场效应晶体管装置及其制造方法

场效应晶体管装置及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种场效应晶体管装置及其制造方法。该场效应晶体管装置包括：衬底；依序配置于该衬底之上的缓冲层、沟道层及第一阻障层；配置于该第一阻障层之上的二维电子气控制层，其中该二维电子气控制层具有大于或等于5nm的厚度；配置于该二维电子气控制层之上的第二阻障层，其中该第二阻障层具有贯穿该第二阻障层的贯孔；以及,填入该贯孔的栅极，其中该栅极通过绝缘层与该第二阻障层以及该二维电子气控制层相隔。
【专利说明】场效应晶体管装置及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种场效应晶体管装置及其制造方法，尤其涉及一种常关型场效应晶体管装置及其制造方法。
【背景技术】
[0002]由于氮化物半导体具有高的击穿电场(electric breakdown field)以及高电子饱和速度(high electron saturation velocity),因此氮化物半导体可作为半导体装置的材料以提高该装置的击穿电压(breakdown voltage)以及降低装置的开启电阻。具有氮化物半导体层的传统半导体装置一般具有异质结。该异质结由两种彼此具有不同带隙的氮化物半导体所构成，且可产生二维电子气层(two-dimensional electron gas (2DEG)layer)邻近该结。此外，具有异质结的半导体装置可通过将电流通过该二维电子气层来降低开启电阻。上述半导体装置一般称为高电子迁移率晶体管(high electron mobilitytransistor、HEMT)。
[0003]此类型半导体装置一般具有栅极结构来控制电流的导通与否。该栅极结构具有异质结，且栅极结构的栅极面向该异质结。具有高密度的二维电子气层产生于接近该异质结的区域。传统半导体装置利用该二维电子气层作为沟道，使得该半导体装置具有较低的开启电阻。当没有施加电压于该栅极时，源极与漏极间具有电子流，因此该半导体装置为常开型半导体装置。当提供负电压来擦除位于栅极下方的电子气层时，则可关闭该常开型高电子迁移率晶体管。然而，由于可提供该负电压的设备过于复杂且昂贵，因此使得常开型半导体装置在使用上并不方便。
[0004]业界提出部份移除电子补给层(electron supply layer)以露出部份电子转输层，并将栅极配置于该部份露出的电子转输层之上的绝缘层(即栅极贯孔工艺)，以使高电子迁移率晶体管成为常关型(normally-off)晶体管。然而，上述在电子补给层内形成贯孔的作法易因为孔贯深度掌控不易产生工艺错误，导致晶体管的阈值电压(thresholdvoltage)实质改变。因此，当电子供给层与位于其下的膜层间的蚀刻选择性较差异时，会导致晶体管的阈值电压不一致，使得可靠性下降。
[0005]基于上述，业界需要一种新颖的场效应晶体管装置以解决上述问题。

【发明内容】

[0006]根据本发明一实施例，该场效应晶体管装置(例如一种常关型异质结场效应晶体管)包括:衬底；依序配置于该衬底之上的缓冲层、沟道层以及第一阻障层；配置于该第一障阻层之上的二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层；配置于该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层之上的第二阻障层,其中该第二阻障层具有贯穿该第二障阻层的贯孔；以及填入该贯孔的栅极，其中该栅极通过绝缘层与该第二阻障层以及该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层相隔。值得注意的是，为使该场效应晶体管可成为常关型场效应晶体管，该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层具有足够的厚度(例如大于或等于5nm)，以避免产生二维电子气于位于该栅极下方的该沟道层。
[0007]根据其它实施例，本发明所述的场效应晶体管装置可包括:衬底；依序配置于该衬底之上的缓冲层、沟道层及第一阻障层；配置于该第一障阻层之上的二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层，其中该二维电子气(two-dimensionalelectron gas)控制层具有大于或等于5nm的厚度；配置于该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层之上的第二阻障层,其中该第二阻障层具有贯穿该第二障阻层的贯孔；以及，填入该贯孔的栅极，其中该栅极通过绝缘层与该第二阻障层以及该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层相隔。
