专利名称：一种有机半导体薄膜的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种有机半导体薄膜的制备方法。
背景技术：
随着科技的发展和进步，显示技术更新换代，柔性显示成为应用热点，柔性显示技术的关键在柔性驱动板，而有机半导体薄膜是一种重要的柔性驱动薄膜材料，但是目前有机半导体薄膜的制备方法工艺繁杂，制备成本较高，不适宜于工业生产。因此，寻找有机半导体薄膜的一种工艺简单、成本低廉的制备方法成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供一种有机半导体薄膜的制备方法，其包括如下步骤(a)、对衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理；(b)、然后在(a)步骤中处理过的衬底上将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂覆液涂覆到衬底上，其中该非卤类溶剂在涂覆时的挥发速率为2X10_4mg/ (sec .cm2)-8 X lCT4mg/ (sec . cm2);((3)、然后对(13)步骤中的涂覆液进行干燥处理。有益效果本发明制备 的有机半导体薄膜经过测试分析，显示性能良好，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施例方式下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例1该有机半导体薄膜的制备方法，首先对玻璃衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的衬底上将含有烷基噻吩低聚物和环己烷溶剂的涂覆液涂覆到衬底上，其中该环己烷溶剂在涂覆时的挥发速率为2X10_4mg/(sec . cm2);然后涂覆液进行干燥处理。实施例2该有机半导体薄膜的制备方法，首先对金属衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的衬底上将含有甲硅烷基乙炔基并五苯化合物和四氢呋喃溶剂的涂覆液涂覆到衬底上，其中该四氢呋喃溶剂在涂覆时的挥发速率为8X 10_4mg/ (sec . cm2);然后对涂覆液进行干燥处理。
实施例3
该有机半导体薄膜的制备方法，首先对塑料衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理；然后在处理过的衬底上将含有苯醌衍生物和二甲苯溶剂的涂覆液涂覆到衬底上，其中该二甲苯溶剂在涂覆时的挥发速率为5X10_4mg/ (sec . cm2);然后对涂覆液进行干燥处理。
权利要求
1.一种有机半导体薄膜的制备方法，其包括如下步骤 (a)、对衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理； (b)、然后在(a)步骤中处理过的衬底上将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂覆液涂覆到衬底上，其中该非卤类溶剂在涂覆时的挥发速率为2X10_4mg/ (sec .cm2)-8 X lCT4mg/ (sec . cm2); (c)、然后对(b)步骤中的涂布进行干燥处理。
2.如权利要求1所述的方法，其中挥发速率为5X10_4mg/ (sec · cm2)。
3.如权利要求1所述的方法，其中，衬底为塑料、玻璃或金属。
全文摘要
本发明提供一种有机半导体薄膜的制备方法，其包括如下步骤(a)、对衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理；(b)、然后在(a)步骤中处理过的衬底上将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂覆液涂覆到衬底上，其中该非卤类溶剂在涂覆时的挥发速率为2×10-4mg/(sec﹒cm2)-8×10-4mg/(sec﹒cm2)；(c)、然后对(b)步骤中的涂布进行干燥处理。
文档编号H01L51/56GK103066216SQ20121058306
公开日2013年4月24日 申请日期2012年12月27日 优先权日2012年12月27日
发明者李岗, 国欣鑫, 张晓辉 申请人:青岛艾德森能源科技有限公司