pa~3X10_5Pa，蒸发速度为0.1A s~2A/s。
[0019]上述有机电致发光器件及其制备方法，采用蒸镀的方法制备阻挡层，避免阴极受破坏；阻挡层的氧化物膜与掺杂有机膜层叠可以提高致密性，二者配合可以有效的阻挡水氧的腐蚀；在掺杂有机膜中掺杂无机氧化物可以提高掺杂有机膜的阻挡效果；封装盖可有效的提高防水氧能力，从而有机电致发光器件的寿命较长。
【专利附图】
【附图说明】
[0020]图1为一实施例的有机电致发光器件的结构示意图；[0021]图2为一实施例的有机电致发光的制备方法的流程图。
【具体实施方式】
[0022]下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
[0023]请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的具有阳极图案的导电基底10、功能层20、阴极30、阻挡层40及封装盖50。
[0024]导电基底10为玻璃导电基底或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。导电基底10上具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nnTl50nm。
[0025]功能层20形成于基底10表面。功能层20包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。可以理解，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以省略，此时功能层20仅包括发光层。
[0026]本实施方式中，空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基-1，1‘ -联苯-4-4' -二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(Mo03)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。
[0027]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。
[0028]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(IHppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。
[0029]电子传输层的材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为IOnm0
[0030]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3)。CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。
[0031]需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料。
[0032]阴极30形成于功能层20表面。阴极30为单层结构。阴极的厚度为lOOnm。阴极30的材料为铝(Al)、银(Ag)或金(Au)。
[0033]阻挡层40形成于阴极30表面。阻挡层40包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜。
[0034]氧化物膜的材料为三氧化铼(ReO3)、三氧化钥(MoO3)、三氧化鹤(WO3)或五氧化二IJi(V2O5)0氧化物膜的厚度为100nnT200nm。
[0035]掺杂有机膜的材料包括有机材料及掺杂在有机材料中的无机材料。掺杂有机膜中无机材料的质量百分含量为20%~40%。有机材料为酞菁钛(TiPc)、钛菁铜(CuPc)、酞菁钒(VPc )、酞菁亚铁(FePc )、酞菁钴(CoPc )或酞菁锌(ZnPc ),无机材料为Re03、Mo03、WO3或V2O5。掺杂有机膜的厚度为100nnT200nm。
[0036]本实施方式中，阻挡层40为3个飞个。多个阻挡层40依次层叠。
[0037]封装盖50盖设于阻挡层40。封装盖50的材料为铝箔。本实施方式中，封装盖50的厚度为100 μ m。封装盖50形成有收容腔。收容腔为自封装盖50的表面凹陷的凹槽。封装盖50盖设于阻挡层40表面且将功能层20、阴极30及阻挡层40收容于收容腔，封装盖50的边缘通过封装胶(图未示)与导电基底10密封连接，从而封装盖50将功能层20、阴极30及阻挡层40封装在导电基底10上。
[0038]上述有机电致发光器件100中，阻挡层40的氧化物膜与掺杂有机膜层叠从而致密性高，二者配合可以有效的阻挡水氧的腐蚀；在掺杂有机膜中掺杂无机氧化物可以提高掺杂有机膜的阻挡效果；封装盖50可有效的提高防水氧能力，从而有机电致发光器件100的寿命较长。
[0039]可以理解，封装盖50的收容腔可以省略，此时直接使封装盖50包覆功能层20、阴极30及阻挡层40或在导电基底10上设置收容腔即可。
[0040]请同时参阅图2， 一实施方式的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤:
[0041]步骤S110、在导电基底10上形成功能层20。
[0042]功能层20包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
[0043]导电基底10可以为玻璃导电基底或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。导电基底10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为100nnTl50nm。
[0044]导电基底10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加导电基底10表面的含氧量以提高导电基底10表面的功函数。具体为，将导电基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
[0045]本实施方式中，空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，广-联苯-4-4' -二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(Mo03)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3X 10_5Pa，蒸发速度为0.1 A/s。
[0046]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为0.1A/S。
[0047]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3父10-中&，蒸发速度为0.2人/8。
[0048]电子传输层的材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_午&，蒸发速度为0.丨人/5。
