一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明属于有机半导体材料领域，其公开了一种有机电致发光器件及其制备方法；该器件包括依次层叠的阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极层；电子传输层的材质为金属掺杂剂按照10~50%的质量比掺杂到电子传输基质材料中组成的掺杂混合材料。本发明提供的顶发射有机电子发光器件，其电子传输层中的金属掺杂剂能有效的使金属材料的电子转移到电子传输基质材料的LUMO能级中，从提高电子传输基质材料的导电性。使得电子传输基质材料与阴极之间形成欧姆接触，降低了电子的注入势垒，同时降低器件的启动电压，提高了器件的发光效率，且器件的驱动电流小，有利于器件寿命的提高。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机半导体材料领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光(Organic Light Emission Diode),以下简称0LED,具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003]有机电致发光二极管具有一种类似三明治的结构，其上下分别是阴极和阳极，二个电极之间夹着单层或多层不同材料种类和不同结构的有机材料功能层，依次为空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层，电子注入层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极一侧发出。
[0004]到目前为止，尽管全世界各国的科研人员通过选择合适的有机材料和合理的器件结构设计，已使器件性能的各项指标得到了很大的提升，但是目前由于驱动发光器件的电流较大，发光效率低，器件寿命低。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的问题之一在于提供一种启动电流小、光透过率高且寿命长的有机电致发光器件。
[0006]本发明的技术方案如下:
[0007]—种有机电致发光器件，包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极层；所述电子传输层的材质为金属掺杂剂按照10-50%的质量比掺杂到电子传输基质材料中组成的掺杂混合材料。该器件中，所述金属掺杂剂为金属衫、镱、锶或钙；所述电子传输基质材料为(8-羟基喹啉)_铝、4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, 1'-联苯-4-羟基)铝。
[0008]所述的有机电致发光器件，其中，所述衬底为玻璃；所述阳极层采用铟掺杂氧化锡。
[0009]所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴注入层的材质为酞菁铜、酞菁铜或4，4’，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。
[0010]所述的有机电致发光器件，其中，所述阴空穴传输层的材质为4，4’，4 "-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -联苯-4，4’ - 二胺)、N，N’_ 二苯基-N，N’_ 二 (3-甲基苯基)-1，I’-联苯-4，4’-二胺或 4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺。[0011]所述的有机电致发光器件，其中，所述发光层的材料为掺杂材料按照:3-8%的质量比掺杂到主体材料中组成的掺杂混合材料；所述主体材料为4，4’ - 二(9-咔唑)联苯、N, N’-二苯基-N，N，-二 (1-萘基)_1，1’-联苯-4，4’-二胺或 4’，4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺；所述掺杂材料为双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)或三(2-苯基吡啶)合铱。
[0012]所述的有机电致发光器件，其中，所述空穴阻挡层的材料选自4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, 1‘-联苯-4-羟基)铝。
[0013]所述阴极层采用金属银、铝、银镁合金或者镁铝合金。
[0014]上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
[0015]S1、清洗衬底；
[0016]S2、在磁控溅射系统中，在衬底表面溅射制备阳极层；
[0017]S3、在真空热镀膜系统中，利用热蒸镀工艺，在阳极层表面依次层叠蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层；
[0018]S4、把金属掺杂剂和电子传输基质材料分别至于真空热镀膜系统中的两个蒸发源中，同时进行蒸镀，在空穴阻挡层表面制得电子传输层，完毕后；继续在电子传输层表面蒸镀阴极层；其中，所述金属掺杂剂和电子传输基质材料的质量比为10-50% ；
