一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明公开了一种有机电致发光器件，其特征在于，衬底和阳极之间设置有缓冲层，缓冲层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜，缓冲层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝；封装层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜，封装层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。一种有机电致发光器件制备方法，其制备工艺简单、材料来源广泛，成本低。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光(Organic Light Emitting D1de,以下简称OLED),具有亮度高、材料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角，以及响应速度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发展趋势，以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003]在现有技术的OLED器件中，使用玻璃衬底制作的OLED器件不具备弯曲的特点，而且玻璃易碎，对发光器件的应用造成了影响。不锈钢薄片可作为柔性器件的衬底材料，但是由于其表面粗糙度较大，容易发生脱落的现象，因而使整个OLED器件被破坏，影响发光的稳定性。对于柔性OLED产品来说，若使用传统的OLED封装技术，在器件背部加上封装盖板，会产生重量大、造价高、机械强度差等问题，限制了柔性OLED产品的性能发挥。目前，多数柔性OLED的防水氧能力不强，且使用寿命较短，制备工艺复杂、成本高。
【发明内容】
[0004]为了解决上述问题，本发明旨在提供一种光色稳定、防水氧能力较强、寿命长的机电致发光器件。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。
[0005]第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，在衬底上依次层叠设置阳极、功能层及阴极，在所述阴极表面设置封装层，使衬底与封装层之间形成封闭空间，所述阳极、功能层及阴极容置在所述封闭空间内，所述衬底和阳极之间设置有缓冲层，所述缓冲层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜，所述缓冲层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝；所述封装层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜，所述封装层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。
[0006]优选地，衬底的材质为不锈钢金属薄片。
[0007]不锈钢金属薄片作为柔性器件的衬底材料，其具有耐热性能好、强度高等优点，并且来源广泛、价格低廉。通过在其表面镀上一层无机物薄膜，降低不锈钢薄片的表面粗糙度。
[0008]更优选地，不锈钢金属薄片的厚度为0.05?0.2mm,表面粗糙度(Ra)小于0.6 μ m。
[0009]不锈钢金属薄片的表面粗糙度小于0.6微米，在进行弯曲时，无机薄膜不会产生裂痕，避免产生针孔和缺陷破坏薄膜完整性，并且避免不锈钢衬底脱落的现象。
[0010]缓冲层设置在衬底上。
[0011]缓冲层由聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜交替重叠组成。无机物薄膜用于降低不锈钢薄片的粗糙度，而聚对二甲苯薄膜穿插在无机物薄膜中，用于缓冲不锈钢衬底在反复挠曲时，无机薄膜所产生的内应力，从而使缓冲层不被破坏。
[0012]优选地，缓冲层为交替层叠3?6次的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜。
[0013]优选地，聚对二甲苯薄膜的厚度为300?2000nm。
[0014]缓冲层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。
[0015]优选地，无机物薄膜的厚度为200?lOOOnm。
[0016]阳极、功能层和阴极依次设置在缓冲层上。
[0017]优选地，阳极的材质为金属银(Ag)、金(Au)、铝(Al)或者其合金材料。
[0018]优选地，阳极的厚度为70?200nm。
[0019]优选地，功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
[0020]优选地，空穴注入层的材质为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、酞菁氧钒(VOPc)、酞菁氧钛(T1Pc)或酞菁钼(PtPc)。
[0021]优选地，空穴注入层的厚度为20?40nm.
