有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，阴极包括层叠于电子传输层表面的金属掺杂层、层叠于金属掺杂层表面的铼的氧化物掺杂层及层叠于铼的氧化物掺杂层表面的金属层；金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在低功函数金属中的钝化材料，钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种，低功函数金属的功函数为-2.0eV～-3.5eV；铼的氧化物掺杂层的材料包括铼的氧化物及掺杂在铼的氧化物中的钝化材料；金属层的材料为功函数为-4.0～-5.5eV的金属。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【专利说明】有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。传统的有机电致发光器件的发光效率较低。
【发明内容】
[0003]基于此，有必要提供一种出光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
[0004]—种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极包括层叠于所述电子注入层表面的金属掺杂层、层叠于所述金属掺杂层表面的铼的氧化物掺杂层及层叠于所述铼的氧化物掺杂层表面的金属层；所述金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在所述低功函数金属中的钝化材料，所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种，所述低功函数金属的功函数为-2.0eV?-3.5eV，所述低功函数金属与所述钝化材料的质量比为5:1?30:1 ;所述铼的氧化物掺杂层的材料包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的所述钝化材料，所述铼的氧化物与所述钝化材料的质量比为2:1?10:1 ;所述金属层的材料为功函数为-4.0?-5.5eV的金属。
[0005]在其中一个实施例中，所述金属掺杂层的厚度为30nm?10nm ;所述铼的氧化物掺杂层的厚度为5nm?30nm ;所述金属层的厚度为10nm?300nm。
[0006]在其中一个实施例中，所述低功函数金属选自镁、锶、钙及镱中的至少一种。
[0007]在其中一个实施例中，所述金属层的材料选自银、铝、钼及金中的至少一种。
[0008]在其中一个实施例中，所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼及三氧化二铼中的至少一种。
[0009]一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0010]在阳极基底的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层 '及
[0011]在所述电子注入层表面蒸镀制备阴极，所述阴极包括层叠于所述电子注入层表面的金属掺杂层、层叠于所述金属掺杂层表面的铼的氧化物掺杂层及层叠于所述铼的氧化物掺杂层表面的金属层，所述金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在所述低功函数金属中的钝化材料，所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种，所述低功函数金属的功函数为-2.0eV?-3.5eV,所述低功函数金属与所述钝化材料的质量比为5:1?30:1，所述铼的氧化物掺杂层的材料包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的所述钝化材料，所述铼的氧化物与所述钝化材料的质量比为2:1?10:1 ;所述金属层的材料为功函数为-4.0?-5.5eV的金属。
[0012]在其中一个实施例中，所述金属掺杂层的厚度为30nm?10nm ;所述铼的氧化物掺杂层的厚度为5nm?30nm ;所述金属层的厚度为10nm?300nm。
[0013]在其中一个实施例中，所述低功函数金属选自镁、锶、钙及镱中的至少一种。
[0014]在其中一个实施例中，所述金属层的材料选自银、铝、钼及金中的至少一种。
[0015]在其中一个实施例中，所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼及三氧化二铼中的至少一种。
[0016]上述有机电致发光器件及其制备方法，通过制备复合阴极，提高出光效率，在电子注入层之上先制备一层金属掺杂层，由钝化材料和低功函数金属组成，钝化材料可以提高有机电致发光器件的稳定性，防止水氧渗透到有机电致发光器件中，低功函数金属功函数较低，有利于电子的注入，提高注入效率，同时，提高有机电致发光器件的导电性，然后制备一层铼的氧化物掺杂层，由铼的氧化物与钝化材料组成，铼的氧化物功函数较低，约为-6.5eV?-7.2eV，可阻挡空穴穿越到阴极与电子复合淬灭，且蒸发温度较低，在300?800°C左右，加入钝化材料可提高铼的氧化物掺杂层的稳定性，最后制备一层高功函数金属层，提高有机电致发光器件的导电性和光的反射性能，从而有机电致发光器件的发光效率较闻。
【专利附图】
【附图说明】
[0017]图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；