[0019]上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
[0020]本发明提供的顶发射有机电子发光器件，其电子传输层的材料采用将金属掺杂剂掺杂到低LUMO能级的电子传输基质材料中组成的掺杂混合材料；由于金属掺杂剂的功函较低，与有机组份的电子传输基质材料的LUMO能级匹配，能够更加有效的使金属材料的电子转移到电子传输基质材料的LUMO能级中，从提高电子传输基质材料的导电性。使得电子传输基质材料与阴极之间形成欧姆接触，降低了电子的注入势垒，同时降低器件的启动电压，提高了器件的发光效率，且器件的驱动电流小，有利于器件寿命的提高。
【专利附图】
【附图说明】
[0021]图1为本发明的有机电致发光器件结构示意图；
[0022]图2为实施例1制得的有机电致发光器件和对比例I制得的有机电致发光器件的电流密度与电压曲线图。
【具体实施方式】
[0023]本发明提供的有机电致发光器件，如图1所示，包括依次层叠的衬底101、阳极层102、空穴注入层103、空穴传输层104、发光层105、空穴阻挡层106、电子传输层107以及阴极层108 ;即该有机电致发光器件的结构为:衬底101/阳极层102/空穴注入层103/空穴传输层104/发光层105/空穴阻挡层106/电子传输层107/阴极层108。在器件中，所述电子传输层107的材质为金属掺杂剂按照10~50%的质量比掺杂到电子传输基质材料中组成的掺杂混合材料；其中，金属掺杂剂采用功函数低于2.9eV的金属单质，如，衫Sm (2.7eV)、镱Yb (2.6eV)、锶Sr (2.6eV)或钙(2.8eV);电子传输基质材料采用LUMO能级低于或者等于2.7eV，优选采用(8-羟基喹啉)-铝(Alq3)、4，7_ 二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、I, 3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或双(2-甲基_8_羟基喹啉-NI, 08) - (1，I’-联苯-4-羟基)铝(BAlq)等材料；电子传输层的厚度为30_100nm。
[0024]上述有机电致发光器件中，其它各功能层的材料以及厚度如下:
[0025]衬底101采用普通的玻璃；
[0026]阳极层102的材质采用铟掺杂氧化锡(ΙΤ0)，厚度为IOOnm ;当然，阳极层101的材质也可以采用铟锌氧化物(ΙΖ0)、铝锌氧化物(AZO)或镓锌氧化物(GZO)；
[0027]空穴注入层103的材质可采用酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)或(4，4’，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)等材料；空穴注入层103的厚度为20~50nm ；
[0028]空穴传输层104的材质可采用4，4’，4 "-三(2_萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N, N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-联苯-4，4’ - 二胺(NPB)、N, N’ - 二苯基-N，N’_ 二(3-甲基苯基)-1，1-联苯 _4，4’-二胺(TPD)或 4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)等材料；空穴传输层104的厚度为2(T50nm ；
[0029]发光层105的材料为掺杂材料按照3~8%的质量比掺杂到主体材料中组成的掺杂混合材料；其中:
[0030]主体材料为4，4’ - 二(9-咔唑)联苯(CBP)、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I'-联苯-4，4’-二胺(NPB)或 4’，4”_ 三(咔唑 _9_ 基)-三苯胺(TCTA)；
[0031]掺杂材料为双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合铱(FIrPic)、二 (2_甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合铱(Hppy)3)；
[0032]发光层105的厚度为l(T30nm ；
[0033]空穴阻挡层106的材料选自4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、l，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI, 08)-(1, I’-联苯_4_羟基)铝(BAlq);空穴阻挡层106的厚度为5~20nm ；
[0034]阴极层108可采用金属银(Ag)、铝(Al)、银镁合金(Ag-Mg)或者镁铝合金(Al-Mg);阴极层108的厚度为7(T200nm。
[0035]上述有机电致发光器件的制作方法，包括以下步骤:
[0036]S1、清洗衬底，其流程为:依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0037]S2、在磁控溅射系统中，在衬底表面溅射制备阳极层；
