一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、发光功能层、阴极和封装层，封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层，所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一无机阻挡层的材质为金属氮化物掺杂铼的氧化物形成的混合材料，所述第二无机阻挡层的材质为铼的氧化物掺杂碳化物形成的混合材料。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。该方法可有效减少水、氧对器件的侵蚀，提高器件寿命。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件(OLED)是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在透明阳极和金属阴极之间夹有多层有机材料薄膜(空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子输送层和电子注入层)，当电极间施加一定的电压后，发光层就会发光。近年来，有机电致发光器件由于本身制作成本低、响应时间短、发光亮度高、宽视角、低驱动电压以及节能环保等特点已经在全色显示、背光源和照明等领域受到了广泛关注，并被认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。
[0003]目前，有机电致发光器件存在寿命较短的问题，这主要是因为有机材料薄膜很疏松，易被空气中的水汽和氧气等成分渗入后迅速发生老化。因此，有机电致发光器件进入实际使用之前必须进行封装，封装的好坏直接关系到有机电致发光器件的寿命。
[0004]传统技术中采用玻璃盖或金属盖进行封装，其边沿用紫外聚合树脂密封，但这种方法中使用的玻璃盖或金属盖体积往往较大，增加了器件的重量，并且该方法不能应用于柔性有机电致放光器件的封装。
【发明内容】
[0005]为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该制备方法可有效地减少水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命。本发明方法适用于以导电玻璃基板制备的有机电致发光器件，也适用于以塑料或金属为基底制备的柔性有机电致发光器件。本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件。
[0006]一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、发光功能层、阴极和封装层，所述封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层，
[0007]所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一有机材料与第二有机材料的摩尔比为0.4?0.6:1 ;所述第一有机材料为N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-联苯二胺(TH))、N, N' -二(α -萘基)-N，N' - 二苯基-4,4' -二胺(NPB)、1，1-二((4-N, N' -二 (对甲苯基)胺)苯基)环己烷(TAPC)、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽(MADN)、4，f，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或1,3-二(9H-咔唑-9-基)苯(mCP);所述第二有机材料为4，7- 二苯基邻菲罗啉(Bphen)、2, 9- 二甲基-4，7- 二苯基-1, 10-菲咯啉(BCP)、1, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、8_羟基喹啉铝(Alq3)、二(2-甲基_8_喹啉)-(4-苯基苯酚)铝(Balq)或3_(4_联苯基)_4苯基_5_叔丁基苯-1, 2，4_三唑(TAZ);
[0008]所述第一无机阻挡层的材质为金属氮化物掺杂铼的氧化物形成的混合材料，所述铼的氧化物的掺杂质量分数为10?30% ;所述第二无机阻挡层的材质为铼的氧化物掺杂碳化物形成的混合材料，所述碳化物的掺杂质量分数为10?30% ;所述金属氮化物为氮化铝(A1N)、氮化钛(TiN)、氮化钒(VN)、氮化铌(NbN)、氮化锆(ZrN)、氮化钽(TaN);所述铼的氧化物为Re20、ReO、Re203、ReO2> Re2O5或ReO3 ;所述碳化物为碳化娃(SiC)、碳化鹤(WC)、碳化钽(TaC )、碳化硼(BC )、碳化钛(TiC)或碳化铪(Hf C )。
[0009]优选地，所述第一有机阻挡层的厚度为200?300nm，所述第二有机阻挡层的厚度为 200 ?300nm。
[0010]优选地，所述第一无机阻挡层的厚度为100?150nm，所述第二无机阻挡层的厚度为 100 ?150nm。
[0011]优选地，所述封装层单元重复设置2?4次。
[0012]优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
[0013]优选地，阳极基板为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0014]本发明中，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。
[0015]阴极可以为非透明金属阴极(铝、银、金等)，也可以为透明阴极(介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等)。
[0016]封装层单元依次包括第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层。