[0022]优选地，空穴传输层的材质为4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺^-了嫩了六乂队^-二苯基州州’-二丨卜萘基)-^'-联苯-4，4' -二胺(NPB)、
4,4;，4 "-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA), N, N ; -二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-1，Γ -联苯-4，4' -二胺(TPD)或 4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0023]优选地，空穴传输层的厚度为20?40nm。
[0024]优选地，发光层的材质为掺杂有客体材料的主体材料，所述客体材料为4_(二腈甲基)-2-丁基-6- (I, 1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4!1-吡喃(0(:1^)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir (ppy)3)，所述主体材料为4，4' -二 (9-咔唑)联苯(CBP)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、I, 3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N，N' -二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，Γ -联苯-4，4' - 二胺(NPB)，所述客体材料在主体材料中的掺杂质量分数为1%?10%。
[0025]也优选地，发光层的材质为4，4' -二(2，2-二苯乙烯基)_1，I'-联苯(DPVBi)、4，4'-双[4-( 二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)0
[0026]优选地，发光层的厚度为I?20nm。
[0027]优选地，电子传输层的材质为2_ (4_联苯基)_5_ (4_叔丁基)苯基_1，3，4_ B,惡二唑(PBD)、4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、l, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)或 3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0028]优选地，电子传输层的厚度为20?40nm。
[0029]优选地，电子注入层的材质为氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF)。
[0030]优选地，电子注入层的厚度为0.5?lnm。
[0031 ] 优选地，阴极的材质为银(Ag)、铝(Al)、钐(Sm)或镱(Yb )。
[0032]优选地，阴极的厚度为18?35nm。
[0033]封装层与衬底连接形成封闭空间，阳极、功能层及阴极容置于该封闭空间内，用于阻挡水氧的渗透。缓冲层可以部分置于该封闭空间外。封装层由聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜交替重叠组成。聚对二甲苯在可见光区具有较高的透过率，通过热环裂解聚合成膜，能够形成对水氧具有较高阻隔性的薄膜，与无机物薄膜配合使用，还能缓冲无机物薄膜在挠曲操作时产生的内应力，提高器件在挠曲操作时的使用寿命。
[0034]优选地，封装层为交替层叠3?6次的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜。
[0035]优选地，聚对二甲苯薄膜的厚度为300?2000nm。
[0036]封装层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。
[0037]优选地，无机物薄膜的厚度为200?lOOOnm。
[0038]第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0039](I)提供衬底；
[0040](2)在所述衬底上制备缓冲层，所述缓冲层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜:
[0041]将对二甲苯环二体热裂解，再聚合形成聚对二甲苯薄膜；在所述聚对二甲苯薄膜上溅射制备无机物薄膜，所述无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝，溅射条件为真空度I X I(T5?I X 10，a，加速电压300?800V,磁场50?200G,功率密度I?40ff/cm2;
[0042](3)在所述缓冲层上依次热阻蒸镀制备阳极、功能层和阴极；
[0043]其中，所述热阻蒸镀条件为压强IX 10_5?IX 10_3Pa，蒸镀速率为0.01?2nm/s ；
[0044](4)将封装层设置在所述阴极表面，使衬底与封装层之间形成封闭空间，所述阳极、功能层及阴极容置在所述封闭空间内，所述封装层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜，所述封装层通过以下步骤制得:
[0045]将对二甲苯环二体热裂解，再聚合形成聚对二甲苯薄膜；在所述聚对二甲苯薄膜上溅射制备无机物薄膜，所述无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝，溅射条件为真空度I X I(T5?I X 10，a，加速电压300?800V,磁场50?200G,功率密度I?40ff/cm2 ；
[0046]最终得到所述有机电致发光器件。
[0047]步骤(I)中，优选地，衬底的材质为不锈钢金属薄片。
[0048]不锈钢金属薄片作为柔性器件的衬底材料，其具有耐热性能好、强度高等优点，并且来源广泛、价格低廉。通过在其表面镀上一层无机物薄膜，降低不锈钢薄片的表面粗糙度。
[0049]更优选地，不锈钢金属薄片的厚度为0.05?0.2mm,表面粗糙度(Ra)小于0.6 μ m。
[0050]不锈钢金属薄片的表面粗糙度小于0.6微米，在进行弯曲时，无机薄膜不会产生裂痕，避免产生针孔和缺陷破坏薄膜完整性，并且避免不锈钢衬底脱落的现象。
[0051]步骤(2)中，在衬底上制备缓冲层。
[0052]缓冲层由聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜交替重叠组成。
[0053]优选地，缓冲层为交替层叠3?6次的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜。
[0054]无机物薄膜用于降低不锈钢薄片的粗糙度，而聚对二甲苯薄膜穿插在无机物薄膜中，用于缓冲不锈钢衬底在反复挠曲时，无机薄膜所产生的内应力，从而使缓冲层不被破坏。
[0055]聚对二甲苯(Parylene)薄膜是通过热环裂解，然后聚合成膜制备而成。先将固态环二体在170° C以下升华成气态环二体，然后在690±10° C气态环二体裂解成稳定的单分子，最后将衬底放入真空沉积室，使单分子进入真空沉积室内，吸附在衬底上，并聚合成线性高分子聚合物(聚对二甲苯)。
[0056]聚对二甲苯是C型环二体聚合(一氯对二甲苯)而成，因此形成的是C型聚对二甲苯(聚一氯对二甲苯)。
[0057]优选地，聚对二甲苯薄膜通过以下方法制备:取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在680?700° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子，将衬底置于真空沉积室中，通入该气态单体分子，该气态单体分子聚合并形成聚对二甲苯薄膜。
[0058]优选地，聚对二甲苯薄膜的厚度为300?2000nm。
[0059]无机物薄膜通过磁控溅射方法制备。
[0060]缓冲层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。
[0061]优选地，无机物薄膜的厚度为200?lOOOnm。
[0062]步骤(3)中，在缓冲层上依次热阻蒸镀制备阳极、功能层和阴极。
[0063]优选地，阳极的材质为金属银(Ag)、金(Au)、铝(Al)或者其合金材料。
[0064]优选地，阳极的厚度为70?200nm。
[0065]优选地，功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
[0066]优选地，空穴注入层的材质为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、酞菁氧钒(VOPc)、酞菁氧钛(T1Pc)或酞菁钼(PtPc)。
[0067]优选地，空穴注入层的厚度为20?40nm.