[0049]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3), CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3父10-午&，蒸发速度为0.2A/5。
[0050]需要说明的是，空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层也可以根据需要采用其他材料。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层可以省略，此时功能层20仅包括发光层。
[0051]步骤S120、在功能层20表面形成阴极30。
[0052]阴极30可以为单层结构。阴极30的厚度为lOOnm。阴极30的材料为铝(Al)、银(Ag)或金(Au)，阴极30由真空蒸镀形成，真空度为5X 10_5Pa，蒸发速度为5A/S。
[0053]步骤S130、在阴极30表面形成蒸镀形成阻挡层40。
[0054]阻挡层40包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜。
[0055]氧化物膜的材料为Re03、Mo03、W03或V205。蒸镀氧化物膜时，真空度为8 X 10_5Pa~3父10-^，蒸发速度为0.11/8 ~ 2A/S。氧化物膜的厚度为100nnT200nm。
[0056]掺杂有机膜的材料包括有机材料及掺杂在有机材料中的无机材料。掺杂有机膜中无机材料的质量百分含量为20%~40%。有机材料为酞菁钛(TiPc)、钛菁铜(CuPc)、酞菁钒(VPc )、酞菁亚铁(FePc )、酞菁钴(CoPc )或酞菁锌(ZnPc ),无机材料为Re03、Mo03、WO3或V2O5。蒸镀掺杂有机膜时，真空度为8X 10_5Pa~3X 10_5Pa，蒸发速度为0.lA/s ~ 2A/S。掺杂有机膜的厚度为100nnT200nm。
[0057]本实施方式中，阻挡层40为3个飞个。多个阻挡层40依次层叠。
[0058]步骤S140、使用封装盖将功能层20、阴极30及阻挡层40封装于导电基底10上。
[0059]封装盖50的材料为铝箔。本实施方式中，封装盖50的厚度100 μ m。封装盖50形成有收容腔。收容腔为自封装盖50的表面凹陷的凹槽。封装盖50盖设于阻挡层40表面且将功能层20、阴极30及阻挡层40收容于收容腔。
[0060]封装盖50的边缘抵持导电基底10，在封装盖50的边缘涂布封装胶使封装盖50与导电基底10密封连接，从而封装盖50将功能层20、阴极30、阻挡层40封装在导电基底10上。本实施方式中，封装胶为环氧树脂封装胶，封装胶的厚度为15μπι~20μπι，用UV光(λ =365nm)进行固化，光强为l(Tl5mW/cm2，曝光时间为300~400s。
[0061]上述有机电致发光器件的制备方法，制备工艺简单，容易大批量制备；采用蒸镀的方法制备阻挡层40，避免阴极受破坏；阻挡层40的氧化物膜与掺杂有机膜层叠从而致密性高，二者配合可以有效的阻挡水氧的腐蚀；在掺杂有机膜中掺杂无机氧化物可以提高掺杂有机膜的阻挡效果；封装盖50采用PET镀铝膜可有效的提高防水氧能力，从而有机电致发光器件100的寿命较长。
[0062]以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件制备方法进行详细说明。
[0063]实施例1
[0064]本实施例制备结构为:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (ReO3AiPc:ReO3) J封装盖的有机电致发光器件。 [0065]上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0066]1、在导电基底上形成功能层。
[0067]导电基底10为玻璃导电基底。导电基底10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为lOOnm。
[0068]导电基底10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加导电基底10表面的含氧量以提高导电基底10表面的功函数。具体为，将导电基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
[0069]空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-联苯-4-4' -二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为0.1 A/s,
[0070]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3\10_中&，蒸发速度为0.1力3。
[0071]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_午&，蒸发速度为0.2人/3。
[0072]电子传输层的材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为IOnm0电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_%，蒸发速度为0丄4/5。
[0073]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3), CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3父10-^，蒸发速度为0.2人/8。
[0074]2、在功能层表面形成阴极。
[0075]阴极的材料为铝。阴极的厚度为lOOnm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5父10-^，蒸发速度为5人/3。
[0076]3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
[0077]阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜。
[0078]氧化物膜的材料为Re03。真空蒸镀氧化物膜时，真空度为5 X 10_5Pa，蒸发速度为2A/S。氧化物膜的厚度为200nm。
[0079]掺杂有机膜的材料包括TiPc及掺杂在TiPc中的ReO3。掺杂有机膜中ReO3的质量百分含量为20%。蒸镀掺杂有机膜时，真空度为3\10_午&，蒸发速度为21/8。掺杂有机膜的厚度为lOOnm。
[0080]阻挡层为3个。3个阻挡层依次层叠。
[0081]4、使用封装盖将功能层、阴极及阻挡层封装于导电基底上。
[0082]在铝箔(厚度为IOOym)的边缘涂布环氧树脂封装胶(厚度15μπι)，用UV光(λ =365nm)进行固化，光强10mW/cm2,曝光时间400s。[0083]实施例2