[0017]其中，有机阻挡层中,第一有机材料为空穴传输型材料，第二有机材料为电子传输型材料，一种吸电子物质，一种得电子物质，采用上述两种有机材料混合制备的有机阻挡层，膜层平整度有一定的提高。第一无机阻挡层采用金属氮化物掺杂铼的氧化物形成的混合材料制备，金属氮化物具有很强的硬度和耐久性，防水氧能力强，铼的氧化物能降低氮化物硬度，减小易碎性；第二无机阻挡层采用铼的氧化物掺杂碳化物制备，铼的氧化物应力较小，而碳化物平整度好，两种物质结合能提供兼具平整度和阻隔性的膜层。本发明采用有机阻挡层与无机阻挡层交替重复设置形成的封装层，最终能有效阻挡外界水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，延长器件使用寿命。
[0018]另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0019]在阳极基板上依次制备发光功能层和阴极；
[0020]在所述阴极表面制备封装层，得到有机电致发光器件，所述封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
[0021]所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一有机材料与第二有机材料的摩尔比为0.4?0.6:1 ;所述第一有机材料为N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-联苯二胺、N，N' -二(0-萘基)_队& - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-N，N, -二(对甲苯基)胺)苯基)环己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4'，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺或1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯；所述第二有机材料为4，7- 二苯基邻菲罗啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)铝或3- (4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层均采用真空蒸镀的方式制备，所述真空蒸镀过程中的真空度为I X KT5Pa?I X 10?,蒸发速度为0.5A ~ 5A/S；
[0022]所述第一无机阻挡层的材质为金属氮化物掺杂铼的氧化物形成的混合材料，所述铼的氧化物的掺杂质量分数为10?30% ;所述第二无机阻挡层的材质为铼的氧化物掺杂碳化物形成的混合材料，所述碳化物的掺杂质量分数为10?30% ;所述金属氮化物为氮化铝、氮化钛、氮化钒、氮化铌、氮化锆、氮化钽；所述铼的氧化物为Re2O、ReO、Re2O3、ReO2、Re2O5或ReO3 ;所述碳化物为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪；所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层均采用电子束蒸镀的方式制备，所述电子束蒸镀过程中，真空度为1Χ1(Γ5 ?IXlO-3Pa0
[0023]优选地，所述第一有机阻挡层的厚度为200?300nm，所述第二有机阻挡层的厚度为 200 ?300nm。
[0024]优选地，所述第一无机阻挡层的厚度为100?150nm，所述第二无机阻挡层的厚度为 100 ?150nm。
[0025]优选地，所述封装层单元重复设置2?4次。
[0026]优选地，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
[0027]优选地，阳极基板为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。
[0028]优选地，将阳极基板进行如下清洁处理:依次进行丙酮清洗、乙醇清洗、纯水清洗和乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，然后再用烘箱烘干待用，再对洗净后的阳极基板进行表面活化处理。
[0029]优选地，发光功能层通过真空蒸镀的方法或溶液涂敷的方法设置。本发明中，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限定，本领域现有材料均适用于本发明。
[0030]阴极可以为非透明金属阴极(铝、银、金等)，也可以为透明阴极(介质层夹杂金属层形成的介质层/金属层/介质层结构等)。阴极采用真空蒸镀的方式制备。
[0031]封装层单元依次包括第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层。
[0032]具体地，封装层单元的制备过程包括:先在阴极表面采用真空蒸镀的方式制备第一有机阻挡层，然后在所述第一有机阻挡层上采用采用电子束蒸镀的方式制备第一无机阻挡层，再在第一无机阻挡层采用真空蒸镀的方式制备第二有机阻挡层，接着在第二有机阻挡层上采用采用电子束蒸镀的方式制备第二无机阻挡层。依此重复多次制备封装层单元，形成具有复合结构的封装层。优选地，所述封装层单元重复设置2?4次。
[0033]其中，有机阻挡层中,第一有机材料为空穴传输型材料，第二有机材料为电子传输型材料，一种吸电子物质，一种得电子物质，采用上述两种有机材料混合制备的有机阻挡层，膜层平整度有一定的提高。第一无机阻挡层采用金属氮化物掺杂铼的氧化物形成的混合材料制备，金属氮化物具有很强的硬度和耐久性，防水氧能力强，铼的氧化物能降低氮化物硬度，减小易碎性；第二无机阻挡层采用铼的氧化物掺杂碳化物制备，铼的氧化物应力较小，而碳化物平整度好，两种物质结合能提供兼具平整度和阻隔性的膜层。本发明采用有机阻挡层与无机阻挡层交替重复设置形成的封装层，最终能有效阻挡外界水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，延长器件使用寿命。
[0034]本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果:
[0035](I)本发明有机电致发光器件的封装层具有复合结构，由有机阻挡层和无机阻挡层交替重复设置形成，该封装层密封性好，可有效地减少水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，同时可有效保护功能层和阴极在后续操作过程中免遭破坏，从而显著提高有机电致发光器件的寿命；
[0036](2)本发明有机电致发光器件的防水性能(WVTR)达到10_4g/m2.day，器件寿命(T70il000cd/m2)达 6500 小时以上；
[0037](3)本发明方法适用于封装以导电玻璃为阳极基板制备的有机电致发光器件，也适用于封装以塑料或金属为阳极基底制备的柔性有机电致发光器件，本发明方法尤其适用于封装柔性有机电致发光器件；
[0038](4)本发明有机电致发光器件材料廉价，封装方法工艺简单，易大面积制备，适于工业化大规模使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0039]图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0040]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0041]实施例1
[0042]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0043](I)在阳极基板上制备发光功能层和阴极
[0044]a.导电玻璃基板的前处理
[0045]取ITO玻璃基板，依次进行丙酮清洗、乙醇清洗、纯水清洗和乙醇清洗，均用超声波清洗机进行清洗，每次洗涤采用清洗5分钟，烘干后，对洗净后的ITO玻璃基板进行表面活化处理；ΙΤ0厚度10nm;
[0046]b.发光功能层和阴极的制备
[0047]采用真空蒸镀的方法在ITO玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
[0048]空穴注入层的制备:将MoO3掺杂入N，N ' - 二苯基-N，N ' -二(1-萘基)-1，Ρ -联苯-4,4' -二胺(NPB)中作为空穴注入层材料，掺杂质量浓度为30%，厚度为10nm，真空度3 X 10_5Pa，蒸发速度0.1A/S；
[0049]空穴传输层的制备:采用4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作为空穴传输材料，真空度3X 10_5Pa，蒸发速度0.丨A/s，蒸发厚度30nm ；
[0050]发光层的制备:主体材料采用1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客体材料采用三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)，客体材料掺杂质量浓度为5%，将主体材料与客体材料混合掺杂后共蒸，真空度为3X 10_5Pa，蒸发速度为0.2A/S,蒸发厚度20nm ；
[0051]电子传输层的制备:釆用4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)作为电子传输材料，真空度3 X 10?,蒸发速度0.1A/S,蒸发厚度1nm ；
[0052]电子注入层的制备:将CsN3掺入4，7-二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)中作为电子注入层材料，掺杂质量浓度30%，真空度3X 10_5Pa，蒸发速度0.2A/S,蒸发厚度20nm ；
[0053]阴极的制备:阴极采用金属Al,厚度10nm,真空度为3X l(T5Pa,蒸发速度为5 A/s ο
[0054](2)在阴极上重复制备2次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
[0055]所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
[0056]a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为250nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为mCP与TAZ按摩尔比0.4:1混合形成的混合材料，真空度I X 10?,
蒸发速度_2A /s;
[0057]b.采用电子束蒸镀的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为130nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为TaN掺杂ReO3形成的混合材料，ReO3的掺杂质量分数为20%，电子束蒸镀过程中的本底真空度为IX 10_3Pa ；
[0058]c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为250nm的第二有机阻挡层，材质为mCP与TAZ按摩尔比0.4:1混合形成的混合材料,真空度IX 10_3Pa,蒸发速度 2A /s;
[0059]d.采用电子束蒸镀的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为10nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为ReO3掺杂HfC形成的混合材料，HfC的掺杂质量分数为15%，电子束蒸镀过程中的本底真空度为IX 10_3Pa ；
[0060]e、重复I次步骤a、b、c、d，形成具有2个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
[0061]本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能(WVTR, cc/m2.day)为4.3Χ10Λ 寿命(T70@1000cd/m2)为 6504 小时。
[0062]图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本实施例有机电致发光器件，依次包括ITO玻璃基板1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层