[0018]图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
[0019]图3为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率关系图。
【具体实施方式】
[0020]下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
[0021]请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的阳极基底40、空穴注入层50、空穴传输层60、发光层70、电子传输层80、电子注入层85及阴极90。
[0022]阳极基底40为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃(AZO)或铟锌氧化物玻璃(ΙΖ0)，优选为 ITOo
[0023]空穴注入层50形成于阳极基底40的表面。空穴注入层50的材料选自三氧化钥(MoO3)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种，优选为W03。空穴注入层50的厚度为20nm?80nm,优选为65nm。
[0024]空穴传输层60形成于空穴注入层50的表面。空穴传输层60的材料选自1,1_ 二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺(NPB)中的至少一种，优选为TCTA。空穴传输层60的厚度为20nm?60nm，优选为55nm。
[0025]发光层70形成于空穴传输层60的表面。发光层70的材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-联苯(BCzVBi )及8-羟基喹啉招(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。发光层70的厚度为5nm?40nm,优选为18nm。
[0026]电子传输层80形成于发光层70的表面。电子传输层80的材料选自4，7_ 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层80的厚度为40nm?300nm,优选为90nm。
[0027]电子注入层85形成于电子传输层80的表面。电子注入层85的材料选自碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)及氟化锂(LiF)中的至少一种，优选为LiF。电子注入层85的厚度为0.5nm?1nm,优选为1.5nm。
[0028]阴极90包括层叠于电子注入层85表面的金属掺杂层92、层叠于金属掺杂层92表面的铼的氧化物掺杂层94及层叠于铼的氧化物掺杂层94表面的金属层96。
[0029]金属掺杂层92的材料包括低功函数金属及掺杂在低功函数金属中的钝化材料。低功函数金属的功函数为-2.0eV?-3.5eV。钝化材料选自二氧化硅(Si02)、氧化铝(A1203)、氧化镍(N1)及氧化铜(CuO)中的至少一种。低功函数金属与钝化材料的质量比为5:1?30:1。金属掺杂层92的厚度为30nm?lOOnm。优选的，低功函数金属选自镁(Mg)、银(Sr)、|丐(Ca)及镱(Yb)中的至少一种。
[0030]铼的氧化物掺杂层94的材料包括铼的氧化物及掺杂在铼的氧化物中的钝化材料。铼的氧化物与钝化材料的质量比为2:1?10:1。钝化材料选自二氧化硅(Si02)、氧化铝(Al2O3)、氧化镍(Ni O)及氧化铜(CuO)中的至少一种。铼的氧化物掺杂层94的厚度为5nm?30nm。优选的，铼的氧化物选自七氧化二铼(Re2O7)、二氧化铼(ReO2)、三氧化铼(ReO3)及三氧化二铼(Re2O3)中的至少一种。
[0031]金属层96的材料为功函数为-4.0?-5.5eV的高功函数金属。金属层96的厚度为10nm?300nm。优选的，金属层96的材料选自银(Ag)、铝(Al )、钼(Pt)及金(Au)中的至少一种。
[0032]上述有机电致发光器件100，通过制备复合阴极90，提高出光效率，在电子注入层80之上先制备一层金属掺杂层92，由钝化材料和低功函数金属组成，钝化材料可以提高有机电致发光器件的稳定性，防止水氧渗透到有机电致发光器件中，低功函数金属功函数较低，有利于电子的注入，提高注入效率，同时，提高有机电致发光器件的导电性，然后制备一层铼的氧化物掺杂层94，由铼的氧化物与钝化材料组成，铼的氧化物功函数较低，约为-6.5eV?-7.2eV，可阻挡空穴穿越到阴极与电子复合淬灭，且蒸发温度较低，在300?800°C左右，加入钝化材料可提高铼的氧化物掺杂层的稳定性，最后制备一层高功函数金属层96,提高有机电致发光器件的导电性和光的反射性能,从而有机电致发光器件的发光效率较高。
[0033]可以理解，该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
[0034]请同时参阅图2，一实施例的有机电致发光器件100的制备方法，其包括以下步骤:
[0035]步骤S110、在阳极基底40的表面依次蒸镀制备空穴注入层50、空穴传输层60、发光层70、电子传输层80及电子注入层85。
[0036]阳极基底40为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃(AZO)或铟锌氧化物玻璃(ΙΖ0)，优选为 ITOo