[0084]本实施例制备结构为:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (Mo03/CuPc:Mo03) J封装盖的有机电致发光器件。
[0085]上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0086]1、在导电基底上形成功能层。
[0087]导电基底10为玻璃导电基底。导电基底10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为lOOnm。
[0088]导电基底10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加导电基底10表面的含氧量以提高导电基底10表面的功函数。具体为，将导电基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
[0089]空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-联苯-4-4' - 二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(Mo03)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为0‘lA/s。
[0090]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3\10_中&，蒸发速度为0.11^。
[0091]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为0.2人/S。
[0092]电子传输层的材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_午&，蒸发速度为0.丨人/5。
[0093]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3), CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3父10-午&，蒸发速度为0.2人/5。
[0094]2、在功能层表面形成阴极。
[0095]阴极的材料为招。阴极的厚度为lOOnm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5父10-^，蒸发速度为5人/3。
[0096]3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
[0097]阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜。
[0098]氧化物膜的材料为Mo03。真空蒸镀氧化物膜时，真空度为5 X 10_5Pa，蒸发速度为0.lA/s。氧化物膜的厚度为lOOnm。
[0099]掺杂有机膜的材料包括CuPc及掺杂在TiPc中的MoO3。掺杂有机膜中MoO3的质量百分含量为40%。蒸镀掺杂有机膜时，真空度为3父10々&，蒸发速度为0.1人/8。掺杂有机膜的厚度为200nm。
[0100]阻挡层为3个。3个阻挡层依次层叠。
[0101]4、使用封装盖将功能层、阴极及阻挡层封装于导电基底上。[0102]在铝箔(厚度为ΙΟΟμπι)的边缘涂布环氧树脂封装胶(厚度15μπι)，用UV光(λ =365nm)进行固化，光强10mW/cm2,曝光时间400s。
[0103]实施例3
[0104]本实施例制备结构为:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (WO3APciffO3) 4/封装盖的有机电致发光器件。
[0105]上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0106]1、在导电基底上形成功能层。
[0107]导电基底10为玻璃导电基底。导电基底10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为lOOnm。
[0108]导电基底10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加导电基底10表面的含氧量以提高导电基底10表面的功函数。具体为，将导电基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
[0109]空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-联苯-4-4' -二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为
Ο.ΙΛΛ。
[0110]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3\10_中&，蒸发速度为0.11^。
[0111]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3 X 10_5Pa，蒸发速度为0.2A/S。
[0112]电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成,真空度为3X l(T5Pa,蒸发速度为0.1 A/s。
[0113]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3), CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3父10-午&，蒸发速度为0.2人/3。
[0114]2、在功能层表面形成阴极。
[0115]阴极的材料为铝。阴极的厚度为lOOnm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5父10-^，蒸发速度为5人/8。
[0116]3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
[0117]阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜。
[0118]氧化物膜的材料为W03。真空蒸镀氧化物膜时，真空度为5X10_5Pa，蒸发速度为!A S氧化物膜的厚度为150nm。
[0119]掺杂有机膜的材料包括VPc及掺杂在VPc中的W03。掺杂有机膜中WO3的质量百分含量为30%。蒸镀掺杂有机膜时，真空度为3 X 10_5Pa，蒸发速度为丨A/S。掺杂有机膜的厚度为150nm。[0120]阻挡层为4个。4个阻挡层依次层叠。
[0121]4、使用封装盖将功能层、阴极及阻挡层封装于导电基底上。
[0122]在铝箔(厚度为IOOym)的边缘涂布环氧树脂封装胶(厚度15μπι)，用UV光(λ =365nm)进行固化，光强10mW/cm2,曝光时间400s。
[0123]实施例4