4、电子传输层5、电子注入层6、阴极7和封装层8。所述封装层8包括两个封装层单元，即包括2层厚度为250nm的第一有机阻挡层81和85，2层厚度为130nm的第一无机阻挡层82和86，2层厚度为250nm的第二有机阻挡层83和87，2层厚度为10nm的第二无机阻挡层84 和 88。
[0063]实施例2
[0064]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0065](I)在阳极基板上制备发光功能层和阴极
[0066]与实施例1同。
[0067](2)在阴极上重复制备3次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
[0068]所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
[0069]a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为250nm的第一有机阻挡
[0070]层，第一有机阻挡层的材质为NPB与BCP按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5 X 10_5Pa，蒸发速度_2A /s；
[0071]b.采用电子束蒸镀的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为10nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为TiN掺杂ReO形成的混合材料，ReO的掺杂质量分数为10%,电子束蒸镀过程中的本底真空度为5X 10_5Pa ；
[0072]c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为250nm的第二有机阻挡层，材质为NPB与BCP按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5 X W5Pa,蒸发速度.2人/s;
[0073]d.采用电子束蒸镀的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为120nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为ReO掺杂WC形成的混合材料，WC的掺杂质量分数为20%,电子束蒸镀过程中的本底真空度为IX 10_5Pa ；
[0074]e、重复2次步骤a、b、c、d，形成具有3个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
[0075]本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)为
3.5Χ10Λ 寿命(T70@1000cd/m2)为 6586 小时。
[0076]实施例3
[0077]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0078](I)在阳极基板上制备发光功能层和阴极
[0079]与实施例1同。
[0080](2)在阴极上重复制备3次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
[0081]所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
[0082]a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为200nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为TAPC与TPBi按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度
5父10-%，蒸发速度0.5八/5;
[0083]b.采用电子束蒸镀的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为150nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为VN掺杂Re2O3形成的混合材料，Re2O3的掺杂质量分数为30%，电子束蒸镀过程中的本底真空度为5X 10_5Pa ；
[0084]c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为200nm的第二有机阻挡层，材质为TAPC与TPBi按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度5 X W5Pa,蒸发速度 0.5A /s;
[0085]d.采用电子束蒸镀的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为120nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为Re2O3掺杂TaC形成的混合材料，TaC的掺杂质量分数为10%，电子束蒸镀过程中的本底真空度为lX10_5Pa ；
[0086]e、重复2次步骤a、b、c、d，形成具有3个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
[0087]本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)为3.6Χ10Λ 寿命(T70@1000cd/m2)为 6567 小时。
[0088]实施例4
[0089]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0090](I)在阳极基板上制备发光功能层和阴极
[0091]与实施例1同。
[0092](2)在阴极上重复制备3次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
[0093]所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