[0008]根据某些实施例，本发明亦提供上述场效应晶体管装置的制造方法，包括:提供衬底；依序形成缓冲层、沟道层以及第一阻障层于该衬底之上；形成二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层于该第一障阻层之上，其中该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层具有大于或等于5nm的厚度；形成第二阻障层于该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层之上；对该第二阻障层进行图形化以形成贯穿该第二障阻层的贯孔；以及，形成絶缘层以覆盖该贯孔的侧壁以及下表面，并填入栅极于该贯孔中。
[0009]为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举出优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。
【专利附图】

【附图说明】
[0010]图1为一剖面结 构示意图，用以说明本发明一实施例所述的场效应晶体管装置。
[0011]图2A-2F为一系列剖面结构示意图，用以说明图1所示的场效应晶体管装置的制造方式。
[0012]图3为图2B所示结构的仿真能带分布图(band diagram)。
[0013]图4为图2C所示结构的仿真能带分布图(band diagram)。
[0014]图5A及5B为剖面结构示意图，用以说明本发明其它实施例所述的场效应晶体管
>J-U ρ?α装直。
[0015]图6、8、及10分别为场效应晶体管装置(I)-(III)其存取区域的能带分布图。
[0016]图7、9及11分别为场效应晶体管装置(I)-(III)其栅极位置区的能带分布图。
[0017]在不同的特征中所对应的数字和符号，除非另有注记，一般而言视为对应部份。所绘示的特征清楚地标明了【具体实施方式】的相关形态，且其并不一定依比例绘制。
[0018]其中，附图标记说明如下:
[0019]10场效应晶体管装置14衬底
[0020]16缓冲层18沟道层
[0021]20第一阻障层22 二维电子气控制层
[0022]24第二阻障层25 二维电子气控制层上表面
[0023]26贯孔27盖层
[0024]28源极30漏极
[0025]32第一保护层34絶缘层[0026]36栅极38第二保护层
[0027]40源极接触栓42漏极接触栓
[0028]50栅极位置区60存取区域
[0029]Tl第一阻障层厚度 T2 二维电子气控制层厚度
[0030]T3栅极位置区二维电子气控制层厚度
【具体实施方式】
[0031]以下以各实施例详细说明并伴随着【专利附图】

【附图说明】的范例，做为本发明的参考依据。且在附图中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，图式中各元件的部分将以分别描述说明之，值得注意的是，图中未绘示或描述的元件，为本领域技术人员所知的形式，此外，特定的实施例仅为公开本发明使用的特定方式，其并非用以限定本发明。
[0032]本发明提供一种常关型场效应晶体管装置(例如一种常关型异质结场效应晶体管)，其具有一致的阈值电压以及高可靠性。
[0033]请参照图1，其绘示场效应晶体管装置10 (例如异质结场效应晶体管)，其包括衬底14。该衬底14可为碳化娃基板,监宝石基板、娃基板、氣化招、氣化嫁基板、或氧化锋基板。虽然未绘示于图1，过渡层(transition layer)或成核层(nucleation layer)可形成于该衬底之上，以促进后续半导体层的形成。该成核层(nucleation layer)可与衬底具有相同的导电性质。