[0124]本实施例制备结构为:ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (V205/FePc:V205) 5/封装盖的有机电致发光器件。 [0125]上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0126]1、在导电基底上形成功能层。
[0127]导电基底10为玻璃导电基底。导电基底10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为lOOnm。
[0128]导电基底10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加导电基底10表面的含氧量以提高导电基底10表面的功函数。具体为，将导电基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
[0129]空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-联苯-4-4' -二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为
0.1 A/s。
[0130]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3\10_中&，蒸发速度为0.11/3。
[0131]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_午&，蒸发速度为0.2人/^
[0132]电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成,真空度为3父10_5?3,蒸发速度为0.丨人/5。
[0133]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3), CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3 X 10_5Pa，蒸发速度为0.2A/S。
[0134]2、在功能层表面形成阴极。
[0135]阴极的材料为铝。阴极的厚度为lOOnm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5父10-%，蒸发速度为5人/3。
[0136]3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
[0137]阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜。
[0138]氧化物膜的材料为V205。真空蒸镀氧化物膜时，真空度为5X10_5Pa，蒸发速度为0.5A/S。氧化物膜的厚度为170nm。
[0139]掺杂有机膜的材料包括TiPc及掺杂在TiPc中的V2O5。掺杂有机膜中V2O5的质量百分含量为20%。蒸镀掺杂有机膜时，真空度为3X 10_5Pa，蒸发速度为0.5A/S,,掺杂有机膜的厚度为200nm。
[0140]阻挡层为5个。5个阻挡层依次层叠。
[0141]4、使用封装盖将功能层、阴极及阻挡层封装于导电基底上。
[0142]在铝箔(厚度为IOOym)的边缘涂布环氧树脂封装胶(厚度15μπι)，用UV光(λ =365nm)进行固化，光强10mW/cm2,曝光时间400s。
[0143]实施例5
[0144]本实施例制备结构为:ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (Re03/CoPc:Mo03) ?J封装盖的有机电致发光器件。
[0145]上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0146]1、在导电基底上形成功能层。
[0147]导电基底10为玻璃导电基底。导电基底10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为lOOnm。
[0148]导电基底10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加导电基底10表面的含氧量以提高导电基底10表面的功函数。具体为，将导电基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
[0149]空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-联苯-4-4' -二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为
0.1 A/s。
[0150]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_午&，蒸发速度为0.1人/8。
[0151]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_午&，蒸发速度为0.2人/5。
[0152]电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为0.丨A/S。
[0153]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3), CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3 X 10?,蒸发速度为0.2A/S。
[0154]2、在功能层 表面形成阴极。
[0155]阴极的材料为铝。阴极的厚度为lOOnm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5父10_%，蒸发速度为5人/8。
[0156]3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
[0157]阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜。
[0158]氧化物膜的材料为Re03。真空蒸镀氧化物膜时，真空度为5 X 10_5Pa，蒸发速度为!A s氧化物膜的厚度为140nm。
[0159]掺杂有机膜的材料包括CoPc及掺杂在CoPc中的MoO3。掺杂有机膜中MoO3的质量百分含量为30%。蒸镀掺杂有机膜时，真空度为3X 10_5Pa，蒸发速度为:丨a/s。掺杂有机膜的厚度为150nm。
[0160]阻挡层为3个。3个阻挡层依次层叠。
[0161]4、使用封装盖将功能层、阴极及阻挡层封装于导电基底上。
[0162]在铝箔(厚度为IOOym)的边缘涂布环氧树脂封装胶(厚度15μπι)，用UV光(λ =365nm)进行固化，光强10mW/cm2,曝光时间400s。
[0163]实施例6
[0164]本实施例制备结构为:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (Mo03/ZnPc:V205) J封装盖的有机电致发光器件。
[0165]上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0166]1、在导电基底上形成功能层。