[0068]优选地，空穴传输层的材质为4，4'，4"-三(2-萘基苯基氨基)三苯基胺(2-TNATA)、N，N' - 二苯基-N, N' -二(1-萘基)_1，Γ -联苯-4,4' -二胺(NPB)、
4,4;，4 "-三(Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA), N, N ; -二苯基-N，N' -二(3-甲基苯基)-1，Γ -联苯-4，4' -二胺(TPD)或 4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0069]优选地，空穴传输层的厚度为20?40nm。
[0070]优选地，发光层的材质为掺杂有客体材料的主体材料，所述客体材料为4_(二腈甲基)-2-丁基-6- (I, 1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4!1-吡喃(0(:1^)、双(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(FIrpic)、双(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合铱(FIr6)、(乙酰丙酮)合铱(Ir(MDQ)2(acac))、三(1-苯基-异喹啉)合铱(Ir(piq)3)或三(2-苯基吡啶)合铱(Ir (ppy)3)，所述主体材料为4，4' -二 (9-咔唑)联苯(CBP)、8-羟基喹啉铝(Alq3)、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)或N，N' -二苯基-N，N' -二(1-萘基)-1，Γ -联苯-4，4' - 二胺(NPB)，所述客体材料在主体材料中的掺杂质量分数为1%?10%。
[0071]也优选地，发光层的材质为4，4' -二(2，2-二苯乙烯基)_1，I'-联苯(DPVBi)、4，4'-双[4-( 二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)或5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)0
[0072]优选地，发光层的厚度为I?20nm。
[0073]优选地，电子传输层的材质为2- (4-联苯基)-5_ (4-叔丁基)苯基-1，3，4_噁二唑(PBD)、4，7-二苯基-邻菲咯啉(Bphen)、l, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-邻二氮杂菲(BCP)或 3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0074]优选地，电子传输层的厚度为20?40nm。
[0075]优选地，电子注入层的材质为氟化锂(LiF)或氟化铯(CsF)。
[0076]优选地，电子注入层的厚度为0.5?lnm。
[0077]优选地，阴极的材质为银(Ag)、铝(Al)、钐(Sm)或镱(Yb )。
[0078]优选地，阴极的厚度为18?35nm。
[0079]步骤(4)中，将封装层设置在阴极表面。
[0080]封装层与衬底连接形成封闭空间，阳极、功能层及阴极容置于该封闭空间内，用于阻挡水氧的渗透。缓冲层可以部分置于该封闭空间外。封装层由聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜交替重叠组成。
[0081]聚对二甲苯在可见光区具有较高的透过率，通过热环裂解聚合成膜，能够形成对水氧具有较高阻隔性的薄膜，与无机物薄膜配合使用，还能缓冲无机物薄膜在挠曲操作时产生的内应力，提高器件在挠曲操作时的使用寿命。
[0082]优选地，封装层为交替层叠3?6次的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜。
[0083]优选地，聚对二甲苯薄膜通过以下方法制备:取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在680?700° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子，将衬底置于真空沉积室中，通入该气态单体分子，该气态单体分子聚合并形成聚对二甲苯薄膜。
[0084]优选地，聚对二甲苯薄膜的厚度为300?2000nm。
[0085]无机物薄膜通过磁控溅射方法制备。
[0086]封装层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。
[0087]优选地，无机物薄膜的厚度为200?lOOOnm。
[0088]实施本发明实施例，具有以下有益效果:
[0089](I)本发明制得的有机电致发光器件轻薄；
[0090](2)本发明提供的0LED，由于采用了聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜交替重叠组成的缓冲层，能够抵消在挠曲操作时，多层薄膜之间产生的内部应力，因而可以使薄膜能够很好的结合附在不锈钢金属薄片衬底上，不会发生裂痕、针孔、脱落等情况；器件经过多次挠曲仍保持较好的完整性，不会产生各层间挠曲形变不一致的现象，亮度变化小；