[0038]优选地，阳极层制备后，还需要将阳极层置于等离子处理室中进行等离子处理，以提高阳极层的功函，降低空穴的注入势垒；
[0039]S3、在真空热镀膜系统中，利用热蒸镀工艺，在阳极层表面依次层叠蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层；
[0040]S4、把金属掺杂剂和电子传输基质材料分别至于真空热镀膜系统中的两个蒸发源中；然后通过调节加热速度与热量供给，同时进行蒸镀，在空穴阻挡层表面制得电子传输层，完毕后；继续在电子传输层表面蒸镀阴极层；其中，所述金属掺杂剂和电子传输基质材料的质量比为10~50% ；
[0041 ] 上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。[0042]本发明提供的顶发射有机电子发光器件，其电子传输层的材料采用将金属掺杂剂掺杂到低LUMO能级的电子传输基质材料中组成的掺杂混合材料；由于金属掺杂剂的功函较低，与有机组份的电子传输基质材料的LUMO能级匹配，能够更加有效的使金属材料的电子转移到电子传输基质材料的LUMO能级中，从提高电子传输基质材料的导电性。使得电子传输基质材料与阴极之间形成欧姆接触，降低了电子的注入势垒，同时降低器件的启动电压，提高了器件的发光效率，且器件的驱动电流小，有利于器件寿命的提高。
[0043]下面结合附图，对本发明的较佳实施例作进一步详细说明。
[0044]实施例1
[0045]本实施例的有机电致发光器件，其结构为:玻璃/ITO/CuPc/NPB/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /TPBi/Sm: TPBi/Ag
[0046]该有机电致发光器件的制作方法如下:
[0047]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0048]2、玻璃衬底清洗干净后，置入真空磁控溅射系统中，在玻璃表面制备一层厚度为lOOnm、材质为ITO的阳极层，此时ITO与玻璃结合在一起，简称ITO玻璃；随后，将ITO玻璃置于等离子处理室中，对ITO层进行等离子处理，以提高阳极层的功函，降低空穴的注入势鱼；
[0049]3、将氧等离子体处理后的ITO玻璃置于真空热镀膜系统中，在ITO层表面依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为CuPc，厚度为20nm)、空穴传输层(材料为NPB ;厚度为30nm)、发光层(材料为Ir (MDQ)2 (acac)作为掺杂材料掺杂到NPB主体材料中，表示为NPBIlr(MDQ)2 (acac)，Ir (MDQ) 2 (acac)的掺杂质量比为5% ;厚度为30nm)和空穴阻挡层(材料为TPBi ;厚度为IOnm)；
[0050]4、把金属掺杂剂(Sm)和电子传输基质材料(TPBi)分别至于真空热镀膜系统中的两个蒸发源中；然后通过调节加热速度与热量供给，同时进行蒸镀，使金属掺杂剂Sm与电子传输基质材料的蒸镀速度比为1:10，使Sm与TPBi的质量比数为10%，并在空穴阻挡层表面制得厚度为40nm的电子传输层,表不为Sm:TPBi,完毕后；继续在电子传输层表面蒸镀阴极层(材质为Ag，厚度为IOOnm)；
[0051 ] 上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
[0052]实施例2
[0053]本实施例的有机电致发光器件，其结构为:玻璃/ITO/ZnPc/TCTA/TCTA:1r (ppy)3/BAlq/Sr:Alq3/Al
[0054]该有机电致发光器件的制作方法如下:
[0055]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0056]2、玻璃衬底清洗干净后，置入真空磁控溅射系统中，在玻璃表面制备一层厚度为lOOnm、材质为ITO的阳极层，此时ITO与玻璃结合在一起，简称ITO玻璃；随后，将ITO玻璃置于等离子处理室中，对ITO层进行等离子处理，以提高阳极层的功函，降低空穴的注入势鱼；
[0057]3、将氧等离子体处理后的ITO玻璃置于真空热镀膜系统中，在ITO层表面依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为ZnPc，厚度为30nm)、空穴传输层(材料为TCTA ;厚度为50nm)、发光层(材料为Ir(ppy)3作为掺杂材料掺杂到TCTA主体材料中，表示为TCTA:1r (ppy) 3，Ir(ppy)3的掺杂质量比为3% ;厚度为15nm)和空穴阻挡层(材料为BAlq ;厚度为5nm)；
[0058]4、把金属掺杂剂(Sr)和电子传输基质材料(Alq3)分别至于真空热镀膜系统中的两个蒸发源中；然后通过调节加热速度与热量供给，同时进行蒸镀，使金属掺杂剂Sr与电子传输基质材料的蒸镀速度比为2:10，使Sr与Alq3的质量比数为20%，在空穴阻挡层表面制得厚度为60nm的电子传输层,表不为Sr:Alq3,完毕后；继续在电子传输层表面蒸镀阴极层(材质为Al，厚度为70nm)；
[0059]上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