[0034]缓冲层16、沟道层18以及第一阻障层20依序配置于该衬底14之上。该缓冲层16提供较为平整的结晶面，以利后续外延工艺，因此该缓冲层16可视需被选用来改善外延层的性质。该缓冲层16可为单层膜层，例如为氮化铝层；此外，该缓冲层16亦可为复合层，例如为氮化铝镓与氮化铝的复合层。该沟道层18包括GaN或AlGaN。值得注意的是，该缓冲层16以及该沟道层18的厚度并无限定，可依工艺需要而加以调整。在本发明一实施例中，该缓冲层16的材质可为A1N，且其厚度可为500nm。该沟道层18的材质可为AlxGa(1_x)N(0≤X≤0.5)，且其厚度可为500nm。该第一阻障层20可包括具有能隙大于沟道层18的材料，以降低该沟道层18的阻抗。举例来说，该第一阻障层20的材质可为AlyGa(1_y)N (0.05≤y≤0.5)。值得注意的是，y大于X，以确保该第一阻障层20的能隙大于该沟道层18。该第一阻障层20的厚度Tl可介于1-1Onm,例如5nm。当第一阻障层20的厚度Tl小于Inm时，该第一阻障层无法具有阻抗性质，不易使该场效应晶体管装置10具有双沟道构造。另一方面，如果第一阻障层20的厚度Tl大于IOnm时，后续所形成的二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22的厚度也必需增加，如此一来会窄化工艺容许度，并增加工艺复杂度。
[0035]二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22形成于该第一阻障层20之上。根据本发明实施例，该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22可用来增加位于栅极位置区(gate-located region) 50的导带(conduction band、EC)电子。因此，可使得图1所示的场效应晶体管装置10成为具有双沟道构造的晶体管装置。值得注意的是，为达到上述功效，该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22必需具有足够的厚度，即该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22的厚度T2大于或等于5nm。举例来说，该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22 的厚度 T2 可介于 5-1000nm,例如 5-100nm、5-200nm、5-300nm、5-400nm、或 5_500nm。当该二维电子气控制层22的厚度T2小于5nm时，易使得位于该栅极位置区50的二维电子气控制层22具有高二维电子气浓度，导致该场效应晶体管装置10无法成为常关型晶体管装置。另一方面，当该二维电子气控制层22的厚度T2大于IOOOnm时，场效应晶体管装置10的沟道层18将具有相对低或接近零的二维电子气浓度，导致该场效应晶体管装置10不具有双沟道构造。根据本发明实施例，该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层的材质可为AlzGa(1_z)N,其中z为O?0.5,且y大于z。
[0036]形成具有贯孔26的第二阻障层24于该二维电子气(two-dimensional electrongas)控制层22之上，其中贯孔26位于该栅极位置区50内，且栅极结构(包括絶缘层及栅极)配置于该贯孔26内。该第二阻障层24的厚度可视需要可加以调整，例如可介于l-100nm。根据本发明实施例，该第二阻障层24的材质可为AlhIn(1_h)N,其中h为
0.8?I。由于该第二阻障层24具有高铝含量，可促使位于存取区域60内的二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层 22 的导带(conduction band、EC)电子跨越费米能级(Fermi level、EF),因此可增加位于存取区域60内的二维电子气控制层22的二维电子气浓度。此外，该第二阻障层24亦可进一步被碱性溶液(例如KOH水溶液)所蚀亥1J。尤其，当该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层的材质为GaN(即z为0)时，可利用该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22作为蚀刻停止层以湿蚀刻方式蚀刻位于栅极位置区50内的第二阻障层24，来形成该贯孔26。因此，该贯孔26露出该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22的上表面。由于氮化铝铟容易自发极化，使得该第二阻障层24(材质为氮化铝铟)可避免电子由二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22逸散出，因此可促使该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22作为第二沟道(该沟道层18为第一沟道)。值得注意的是，该沟道层18具有第一二维电子气浓度,而该二维电子气(two-dimensionalelectron gas)控制层具有第二二维电子气浓度,其中该第二二维电子气浓度大于该第一二维电子气浓度。根据本发明实施例，为确保二维电子气产生于该第二阻障层24以及该第一阻障层20之间，该第二阻障层的能隙(energy gap)必需大于该沟道层的能隙(energygap) ο根据本发明实施例，AlN层(未绘示)可形成于该二维电子气(two-dimensionalelectron gas)控制层22以及该第二阻障层24之间，以加强场效应晶体管装置10的电子迁移率(mobility)以及降低其片电阻。