[0037]本实施方式中，在阳极基底40的表面蒸镀制备空穴注入层50之前先对阳极基底40进行预处理。对阳极基底40预处理为:将阳极基底40先进行光刻处理，剪裁成所需要的大小后，依次采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min，以去除阳极基底40表面的有机污染物。
[0038]空穴注入层50形成于阳极基底40的表面。空穴注入层50的材料选自三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的至少一种，优选为W03。空穴注入层50的厚度为20nm?80nm，优选为65nm。空穴注入层50由蒸镀制备。蒸镀在真空压力为2 X KT3Pa?5 X ICT5Pa下进行,蒸镀速率为lnm/s?10nm/s。
[0039]空穴传输层60形成于空穴注入层50的表面。空穴传输层60的材料选自I, 1-二[4-[N，N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺(NPB)中的至少一种，优选为TCTA。空穴传输层60的厚度为20nm?60nm，优选为55nm。空穴传输层60由蒸镀制备。蒸镀时，蒸镀在真空压力为2X 10_3Pa?5X 10_5Pa下进行，蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/ s
[0040]发光层70形成于空穴传输层60的表面。发光层70的材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4，4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I'-联苯(BCzVBi )及8-羟基喹啉招(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。发光层70的厚度为5nm?40nm,优选的18nm。发光层70由蒸镀制备。蒸镀在真空压力为2X10_3Pa?5X10_5Pa下进行，蒸镀速率为0.1nm/s ?lnm/s ο
[0041]电子传输层80形成于发光层70的表面。电子传输层80的材料选自4，7-二苯基-1，I O-菲罗啉(Bphen )、I，2，4-三唑衍生物(如TAZ )及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种，优选为TAZ。电子传输层80的厚度为40nm?300nm,优选为90nm。电子传输层80由蒸镀制备。蒸镀在真空压力为2X10_3Pa?5X 10_5Pa下进行,蒸镀速率为0.lnm/s?lnm/S。
[0042]电子注入层85形成于电子传输层80的表面。电子注入层85的材料选自碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)及氟化锂(LiF)中的至少一种，优选为LiF。电子注入层85的厚度为0.5nm?1nm,优选为1.5nm。电子注入层85由蒸镀制备。蒸镀在真空压力为2 X 10 3Pa?5 X 10 5Pa下进行，蒸镀速率为lnm/s?I Onm/S0
[0043]步骤S120、在电子注入层85的表面蒸镀制备阴极90。
[0044]阴极90包括层叠于电子注入层85表面的金属掺杂层92、层叠于金属掺杂层92表面的铼的氧化物掺杂层94及层叠于铼的氧化物掺杂层94表面的金属层96。
[0045]金属掺杂层92的材料包括低功函数金属及掺杂在低功函数金属中的钝化材料。低功函数金属的功函数为-2.0eV?-3.5eV。钝化材料选自二氧化硅(Si02)、氧化铝(A1203)、氧化镍(N1)及氧化铜(CuO)中的至少一种。低功函数金属与钝化材料的质量比为5:1?30:1。金属掺杂层92的厚度为30nm?lOOnm。优选的，低功函数金属选自镁(Mg)、锶(Sr)、钙(Ca)及镱(Yb)中的至少一种。金属掺杂层92由电子束蒸镀制备。电子束蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm2。
[0046]铼的氧化物掺杂层94的材料包括铼的氧化物及掺杂在铼的氧化物中的钝化材料。铼的氧化物与所述钝化材料的质量比为2:1?10:1。钝化材料选自二氧化硅(Si02)、氧化铝(A1203)、氧化镍(N1)及氧化铜(CuO)中的至少一种。铼的氧化物掺杂层94的厚度为5nm?30nm。优选的,铼的氧化物选自七氧化二铼(Re207)、二氧化铼(ReO2)、三氧化铼(ReO3)及三氧化二铼(Re2O3)中的至少一种。铼的氧化物掺杂层94由电子束蒸镀制备。电子束蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm2。
[0047]金属层96的材料为功函数为-4.0?-5.5eV的高功函数金属。金属层96的厚度为10nm?300nm。优选的，金属层96的材料选自银(Ag)、铝(Al )、钼(Pt)及金(Au)中的至少一种。金属层96由热蒸镀制备。蒸镀在真空压力为2X10_3Pa?5X10_5Pa下进行，蒸锻速率为lnm/s?10nm/s。
[0048]上述有机电致发光器件制备方法，工艺简单。
[0049]以下结合具体实施例对有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
[0050]本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0051]实施例1