[0060]实施例3
[0061]本实施例的有机电致发光器件，其结构为:玻璃/ITO/m-MTDATA/mVTCTA:1r (ppy) 3/BAI q/Yb: BA I q/A 1-Mg
[0062]该有机电致发光器件的制作方法如下:
[0063]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0064]2、玻璃衬底清洗干净后，置入真空磁控溅射系统中，在玻璃表面制备一层厚度为lOOnm、材质为ITO的阳极层，此时ITO与玻璃结合在一起，简称ITO玻璃；随后，将ITO玻璃置于等离子处理室中，对ITO层进行等离子处理，以提高阳极层的功函，降低空穴的注入势鱼；
[0065]3、将氧等离子体处理后的ITO玻璃置于真空热镀膜系统中，在ITO层表面依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为m-MTDATA，厚度为50nm)、空穴传输层(材料为TPD ;厚度为40nm)、发光层(材料为Ir(ppy)3作为掺杂材料掺杂到TCTA主体材料中，表示为TCTA:1r (ppy) 3，Ir (ppy) 3的掺杂质量比为3% ;厚度为20nm)和空穴阻挡层(材料为BAlq ;厚度为20nm)；
[0066]4、把金属掺杂剂(Yb)和电子传输基质材料(BAlq)分别至于真空热镀膜系统中的两个蒸发源中；然后通过调节加热速度与热量供给，同时进行蒸镀，使金属掺杂剂Yb与电子传输基质材料的蒸镀速度比为4:10，使Yb与BAlq的质量比数为40%，在空穴阻挡层表面制得厚度为30nm的电子传输层,表不为Yb:BAlq,完毕后；继续在电子传输层表面蒸镀阴极层(材质为Al-Mg，厚度为200nm)；
[0067]上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
[0068]实施例4
[0069]本实施例的有机电致发光器件，其结构为:玻璃/ITO/m-MTDATA/2-TNATA/CBP:FIrPic/Bphen/Ca:Bphen/Ag-Mg
[0070]该有机电致发光器件的制作方法如下:
[0071]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0072]2、玻璃衬底清洗干净后，置入真空磁控溅射系统中，在玻璃表面制备一层厚度为lOOnm、材质为ITO的阳极层，此时ITO与玻璃结合在一起，简称ITO玻璃；随后，将ITO玻璃置于等离子处理室中，对ITO层进行等离子处理，以提高阳极层的功函，降低空穴的注入势鱼;
[0073]3、将氧等离子体处理后的ITO玻璃置于真空热镀膜系统中，在ITO层表面依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为m-MTDATA，厚度为40nm)、空穴传输层(材料为2-TNATA ;厚度为20nm)、发光层(材料为FIrPic作为掺杂材料掺杂到CBP主体材料中，表示为CBP:FIrPic，FIrPic的掺杂质量比为8% ;厚度为IOnm)和空穴阻挡层(材料为Bphen ;厚度为IOnm)；
[0074]4、把金属掺杂剂(Ca)和电子传输基质材料(Bphen)分别至于真空热镀膜系统中的两个蒸发源中；然后通过调节加热速度与热量供给，同时进行蒸镀，使金属掺杂剂Ca与电子传输基质材料的蒸镀速度比为4:10，使Ca与Bphen的质量比数为40%，在空穴阻挡层表面制得厚度为IOOnm的电子传输层,表不为Ca:Bphen,完毕后；继续在电子传输层表面蒸镀阴极层(材质为Ag-Mg,厚度为IOOnm)；
[0075]上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
[0076]对比例I
[0077]本对比例的有机电致发光器件，其结构为:玻璃/ITO/CuPc/NPB/NPB:1r (MDQ) 2 (acac) /TPBi/Ag
[0078]该有机电致发光器件的制作方法如下:
[0079]1、依次用洗涤剂、去离子水、异丙醇、丙酮分别超声清洗玻璃衬底20分钟，然后再用氮气吹干；
[0080]2、玻璃衬底清洗干净后，置入真空磁控溅射系统中，在玻璃表面制备一层厚度为lOOnm、材质为ITO的阳极层，此时ITO与玻璃结合在一起，简称ITO玻璃；随后，将ITO玻璃置于等离子处理室中，对ITO层进行等离子处理，以提高阳极层的功函，降低空穴的注入势鱼；
[0081]3、将氧等离子体处理后的ITO玻璃置于真空热镀膜系统中，在ITO层表面依次层叠蒸镀空穴注入层(材料为CuPc，厚度为20nm)、空穴传输层(材料为NPB ;厚度为30nm)、发光层(材料为Ir (MDQ)2 (acac)作为掺杂材料掺杂到NPB主体材料中，表示为NPBIlr(MDQ)2(acac)，Ir (MDQ)2(acac)的掺杂质量比为 5% ;厚度为 20nm)；
[0082]4、在发光层表面，蒸镀制备电子传输层，材质为TPBi，厚度为50nm，完毕后；继续在电子传输层表面蒸镀阴极层(材质为Ag,厚度为IOOnm)；
[0083]上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