[0037]源极28及漏极30形成于该第二阻障层24之上，其中该源极28及该漏极30彼此相隔并配置于该第二阻障层26上。此外，该源极28及该漏极30可为相同材料并在同一步骤中形成。该源极28及该漏极30的材质并无限定，可为现有适合作为源极及漏极的材料。第一保护层32形成于该第二阻障层24之上并覆盖该源极28及该漏极30。此外，该贯孔26贯穿该第二阻障层24以及该第一保护层32。该第一保护层32可为氧化物层，例如氧化硅层。絶缘层34顺应性形成于该第一保护层32之上，并覆盖该贯孔26的侧壁及下表面。栅极36 (例如肖特基电极(Schottky electrode))被填入该贯孔26中。举例来说,该絶缘层34可为氧化招层，以降低栅极漏电流以及增加栅极的击穿电压(breakdown voltage)。该栅极36的材料并无限制，可为现有适合作为栅极的材料。为使该晶体管装置具有高电流，源极接触栓40以及漏极接触栓42分别与该源极28及该漏极30电连接。该源极接触栓40及漏极接触栓42可用来达到多个场效应晶体管的并联联结。根据本发明实施例，该场效应晶体管装置10的电子迁移率(mobility)可大于800cm2/Vs。
[0038]根据本发明其它实施例，本发明亦提供上述场效应晶体管装置的制造方法。
[0039]首先，请参照图2A，提供具有栅极位置区50及存取区域60的衬底14 (例如蓝宝石基板)。接着，缓冲层16(例如复合层AlwGa(1_w)N/AlN，0≤w≤0.5)、沟道层18(例如GaN层)、及第一阻障层20(例如AlxGa(1_x)N层,O < X < 0.5)依序形成于该衬底之上。形成该缓冲层16、该沟道层18、及该第一阻障层20的方法可例如为有机金属化学气相沉积法(metal-organic chemical vapor deposition、M0CVD)。
[0040]接着，请参照图2B, 二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22 (例如GaN层)形成于该第一阻障层20之上,其中该二维电子气(two-dimensional electrongas)控制层22具有大于或等于5nm的厚度，例如20nm。请参照图3，其为图2b所示的沟道层(GaN)/ 第一阻障层(AlxGa(h)N/AlN, (O ^ x ^ 0.5)) / 二维电子气(two-dimensionalelectron gas)控制层(GaN))叠层结构的能带分布图(band diagram)(以 ID Poisson( 一种用来计算半导体能带分布的软件)进行摸拟)。由于该二维电子气(two-dimensionalelectron gas)控制层22具有足够的厚度(例如大于或等于5nm),可增加位于栅极位置区50内的导带(conduction band、EC)电子的能级。当导带(conduction band、EC)以及该费米能级(Fermi I eve I, EF)之间的距离大于或等于零时，不会产生二维电子气浓度于该沟道层20。因此,通过该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22,本发明所述的场效应晶体管可作为常关型场效应晶体管。
[0041]接着，请参照图2C,第二阻障层24形成于该二维电子气(two-dimensionalelectron gas)控制层22之上。该第二阻障层24包括AlInN。在本发明一实施例中，该第二阻障层的材质为AlhIn(1_h)N，其中h为0.8-1。由于氮化铝铟易于自发极化，该第二阻障层24(材质为氮化招铟)可避免电子由该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22逸散出去，因此可促使该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22作为第二沟道(该沟道层18为第一沟道)。