[0091](3)器件的封装层能较好地阻挡水氧的渗透，并且保持较高的透过率，使器件能获得较高的出光效率；
[0092](4)器件具有较长的使用寿命，制备工艺简单、材料来源广泛，成本低。
【专利附图】
【附图说明】
[0093]为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0094]图1是本发明实施例1制备的有机电致发光器件的结构示意图；
[0095]图2是本发明实施例1制备器件的缓冲层结构示意图；
[0096]图3是本发明实施例1制备器件的功能层结构示意图；
[0097]图4是本发明实施例1制备器件的封装层的波长-透过率曲线。
[0098]图5是本发明实施例1与对比例制备器件的时间-相对亮度曲线对比图。
【具体实施方式】
[0099]下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
[0100]实施例1
[0101]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0102](I)提供厚度为0.05mm的不锈钢金属薄片作为衬底；
[0103](2)在衬底上制备缓冲层:
[0104]a.取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在690° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子；
[0105]b.将衬底置于真空沉积室中，通入气态单体分子，气态单体分子在衬底上聚合并形成聚对二甲苯薄膜；
[0106]c.在真空度为5X 10_4Pa的溅射镀膜室中，在聚对二甲苯薄膜上溅射制备二氧化硅薄膜，溅射条件为加速电压500V，磁场100G，功率密度20W/cm2 ；
[0107]重复步骤a?c共5次，制得缓冲层；
[0108](3)在真空度为5X10_4的真空镀膜系统中，在缓冲层上依次热阻蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
[0109]具体地，阳极的材质为Ag,厚度为10nm ;空穴注入层的材质为CuPc,厚度为20nm ；空穴传输层的材质为NPB,厚度为30nm;发光层的材质为Ir(ppy)3掺杂在CBP中，Ir (ppy) 3的掺杂质量分数为10%,厚度为1nm ;电子传输层的材质为Bphen,厚度为30nm ;电子注入层的材质为LiF,厚度为Inm ;阴极的材质为Ag,厚度为25nm,结构具体表示为Ag(10nm)/CuPc (20nm) /NPB (30nm) /Ir (ppy) 3: CBP (10%, 1nm)/Bphen (30nm)/LiF (lnm)/Ag (25nm)；其中，斜杠“/”表示层状结构，Ir (ppy) 3: CBP中的冒号“:”表示混合，下同；
[0110]其中，CuPc和LiF的蒸镀速率为0.lnm/s, NPB、Ir (ppy) 3掺杂在CBP中形成的混合物和Bphen的蒸镀速率为0.0 lnm/s, Ag的蒸镀速率为0.2nm/s ；
[0111](4)将封装层设置在阴极表面，使衬底与封装层之间形成封闭空间，阳极、功能层及阴极容置在该封闭空间内，封装层通过以下步骤制得:
[0112]d.取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在690° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子；
[0113]e.将步骤(3)制得的产品置于真空沉积室中，通入气态单体分子，气态单体分子聚合并形成聚对二甲苯薄膜；
[0114]f.在真空度为5X 10_4Pa的溅射镀膜室中，在聚对二甲苯薄膜上溅射制备二氧化硅薄膜，溅射条件为加速电压500V，磁场100G，功率密度20W/cm2 ；
[0115]重复步骤d?f共5次，制得封装层，最终得到有机电致发光器件。
[0116]图1为本实施例1制备的有机电致发光器件的结构示意图，本实施例制备的有机电致发光器件包括衬底10、缓冲层20、阳极30、功能层40、阴极50和封装层60。
[0117]图2是本发明实施例1制备的有机电致发光器件的缓冲层结构示意图，缓冲层20包括依次层叠的聚对二甲苯薄膜201、无机物薄膜202、聚对二甲苯薄膜203、无机物薄膜204、聚对二甲苯薄膜205、无机物薄膜206、聚对二甲苯薄膜207、无机物薄膜208、聚对二甲苯薄膜209和无机物薄膜210。
[0118]图3是本发明实施例1制备的有机电致发光器件的功能层结构示意图，功能层40包括依次层叠的空穴注入层401、空穴传输层402、发光层403、电子传输层404和电子注入层 405。
[0119]实施例2
[0120]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0121](I)提供厚度为0.1mm的不锈钢金属薄片作为衬底；