[0094]a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为250nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为MADN与Alq3按摩尔比0.6:1混合形成的混合材料，真空度
5父10-^，蒸发速度2人/S；
[0095]b.采用电子束蒸镀的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为120nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为NbN掺杂ReO2形成的混合材料，ReO2的掺杂质量分数为20%，电子束蒸镀过程中的本底真空度为5X 10_5Pa ；
[0096]c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为250nm的第二有机阻挡层，材质为MADN与Alq3按摩尔比0.6:1混合形成的混合材料,真空度5X 10_5Pa,蒸发速度.2A /S；
[0097]d.采用电子束蒸镀的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为10nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为ReO2掺杂BC形成的混合材料，BC的掺杂质量分数为12%，电子束蒸镀过程中的本底真空度为IX 10_5Pa ；
[0098]e、重复2次步骤a、b、c、d，形成具有3个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
[0099]本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)为
3.7Χ10Λ 寿命(T70@1000cd/m2)为 6545 小时。
[0100]实施例5
[0101]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0102](I)在阳极基板上制备发光功能层和阴极
[0103]与实施例1同。
[0104](2)在阴极上重复制备3次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
[0105]所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
[0106]a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为250nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为TCTA与Balq按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料，真空度
5父10-%，蒸发速度1人/8;
[0107]b.采用电子束蒸镀的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为120nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为ZrN掺杂Re2O5形成的混合材料，Re2O5的掺杂质量分数为20%，电子束蒸镀过程中的本底真空度为5X 10_5Pa ；
[0108]c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为250nm的第二有机阻挡层，材质为TCTA与Balq按摩尔比0.5:1混合形成的混合材料,真空度5X l(T5Pa,蒸发速度IA /s;
[0109]d.采用电子束蒸镀的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为IlOnm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为Re2O5掺杂TiC形成的混合材料，TiC的掺杂质量分数为15%，电子束蒸镀过程中的本底真空度为lX10_4Pa ；
[0110]e、重复2次步骤a、b、c、d，形成具有3个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
[0111]本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)为3.9Χ10Λ 寿命(T70@1000cd/m2)为 6530 小时。
[0112]实施例6
[0113]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0114]( I)在阳极基板上制备发光功能层和阴极
[0115]与实施例1同。
[0116](2)在阴极上重复制备4次封装层单元，形成具有复合结构的封装层，得到有机电致发光器件；
[0117]所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层；
[0118]a.通过真空蒸镀的方式在阴极表面制备一层厚度为300nm的第一有机阻挡层，第一有机阻挡层的材质为TH)与Bphen按摩尔比0.55:1混合形成的混合材料，真空度I X 10?,蒸发速度5 A /S；
[0119]b.采用电子束蒸镀的方式在第一有机阻挡层上制备一层厚度为125nm的第一无机阻挡层；第一无机阻挡层的材质为AlN掺杂Re2O形成的混合材料，Re2O的掺杂质量分数为20%，电子束蒸镀过程中的本底真空度为IX 10_5Pa ；
[0120]c.采用真空蒸镀的方式在第一无机阻挡层上制备一层厚度为300nm的第二有机阻挡层，材质为TH)与Bphen按摩尔比0.55:1混合形成的混合材料,真空度I X l(T5Pa,蒸发速度.5 A /s;
[0121]d.采用电子束蒸镀的方式在第二有机阻挡层上制备一层厚度为150nm的第二无机阻挡层，第二无机阻挡层的材质为Re2O掺杂SiC形成的混合材料，SiC的掺杂质量分数为30%,电子束蒸镀过程中的本底真空度为IX 10_5Pa ；
[0122]e、重复3次步骤a、b、c、d，形成具有4个封装层单元的复合封装层，得到有机电致发光器件。
[0123]本实施例复合封装后的有机电致发光器件的防水性能(WVTR，cc/m2.day)为3.1父10'寿命(了7浦100(^(1/1112)为 6609 小时。