[0167]导电基底10为玻璃导电基底。导电基底10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为lOOnm。
[0168]导电基底10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加导电基底10表面的含氧量以提高导电基底10表面的功函数。具体为，将导电基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
[0169]空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-联苯-4-4' -二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为
0.1 A/s。
[0170]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3\10_午&，蒸发速度为0.1&3。
[0171]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3 X 10_5Pa，蒸发速度为0.2A/S,,
[0172]电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成,真空度为3父10_如1,蒸发速度为0.1^3。
[0173]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3), CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3 X 10?,蒸发速度为0.2A/S。
[0174]2、在功能层表面形成阴极。
[0175]阴极的材料为铝。阴极的厚度为lOOnm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5父10-%，蒸发速度为5人/3。
[0176]3、在阴极表面蒸镀阻挡层。[0177]阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜。
[0178]氧化物膜的材料为Mo03。真空蒸镀氧化物膜时，真空度为5 X 10_5Pa，蒸发速度为lA/s。氧化物膜的厚度为170nm。
[0179]掺杂有机膜的材料包括ZnPc及掺杂在ZnPc中的V2O5。掺杂有机膜中V2O5的质量百分含量为32%。蒸镀掺杂有机膜时，真空度为3乂10々&，蒸发速度为1人/8。掺杂有机膜的厚度为200nm。
[0180]阻挡层为3个。3个阻挡层依次层叠。
[0181]4、使用封装盖将功能层、阴极及阻挡层封装于导电基底上。
[0182]在铝箔(厚度为IOOym)的边缘涂布环氧树脂封装胶(厚度15μπι)，用UV光(λ =365nm)进行固化，光强10mW/cm2,曝光时间400s。
[0183]对比例I
[0184]本实施例制备结构为:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (MoO3)3/封装盖的有机电致发光器件。
[0185]上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0186]1、在导电基底上形成功能层。
[0187]导电基底10为玻璃导电基底。导电基底10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为lOOnm。
[0188]导电基底10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加导电基底10表面的含氧量以提高导电基底10表面的功函数。具体为，将导电基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
[0189]空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基_1，1'-联苯-4-4' -二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为0.lA/s?
[0190]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3\10_午&，蒸发速度为0.丨人/5。
[0191]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_午&，蒸发速度为0.2人./^
[0192]电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_^，蒸发速度为0.1^8。
[0193]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3), CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3 X 10?,蒸发速度为0.2A/S。
[0194]2、在功能层表面形成阴极。
[0195]阴极的材料为 铝。阴极的厚度为lOOnm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5父10-%，蒸发速度为5人/8。
[0196]3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
[0197]阻挡层为氧化物膜。
[0198]氧化物膜的材料为Mo03。真空蒸镀氧化物膜时，真空度为5 X 10_5Pa，蒸发速度为lA/s。氧化物膜的厚度为170nm。
[0199]阻挡层为3个。3个阻挡层依次层叠。
[0200]4、使用封装盖将功能层、阴极及阻挡层封装于导电基底上。
[0201]在铝箔(厚度为IOOym)的边缘涂布环氧树脂封装胶(厚度15μπι)，用UV光(λ =365nm)进行固化，光强10mW/cm2,曝光时间400s。
[0202]对比例2
[0203]本实施例制备结构为:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/ (Mo03/ZnPc) J封装盖的有机电致发光器件。
[0204]上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0205]1、在导电基底上形成功能层。
[0206]导电基底10为玻璃导电基底。导电基底10具有制备有阳极图形的ITO层。ITO层的厚度为lOOnm。
[0207]导电基底10表面在形成功能层20之前先进行预处理以去除基底10表面的污染物，并进行表面活化增加导电基底10表面的含氧量以提高导电基底10表面的功函数。具体为，将导电基底10依次采用去丙酮、乙醇、离子水及乙醇各超声波清洗5min，之后用氮气吹干，烤箱烘干。