[0122](2)在衬底上制备缓冲层:
[0123]a.取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在690° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子；
[0124]b.将衬底置于真空沉积室中，通入气态单体分子，气态单体分子在衬底上聚合并形成聚对二甲苯薄膜；
[0125]c.在真空度为IX 10_5Pa的溅射镀膜室中，在聚对二甲苯薄膜上溅射制备二氧化硅薄膜，溅射条件为加速电压300V，磁场50G，功率密度lW/cm2 ；
[0126]重复步骤a?c共6次，制得缓冲层；
[0127](3)在真空度为1X10_5的真空镀膜系统中，在缓冲层上依次热阻蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
[0128]具体地，阳极的材质为Al，厚度为70nm ;空穴注入层的材质为ZnPc，厚度为40nm ；空穴传输层的材质为2-TNATA，厚度为40nm;发光层的材质为Ir(piq)3掺杂在NPB中，Ir(Piq)3的质量分数为8%，厚度为20nm ;电子传输层的材质为TPBi，厚度为40nm ;电子注入层的材质为CsF,厚度为Inm ;阴极的材质为Al,厚度为18nm,结构具体表示为Al (70nm) /ZnPc(40nm)/2-TNATA(40nm)/Ir(piq)3:NPB(8%, 20nm)/TPBi(40nm)/CsF(Inm)/Al (18nm)；
[0129]其中，ZnPc和CsF的蒸镀速率为0.5nm/s，2-TNATA、Ir(piq)3掺杂在NPB中形成的混合物和TPBi的蒸镀速率为0.5nm/s, Al的蒸镀速率为lnm/s ；
[0130](4)将封装层设置在阴极表面，使衬底与封装层之间形成封闭空间，阳极、功能层及阴极容置在该封闭空间内，封装层通过以下步骤制得:
[0131]d.取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在690° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子；
[0132]e.将步骤(3)制得的产品置于真空沉积室中，通入气态单体分子，气态单体分子聚合并形成聚对二甲苯薄膜；
[0133]f.在真空度为IX 10_5Pa的溅射镀膜室中，在聚对二甲苯薄膜上溅射制备二氧化硅薄膜，溅射条件为加速电压300V，磁场50G，功率密度lW/cm2 ；
[0134]重复步骤d?f共6次，制得封装层，最终得到有机电致发光器件。
[0135]实施例3
[0136]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0137](I)提供厚度为0.05mm的不锈钢金属薄片作为衬底；
[0138](2)在衬底上制备缓冲层:
[0139]a.取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在690° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子；
[0140]b.将衬底置于真空沉积室中，通入气态单体分子，气态单体分子在衬底上聚合并形成聚对二甲苯薄膜；
[0141]c.在真空度为IX 10_3Pa的溅射镀膜室中，在聚对二甲苯薄膜上溅射制备氧化铝薄膜，溅射条件为加速电压800V，磁场200G，功率密度40W/cm2 ；
[0142]重复步骤a?c共3次，制得缓冲层；
[0143](3)在真空度为lX10_3Pa的真空镀膜系统中，在缓冲层上依次热阻蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
[0144]具体地，阳极的材质为Au，厚度为10nm;空穴注入层的材质为T1Pc，厚度为20nm ;空穴传输层的材质为m-MTDATA，厚度为20nm ;发光层的材质为DCJTB掺杂在Alq3中，DCJTB的掺杂质量分数为1%，厚度为Inm ;电子传输层的材质为PBD，厚度为20nm ;电子注入层的材质为CsF,厚度为0.5nm ;第一阴极的材质为Sm,厚度为35nm,结构具体表示为Au (10nm) /T1Pc (20nm) /m-MTDATA (20nm) /DCJTB: Alq3 (1%, lnm) /PBD (20nm) /CsF (0.5nm) /Sm(35nm)；
[0145]其中，T1Pc和CsF的蒸镀速率为lnm/s，m-MTDATA、DCJTB掺杂在Alq3中形成的混合物和PBD的蒸镀速率为lnm/s，Au和Sm的蒸镀速率为2nm/s ；
[0146](4)将封装层设置在阴极表面，使衬底与封装层之间形成封闭空间，阳极、功能层及阴极容置在该封闭空间内，封装层通过以下步骤制得:
[0147]d.取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在690° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子；