请参照图4，其为图2C所示的沟道层(GaN)/第一阻障层(AlxGa(h)N/AlN, (O < x < 0.5)) / 二维电子气(two-dimensional electrongas)控制层(GaN))/第二阻障层(AlhIn(1_h)N, 0.8≤h≤I)叠层结构的能带分布图(banddiagram)(以ID Poisson ( 一种用来计算半导体能带分布的软件)进行摸拟)。由于该第二阻障层24易于自发极化,在二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22及该沟道层18的导带(conduction band、EC)电子可跨越费米能级(EF),使得在二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22及该沟道层18产生二维电子气浓度,其中在该沟道层18的二维电子气浓度可通过该第二阻障层24来增强。因此，本发明该场效应晶体管装置10可具有双沟道构造。请参照图1，该沟道层18具有第一二维电子气浓度，而该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层具有第二二维电子气浓度,其中该第二二维电子气浓度大于该第一二维电子气浓度。
[0042]接着，请参照图2D，形成源极28以及漏极30于该第二阻障层24上，其中该源极28及该漏极30可为相同材料并在同一步骤中形成。该源极28及该漏极30的材质并无限定，可为现有适合作为源极及漏极的材料。接着，第一保护层32形成于该第二阻障层24之上，以覆盖该源极28及该漏极30。[0043]接着，请参照图2E，图形化该第一保护层32及该第二阻障层24，以移除位于栅极位置区50的部份该第一保护层32及该第二阻障层24，形成贯孔26。
[0044]由于该第二阻障层24具有高招含量，当该二维电子气(two-dimensionalelectron gas)控制层22的材质为GaN时,可通过湿蚀刻(使用碱性溶液作为蚀刻液)来图形化第二阻障层24,其中该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22作为蚀刻停止层。由于氮化铝铟及氮化镓之间的高蚀刻选择性，可精确控制该贯孔的蚀刻深度，露出该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22的上表面25,且不会移除或损害该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层22。
[0045]接着，请参照图2F,顺应性形成絶缘层(aluminum oxide)于该第一保护层32之上并填入该贯孔26，覆盖该贯孔的侧壁及下表面。形成该絶缘层的方法可例如为原子层沉积法(Atomic Layer Deposition、ALD),以降低栅极漏电流以及增加的击穿电压(breakdownvoltage) 0接着，将栅极36填入该贯孔26。由于位于栅极位置区50且直接位于该栅极36之下的第二阻障层24被完全移除，因此没有二维电子气产生于位于栅极36之下的二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层中，因此所得的场效应晶体管装置可作为常关型场效应晶体管装置。
[0046]最后，形成图形化的第二保护层38于该第一保护层36之上，以及形成源极接触栓40及漏极接触栓42分别与该源极28及该漏极30电接触，获得图1所示的场效应晶体管装置10。
[0047]根据本发明实施例，在形成图2D所示的结构后，用来图形化该第一保护层32以及该第二阻障层24的蚀刻步骤亦可为干蚀刻工艺,而此时该二维电子气(two-dimensionalelectron gas)控制层的材质可为AlzGa(1_z)N,其中z大于O并小于0.5。在干蚀刻工艺中，该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层的作用作为蚀刻缓冲层。值得注意的是，请参照图5A,该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层的厚度T2必需够厚，以使得经该干蚀刻工艺后，位于栅极位置区50的该二维电子气(two-dimensionalelectron gas)控制层的厚度T3 (该贯孔底部与该第一阻障层20上表面的距离)仍可大于或等于5nm。换言之，该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层的厚度T2必需大于5nm以确保位于栅极位置区50内的二维电子气(two-dimensional electrongas)控制层22不会产生二维电子气。因此，图5A所示的场效应晶体管装置10可作为常关型场效应晶体管装置。根据本发明另一实施例，该场效应晶体管装置可进一步包括盖层(cap layer) 27，其材质可包括GaN，配置于该第二阻障层24之上，请参照图5B。该盖层(caplayer) 27不仅可避免该第二阻障层24氧化，亦可提高该第二阻障层24的能带，降低装置的漏电流。