[0208]空穴注入层的材料包括N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基_1，1'-联苯-4-4' -二胺(NPB)及掺杂在NPB中的氧化钥(MoO3)。MoO3的质量百分含量为30%。空穴注入层的厚度为10nm。空穴注入层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为
0.1 A/s。
[0209]空穴传输层的材料为4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴传输层的厚度为30nm。空穴传输层由真空蒸镀形成，真空度为3X10_5Pa，蒸发速度为0.1A/S。
[0210]发光层的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料为1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料为三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)。客体材料的质量百分含量为5%。发光层的厚度为20nm。发光层由真空蒸镀形成，真空度为3父10-午&，蒸发速度为0.2人/5。
[0211]电子传输层的材料为4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)。电子传输层的厚度为10nm。电子传输层由真空蒸镀形成，真空度为3父10_^，蒸发速度为0.1人/8。
[0212]电子注入层的材料包括Bphen及掺杂在Bphen中的叠氮铯(CsN3), CsN3的质量百分含量为30%。电子注入层的厚度为20nm。电子注入层由真空蒸镀形成，真空度为3 X 10?,蒸发速度为0.2A/S。
[0213]2、在功能层表面形成阴极。
[0214]阴极的材料为铝。阴极的厚度为lOOnm。阴极由真空蒸镀形成，真空度为5父10-%，蒸发速度为5人/8。[0215]3、在阴极表面蒸镀阻挡层。
[0216]阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及有机膜。
[0217]氧化物膜的材料为Mo03。真空蒸镀氧化物膜时，真空度为5 X 10_5Pa，蒸发速度为lA/s。氧化物膜的厚度为170nm。
[0218]有机膜的材料为ZnPc。蒸镀有机膜时，真空度为3 X 10_5Pa，蒸发速度为lA/S。有机膜的厚度为200nm。
[0219]阻挡层为3个。3个阻挡层依次层叠。
[0220]4、使用封装盖将功能层、阴极及阻挡层封装于导电基底上。
[0221]在铝箔(厚度为IOOym)的边缘涂布环氧树脂封装胶(厚度15μπι)，用UV光(λ =365nm)进行固化，光强10mW/cm2,曝光时间400s。
[0222]本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司，压强〈IX 10-3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司，型号:2400)、色彩亮度计(柯尼卡美能达，型号:CS-100A)、IEI点胶机系统、DYMAX光固化系统。
[0223]请参阅表1，表1所示为实施例f实施例6及对比例f 2制备的有机电致发光器件的水气穿透率(Water Vapor Transmission Rate)的测试结果。从表1中可以看出实施例广实施例6制备的有机电致发光器件的水气穿透率均小于8.2X 10_5g/m2/day，远小于对比例制备的有机电致发光器件的水气穿透率(3.2XlOVmVday)防水效果较好，可以有效减少外部水气对有机电致发光器件的侵蚀，从而提高有机电致发光器件的寿命。
[0224]表1
[0225]
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电基底、发光层及阴极，其特征在于:所述有机电致发光器件还包括层叠于所述阴极上的阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜，所述氧化物膜的材料为Re03、Mo03、WO3或V2O5，所述掺杂有机膜的材料包括有机材料及掺杂在所述有机材料中的无机材料，所述掺杂有机膜中所述无机材料的质量百分含量为20%~40%，所述有机材料为TiPc、CuPc, VPc、FePc, CoPc或ZnPc，所述无机材料为 ReO3、MoO3、WO3 或 V2O5 ； 所述有机电致发光器件还包括封装盖，所述封装盖将所述发光层、阴极及阻挡层封装于所述导电基底上，所述封装盖为铝箔。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于:所述氧化物膜的厚度为100nnT200nm，所述掺杂有机膜的厚度为100nnT200nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于:所述阻挡层为3个飞个，多个所述阻挡层依次层叠。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于:所述封装盖与所述导电基底配合形成有收容腔，所述发光层、阴极及阻挡层均收容于所述收容腔。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 在导电基底上形成发光层； 在所述发光层上形成阴极； 在所述阴极上蒸镀形成阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的氧化物膜及掺杂有机膜，所述氧化物膜的材料为Re03、Mo03、W03或V2O5，所述掺杂有机膜的材料包括有机材料及掺杂在所述有机材料中的无机材料，所述有机材料为TiPc、CuPc, VPc、FePc, CoPc或ZnPc，所述无机材料为ReO3、MoO3、WO3或 V2O5 ;及 使用封装盖将所述发光层、阴极及阻挡层封装于所述导电基底上，所述封装盖为铝箔。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:通过涂布封装胶使所述封装盖与所述导电基底密封连接以将所述发光层、阴极及阻挡层封装于所述导电基底上。
7.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述阻挡层为3个~5个，多个所述阻挡层依次层叠。
8.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述氧化物膜的厚度为100nnT200nm，所述掺杂有机膜的厚度为100nnT200nm。
9.根据权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:蒸镀所述阻挡层时，真空度为8 X KT5Pa~3父10-^，蒸发速度为0.1人/3 ~ 2A/s?
【文档编号】H01L51/56GK103545455SQ201210247432
【公开日】2014年1月29日 申请日期:2012年7月17日 优先权日:2012年7月17日
【发明者】周明杰, 王平, 钟铁涛, 陈吉星 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司