[0148]e.将步骤(3)制得的产品置于真空沉积室中，通入气态单体分子，气态单体分子聚合并形成聚对二甲苯薄膜；
[0149]f.在真空度为IX 10_3Pa的溅射镀膜室中，在聚对二甲苯薄膜上溅射制备氧化铝薄膜，溅射条件为加速电压800V，磁场200G，功率密度40W/cm2 ；
[0150]重复步骤d?f共3次，制得封装层，最终得到有机电致发光器件。
[0151]实施例4
[0152]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0153](I)提供厚度为0.2mm的不锈钢金属薄片作为衬底；
[0154](2)在衬底上制备缓冲层:
[0155]a.取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在690° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子；
[0156]b.将衬底置于真空沉积室中，通入气态单体分子，气态单体分子在衬底上聚合并形成聚对二甲苯薄膜；
[0157]c.在真空度为IX 10_4Pa的溅射镀膜室中，在聚对二甲苯薄膜上溅射制备氮化硅薄膜，溅射条件为加速电压600V，磁场150G，功率密度35W/cm2 ；
[0158]重复步骤a?c共4次，制得缓冲层；
[0159](3)在真空度为lX10_4Pa的真空镀膜系统中，在缓冲层上依次热阻蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
[0160]具体地，阳极的材质为Al与Ag的合金(表示为Al-Ag)，厚度为200nm ;空穴注入层的材质为VOPc，厚度为20nm ;空穴传输层的材质为TPD，厚度为40nm ;发光层的材质为Rubrene,厚度为1nm ;电子传输层的材质为BCP,厚度为40nm ;电子注入层的材质为LiF,厚度为Inm ;阴极的材质为Yb，厚度为30nm，结构具体表示为Al-Ag (200nm)/VOPc (20nm) /TPD(40nm)/Rubrene(1nm)/BCP(40nm)LiF(lnm)/Yb(30nm)；
[0161]其中，VOPc和LiF的蒸镀速率为0.lnm/s, TPD、Rubrene和BCP的蒸镀速率为
0.0 lnm/s, Al-Ag 和 Yb 的蒸锻速率为 0.2nm/ s ；
[0162](4)将封装层设置在阴极表面，使衬底与封装层之间形成封闭空间，阳极、功能层及阴极容置在该封闭空间内，封装层通过以下步骤制得:
[0163]d.取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在690° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子；
[0164]e.将步骤(3)制得的产品置于真空沉积室中，通入气态单体分子，气态单体分子聚合并形成聚对二甲苯薄膜；
[0165]f.在真空度为IX 10_4Pa的溅射镀膜室中，在聚对二甲苯薄膜上溅射制备氮化硅薄膜，溅射条件为加速电压600V，磁场150G，功率密度35W/cm2 ；
[0166]重复步骤d?f共4次，制得封装层，最终得到有机电致发光器件。
[0167]对比例
[0168]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤:
[0169](I)提供厚度为0.05mm的不锈钢金属薄片作为衬底；
[0170](2)在衬底上制备缓冲层:
[0171]a.取固态对二甲苯环二体，于170° C下升华为气态后，再在690° C下裂解，得到具有自由基的对二甲苯的气态单体分子；
[0172]b.将衬底置于真空沉积室中，通入气态单体分子，气态单体分子在衬底上聚合并形成聚对二甲苯薄膜；
[0173]c.在真空度为5X 10_4Pa的溅射镀膜室中，在聚对二甲苯薄膜上溅射制备二氧化硅薄膜，溅射条件为加速电压500V，磁场100G，功率密度20W/cm2 ；
[0174]重复步骤a?c共5次，制得缓冲层；
[0175](3)在真空度为5X10_4的真空镀膜系统中，在缓冲层上依次热阻蒸镀制备阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
[0176]具体地，阳极的材质为Ag,厚度为10nm ;空穴注入层的材质为CuPc,厚度为20nm ；空穴传输层的材质为NPB,厚度为30nm;发光层的材质为Ir (ppy) 3掺杂在CBP中，Ir (ppy) 3的掺杂质量分数为10%,厚度为1nm ;电子传输层的材质为Bphen,厚度为30nm ;电子注入层的材质为LiF,厚度为Inm ;阴极的材质为Ag,厚度为25nm,结构具体表示为Ag(10nm)/CuPc (20nm) /NPB (30nm) /Ir (ppy) 3: CBP (10%, 1nm) /Bphen (30nm) /LiF (lnm) /Ag (25nm)；