[0124]综上，本发明提供的有机电致发光器件的制备方法可有效地减少水汽和氧对有机电致发光器件的侵蚀，显著地提高有机电致发光器件的寿命，并且能够保护发光功能层和阴极免遭破坏。
[0125]以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠设置的阳极基板、发光功能层、阴极和封装层，其特征在于，所述封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层， 所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一有机材料与第二有机材料的摩尔比为0.4?0.6:1 ;所述第一有机材料为N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-联苯二胺、N，N' -二(0-萘基)_队& - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-N，N, -二(对甲苯基)胺)苯基)环己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4'，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺或1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯；所述第二有机材料为4，7- 二苯基邻菲罗啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑； 所述第一无机阻挡层的材质为金属氮化物掺杂铼的氧化物形成的混合材料，所述铼的氧化物的掺杂质量分数为10?30% ;所述第二无机阻挡层的材质为铼的氧化物掺杂碳化物形成的混合材料，所述碳化物的掺杂质量分数为10?30% ;所述金属氮化物为氮化铝、氮化钛、氮化钒、氮化铌、氮化锆、氮化钽；所述铼的氧化物为Re20、Re0、Re203、Re02、Re205或ReO3 ；所述碳化物为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一有机阻挡层的厚度为200?300nm，所述第二有机阻挡层的厚度为200?300nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一无机阻挡层的厚度为100?150nm,所述第二无机阻挡层的厚度为100?150nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装层单元重复设置2?4次。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 在阳极基板上依次制备发光功能层和阴极； 在所述阴极表面制备封装层，得到有机电致发光器件，所述封装层是由封装层单元重复设置形成的复合结构，所述封装层单元包括依次层叠的第一有机阻挡层、第一无机阻挡层、第二有机阻挡层和第二无机阻挡层； 所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层的材质均为第一有机材料与第二有机材料混合形成的混合材料，所述第一有机材料与第二有机材料的摩尔比为0.4?0.6:1 ;所述第一有机材料为N，N' - 二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-4，4'-联苯二胺、N，N' -二(0-萘基)_队& - 二苯基-4，4' - 二胺、1，1-二((4-N，N, -二(对甲苯基)胺)苯基)环己烷、2-甲基-9，10-二(咪唑-2-基)蒽、4,4'，4"-三(咔唑_9_基)三苯胺或1，3-二(9H-咔唑-9-基)苯；所述第二有机材料为4，7- 二苯基邻菲罗啉、2，9- 二甲基-4，7- 二苯基-1，10-菲咯啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羟基喹啉铝、二(2-甲基-8-喹啉)-(4-苯基苯酚)铝或3-(4-联苯基)-4苯基-5-叔丁基苯-1，2，4-三唑；所述第一有机阻挡层和第二有机阻挡层均采用真空蒸镀的方式制备，所述真空蒸镀过程中的真空度为IX 1-5Pa?I X 10?,蒸发速度为0.5A ~ 5A/s; 所述第一无机阻挡层的材质为金属氮化物掺杂铼的氧化物形成的混合材料，所述铼的氧化物的掺杂质量分数为10?30% ;所述第二无机阻挡层的材质为铼的氧化物掺杂碳化物形成的混合材料，所述碳化物的掺杂质量分数为10?30% ;所述金属氮化物为氮化铝、氮化钛、氮化钒、氮化铌、氮化锆、氮化钽；所述铼的氧化物为Re20、ReO、Re203、ReO2, Re2O5或ReO3 ;所述碳化物为碳化硅、碳化钨、碳化钽、碳化硼、碳化钛或碳化铪；所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层均采用电子束蒸镀的方式制备，所述电子束蒸镀过程中，真空度为1Χ1(Γ5 ?IXlO-3Pa0
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一有机阻挡层的厚度为200?300nm，所述第二有机阻挡层的厚度为200?300nm。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一无机阻挡层的厚度为100?150nm,所述第二无机阻挡层的厚度为100?150nm。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装层单元重复设置2?4次。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
【文档编号】H01L51/50GK104167493SQ201310187384
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2013年5月20日 优先权日:2013年5月20日
【发明者】周明杰, 钟铁涛, 张娟娟, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司