[0084]本发明还对实施例1至4以及对比例I制得的有机电致发光器件的发光性能进行了测试，分别计算每个上、下出光面在8V的驱动电压下的发光亮度，测试数据结果如表I所
/Jn ο
[0085]表I是实施例1，2，3，4，和对比例I所制作的器件的发光性能数据，从图中可以看出，带有掺杂的电子传输层的发光器件，由于电子注入性能得到提高，其启动电压明显低于普通的发光器件，在发光效率上，带有掺杂结构的发光器件，其光效优于普通的发光器件。另外从发光器件的启动电压上来看，本发明提供的电致发光器件，因为电子的注入效率提高，使器件的启动电压明显降低。
[0086]图2为实施例1制得的有机电致发光器件和对比例I分别制得的有机电致发光器件的电流密度与电压曲线图。
[0087]从图2中可以看出，由于本发明采用的掺杂的电子传输层结构能提高器件的电子注入效率，降低启动电压，因此从图2上可以看到，在相同的驱动电压下，实施I能够获得比对比例I更高的驱动电流，因而其能获得更高效的发光效率。
[0088]表1有机电致发光器件的发光性能
[0089]
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的衬底、阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层以及阴极层；所述电子传输层的材质为金属掺杂剂按照10-50%的质量比掺杂到电子传输基质材料中组成的掺杂混合材料。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属掺杂剂为金属衫、镱、锶或钙。
3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输基质材料为(8-羟基喹啉)-铝、4，7- 二苯基-邻菲咯啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑_2_基)苯或双(2-甲基-8-羟基喹啉-NI，08)-(1, I’-联苯-4-羟基)铝。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述衬底为玻璃；所述阳极层采用铟掺杂氧化锡。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为酞菁锌、酞菁铜或4，4’，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材质为.4，4’，4 "-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -联苯-4，4’-二胺)、N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)_1，I’-联苯 _4，4’- 二胺或.4，4’，4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为掺杂材料按照3~8%的质量比掺杂到主体材料中组成的掺杂混合材料；所述主体材料为4，4’ - 二(9-咔唑)联苯、N，N，- 二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-联苯-4，4’ - 二胺或 4，，4，，-三(咔唑-9-基)-三苯胺；所述掺杂材料为双(4，6- 二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合铱、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)或三(2-苯基吡啶)合铱。
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料选自4，7-二苯基-邻菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯或双(2-甲基_8_羟基喹啉-NI，08)-(1, I’-联苯-4-羟基)铝。
9.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极层采用金属银、铝、银镁合金或者镁铝合金。
10.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:S1、清洗衬底；S2、在磁控溅射系统中，在衬底表面溅射制备阳极层；S3、在真空热镀膜系统中，利用热蒸镀工艺，在阳极层表面依次层叠蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层和空穴阻挡层；S4、把金属掺杂剂和电子传输基质材料分别至于真空热镀膜系统中的两个蒸发源中，同时进行蒸镀，在空穴阻挡层表面制得电子传输层，完毕后；继续在电子传输层表面蒸镀阴极层；其中，所述金属掺杂剂和电子传输基质材料的质量比为10-50%; 上述工艺步骤完成后，制得所述有机电致发光器件。
【文档编号】H01L51/54GK103594659SQ201210294761
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2012年8月17日 优先权日:2012年8月17日
【发明者】周明杰, 王平, 冯小明, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司