[0048]请参照表1，其显示本发明所述的场效应晶体管装置(I)-(III)其各层的材质。
[0049]
【权利要求】
1.一种场效应晶体管装置，包括: 衬底； 依序配置于该衬底之上的缓冲层、沟道层及第一阻障层； 配置于该第一阻障层之上的二维电子气控制层，其中该二维电子气控制层具有大于或等于5nm的厚度； 配置于该二维电子气控制层之上的第二阻障层，其中该第二阻障层具有贯穿该第二阻障层的贯孔；以及 填入该贯孔的栅极，其中该栅极通过绝缘层与该第二阻障层以及该二维电子气控制层相隔。
2.如权利要求1所述的场效应晶体管装置，更包括: 源极与漏极，其中该源极与该漏极互相分隔并配置于该第二阻障层之上。
3.如权利要求第I项所述的场效应晶体管装置，其中该沟道层的材质为AlxGa(1_x)N，其中 X 为 0-0.5。
4.如权利要求3所述的场效应晶体管装置，其中该第一阻障层的材质为AlyGa(1_y)N，其中y为0.05-0.5，且y大于X。
5.如权利要求4所述的场效应晶体管装置，其中该二维电子气控制层的材质为AlzGa(1_z)N，其中 z 为 0-0.5，且 y 大于 z。
6.如权利要求1所述的场效应晶体管装置，其中该第二阻障层包括AlInN。
7.如权利要求6所述的场效应晶体管装置，其中该第二阻障层的材质为AlhIn(1_h)N，其中 h 为 0.8-1。
8.如权利要求7所述的场效应晶体管装置，其中该贯孔露出该二维电子气控制层的上表面。
9.如权利要求1所述的场效应晶体管装置，更包括配置于该第二阻障层之上的盖层。
10.如权利要求1所述的场效应晶体管装置，其中该贯孔贯穿该第二阻障层以及部份的该二维电子气控制层，且该贯孔与该二维电子气下表面之间的最短距离大于或等于5nm。
11.如权利要求1所述的场效应晶体管装置，其中该沟道层具有第一二维电子气浓度、且该二维电子气控制层具有第二二维电子气浓度，其中该第二二维电子气浓度大于该第一二维电子气浓度。
12.如权利要求1所述的场效应晶体管装置，其中该场效应晶体管装置为常关型场效应晶体管装置。
13.如权利要求1所述的场效应晶体管装置，其中该第二阻障层具有大于该沟道层的能隙。
14.如权利要求1所述的场效应晶体管装置，其中该场效应晶体管装置具有大于800cm2/Vs的迁移率。
15.如权利要求1所述的场效应晶体管装置，更包括: 配置于该二维电子气控制层以及该第二阻障层之间的AlN层。
16.一种场效应晶体管装置的制造方法，包括: 提供衬底； 依序形成缓冲层、沟道层及第一阻障层于该衬底之上；形成二维电子气控制层于该第一障阻层之上，其中该二维电子气控制层具有大于或等于5nm的厚度； 形成第二阻障层于该二维电子气控制层之上； 对该第二阻障层进行图形化以形成贯穿该第二阻障层的贯孔；以及形成絶缘层以覆盖该贯孔的侧壁以及下表面，并填入栅极于该贯孔中。
17.如权利要求16所述的场效应晶体管装置的制造方法，其中对该第二阻障层进行图形化的方式包括干蚀刻。
18.如权利要求16所述的场效应晶体管装置的制造方法，其中该贯孔贯穿该第二阻障层以及部份该二维电子气控制层，且该贯孔的底部与该二维电子气控制层的下表面之间的最短距离大于或等于5nm。
19.如权利要求16所述的场效应晶体管装置的制造方法，其中对该第二阻障层进行图形化的方式包括湿蚀刻。
20.一种场效应晶体管装置，包括: 衬底； 配置于该衬底之上的沟道层； 配置于该沟道层之上的第一阻障层，该第一阻障层的能隙大于该沟道层的能隙； 配置于该第一障阻层之上的二维电子气控制层； 配置于该二维电子气控制`层之上的第二阻障层，且该第二阻障层具有贯穿该第二阻障层的贯孔，其中该第二阻障层包括AlInN ；以及 填入该贯孔中的栅极，其中该二维电子气(two-dimensional electron gas)控制层具有一厚度以避免位于该栅极下方的该沟道层产生二维电子气。
【文档编号】H01L21/335GK103633132SQ201310346611
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年8月9日 优先权日:2012年8月9日
【发明者】綦振瀛, 林惠铃, 李庚谚, 陈世鹏 申请人:中央大学, 台达电子工业股份有限公司