[0052]本实施例制备结构为ITO 玻璃 /W03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Mg: Si02/Re207:Ni0/Au 的有机电致发光器件。其中，“/”表示层叠结构，“:”表示掺杂或混合，以下实施例相同。
[0053]先将ITO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；蒸镀空穴注入层:材料为W03，厚度为65nm ;蒸镀空穴传输层:材料为TCTA，厚度为55nm;蒸镀发光层:所选材料为Alq3，厚度为18nm ;蒸镀电子传输层，材料为TAZ，厚度为90nm ;蒸镀电子注入层，材料为LiF，厚度为1.5nm ;然后蒸镀复合阴极，由金属掺杂层、铼的氧化物掺杂层和金属层组成。先制备金属掺杂层，材料包括为Mg及S12, Mg与S12的质量比为10:1，采用电子束制备，厚度为7011111。接着制备铼的氧化物掺杂层，材料包括Re2O7及N1，Re2O7与N1的质量比为4:1，采用电子束制备，厚度为10nm。接着制备金属层，材料为Au，采用热阻蒸镀，厚度为150nm。最后得到所需要的有机电致发光器件。制备的工作压强为8X 10_5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为3nm/s。电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2。
[0054]请参阅图3，所示为实施例1中制备的结构为ITO玻璃/W03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Mg:Si02/Re207:Ni0/Au的有机电致发光器件(曲线I)与对比例制备的结构为ITO玻璃/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的有机电致发光器件(曲线2)的电流密度与流明效率的关系。对比例制备有机电致发光器件的步骤及各层厚度与实施例1均相同。
[0055]从图上可以看到，在不同的电流密度下，实施例1有机电致发光器件的流明效率都比对比例的要大,实施例1的有机电致发光器件的最大流明效率为10.lllm/W，而对比例的仅为6.581m/ff,同时，随着电流密度的提高，实施例1的流明效率衰减更慢，这说明，制备复合阴极有利于电子的注入，提高注入效率，同时，提高有机电致发光器件的导电性，阻挡空穴穿越到阴极与电子复合淬灭，提高掺杂层的稳定性，提高有机电致发光器件的导电性和光的反射性能，这种复合阴极可有效提高发光效率。。
[0056]以下各个实施例制备的有机电致发光器件的亮度都与实施例1相类似，各有机电致发光器件也具有类似的流明效率，在下面不再赘述。
[0057]实施例2
[0058]本实施例制备结构为AZO 玻璃 /V205/NPB/ADN/Bphen/CsF/Sr:Al203/Re02:Si02/Al的有机电致发光器件。
[0059]先将AZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，蒸镀制备空穴注入层，材料为V2O5,厚度为SOnm ;蒸镀空穴传输层，材料为NPB，厚度为60nm ;蒸镀发光层,材料为ADN,厚度为5nm ;蒸镀电子传输层,材料为Bphen,厚度为200nm ；蒸镀电子注入层，材料为CsF，厚度为1nm ;蒸镀复合阴极，由金属掺杂层、铼的氧化物掺杂层和金属层组成。先制备金属掺杂层，材料包括Sr及Al2O3, Sr与Al2O3的质量比为5:1，采用电子束制备，厚度为lOOnm。接着制备铼的氧化物掺杂层，材料包括ReO2及S12, ReO2与S12的质量比为2:1，采用电子束制备，厚度为5nm。接着制备金属层，材料为Al，采用热阻蒸镀，厚度为lOOnm。最后得到所需要的有机电致发光器件。制备的工作压强为2X10_3Pa，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s。电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2。
[0060]实施例3
[0061]本实施例制备结构为IZO 玻璃 /Mo03/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03/Ca: N1/ReO3: Al2O3Ag的有机电致发光器件。
[0062]先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，蒸镀制备空穴注入层，材料为MoO3，厚度为20nm ;蒸镀空穴传输层，材料为TAPC，厚度为30nm ;蒸镀发光层，材料为BCzVBi，厚度为40nm ;蒸镀电子传输层，材料为TPBi，厚度为60nm ;蒸镀电子注入层,材料为Cs2CO3,厚度为0.5nm ;蒸镀复合阴极，由金属掺杂层、铼的氧化物掺杂层和金属层组成。先制备金属掺杂层，材料包括Ca及N1，Ca与N1的质量比为30:1，采用电子束制备，厚度为30nm。接着制备铼的氧化物掺杂层，材料包括ReO3及Al2O3,ReO3与Al2O3的掺杂质量比为10:1，采用电子束制备，厚度为3011111。接着制备金属层，材料为Ag。采用热阻蒸镀，厚度为300nm。最后得到所需要的有机电致发光器件。制备的工作压强为5X l(T5Pa,有机材料的蒸镀速率为lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s。电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2。