[0177]其中，CuPc和LiF的蒸镀速率为0.lnm/s, NPB、Ir (ppy) 3掺杂在CBP中形成的混合物和Bphen的蒸镀速率为0.0 lnm/s, Ag的蒸镀速率为0.2nm/s ；
[0178]最终得到有机电致发光器件。
[0179]表1是实施例1~4在不同弯曲次数下的亮度。在经过多次挠曲后，实施例1~4中的阳极能够保持良好的完整性，由于采用了聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜交替重叠组成的缓冲层，能够抵消在挠曲操作时，多层薄膜之间产生的内部应力，因而可以使薄膜能够很好的结合附在不锈钢金属薄片衬底上，不会发生裂痕、针孔、脱落等情况；器件经过多次挠曲仍保持较好的完整性，不会产生各层间挠曲形变不一致的现象，亮度变化小，在经过1000次的挠曲，其亮度能保持起始亮度的80%。
[0180]表1实施例1~4在不同弯曲次数下的亮度
[0181]
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，在衬底上依次层叠设置阳极、功能层及阴极，在所述阴极表面设置封装层，使衬底与封装层之间形成封闭空间，所述阳极、功能层及阴极容置在所述封闭空间内，其特征在于:所述衬底和阳极之间设置有缓冲层，所述缓冲层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜，所述缓冲层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝；所述封装层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜，所述封装层中的无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述缓冲层中聚对二甲苯薄膜的厚度为300?2000nm，无机物薄膜的厚度为200?lOOOnm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述缓冲层为交替层叠3?6次的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装层中聚对二甲苯薄膜的厚度为300?2000nm，无机物薄膜的厚度为200?lOOOnm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤: (1)提供衬底； (2)在所述衬底上制备缓冲层，所述缓冲层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜: 将对二甲苯环二体热裂解，再聚合形成聚对二甲苯薄膜；在所述聚对二甲苯薄膜上溅射制备无机物薄膜，所述无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝，溅射条件为真空度I X I(T5?I X 10，a，加速电压300?800V,磁场50?200G,功率密度I?40ff/cm2 ； (3)在所述缓冲层上依次热阻蒸镀制备阳极、功能层和阴极； 其中，所述热阻蒸镀条件为压强1X10_5?lX10_3Pa，蒸镀速率为0.01?2nm/s ； (4)将封装层设置在所述阴极表面，使衬底与封装层之间形成封闭空间，所述阳极、功能层及阴极容置在所述封闭空间内，所述封装层包括交替层叠的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜，所述封装层通过以下步骤制得: 将对二甲苯环二体热裂解，再聚合形成聚对二甲苯薄膜；在所述聚对二甲苯薄膜上溅射制备无机物薄膜，所述无机物薄膜为二氧化硅、氮化硅或氧化铝，溅射条件为真空度I X I(T5?I X 10，a，加速电压300?800V,磁场50?200G,功率密度I?40ff/cm2 ； 最终得到所述有机电致发光器件。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述缓冲层中聚对二甲苯薄膜的厚度为300?2000nm，无机物薄膜的厚度为200?lOOOnm。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述缓冲层为交替层叠3?6次的聚对二甲苯薄膜和无机物薄膜。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，封装层中聚对二甲苯薄膜的厚度为300?2000nm，无机物薄膜的厚度为200?lOOOnm。
10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。
【文档编号】H01L51/54GK104183709SQ201310192085
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2013年5月22日 优先权日:2013年5月22日
【发明者】周明杰, 冯小明, 张娟娟, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司