[0063]实施例4
[0064]本实施例制备结构为IZO 玻璃 /W03/TCTA/DCJTB/Bphen/CsN3/Yb:Cu0/Re203:Cu0/Pt的有机电致发光器件。
[0065]先将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，蒸镀制备空穴注入层，材料为WO3,厚度为30nm ;蒸镀空穴传输层，材料为TCTA，厚度为50nm ;蒸镀发光层，材料为DCJTB，厚度为5nm ;蒸镀电子传输层，材料为Bphen，厚度为40nm ;蒸镀电子注入层，材料为CsN3,厚度为Inm ;蒸镀复合阴极，由金属掺杂层、铼的氧化物掺杂层和金属层组成。先制备金属掺杂层，材料包括Yb及CuO，Yb与CuO的掺杂质量比为20:1，采用电子束制备，厚度为80nm。接着制备铼的氧化物掺杂层，材料包括Re2O3及CuO，Re2O3与CuO的掺杂质量比为8:1，采用电子束制备，厚度为25nm。接着制备金属层，材料为Pt。采用热阻蒸镀，厚度为250nm。最后得到所需要的有机电致发光器件。制备的工作压强为5X 10_4Pa，有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为5nm/s。电子束蒸镀的能量密度为30W/cm2。
[0066]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极，所述阴极包括层叠于所述电子注入层表面的金属掺杂层、层叠于所述金属掺杂层表面的铼的氧化物掺杂层及层叠于所述铼的氧化物掺杂层表面的金属层；所述金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在所述低功函数金属中的钝化材料，所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种，所述低功函数金属的功函数为-2.0eV?-3.5eV，所述低功函数金属与所述钝化材料的质量比为5:1?30:1 ;所述铼的氧化物掺杂层的材料包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的所述钝化材料，所述铼的氧化物与所述钝化材料的质量比为2:1?10:1 ;所述金属层的材料为功函数为-4.0?-5.5eV的金属。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为30nm?10nm ;所述铼的氧化物掺杂层的厚度为5nm?30nm ;所述金属层的厚度为10nm?300nmo
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述低功函数金属选自镁、锶、钙及镱中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属层的材料选自银、铝、钼及金中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼及三氧化二铼中的至少一种。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤: 在阳极基底的表面依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层；及 在所述电子注入层的表面蒸镀制备阴极，所述阴极包括层叠于所述电子注入层表面的金属掺杂层、层叠于所述金属掺杂层表面的铼的氧化物掺杂层及层叠于所述铼的氧化物掺杂层表面的金属层，所述金属掺杂层的材料包括低功函数金属及掺杂在所述低功函数金属中的钝化材料，所述钝化材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化镍及氧化铜中的至少一种，所述低功函数金属的功函数为-2.0eV?-3.5eV，所述低功函数金属与所述钝化材料的质量比为5:1?30:1，所述铼的氧化物掺杂层的材料包括铼的氧化物及掺杂在所述铼的氧化物中的所述钝化材料，所述铼的氧化物与所述钝化材料的质量比为2:1?10:1 ;所述金属层的材料为功函数为-4.0?-5.5eV的金属。
7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述金属掺杂层的厚度为30nm?10nm ;所述铼的氧化物掺杂层的厚度为5nm?30nm ;所述金属层的厚度为 10nm ?300nm。
8.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述低功函数金属选自镁、锶、钙及镱中的至少一种。
9.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述金属层的材料选自银、铝、钼及金中的至少一种。
10.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于:所述铼的氧化物选自七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼及三氧化二铼中的至少一种。
【文档编号】H01L51/50GK104347802SQ201310339583
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2013年8月6日 优先权日:2013年8月6日
【发明者】周明杰, 黄辉, 冯小明, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司