1.一种发光器件结构，其特征在于，所述器件结构包括：
第一电极；
像素定义层，设置于第一电极之上，且该像素定义层具有将部分所述第一电极予以曝露的开口；
有机发光层，至少部分设置于所述开口曝露的第一电极之上；
第二电极，设置于所述像素定义层和所述有机发光层之上；
光取出层，设置于所述第二电极之上；
其中，所述光取出层包括依次叠置的至少两折射率层，且所述折射率层的折射率由接近所述第二电极向远离所述第二电极的方向渐次减小。
2.如权利要求1所述的发光器件结构，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极。
3.如权利要求1所述的发光器件结构，其特征在于，所述光取出层的厚度为200～800nm。
4.如权利要求1所述的发光器件结构，其特征在于，所述光取出层的材质为无机物。
5.如权利要求4所述的发光器件结构，其特征在于，所述折射率层的材质为SiOx、SiNx、TiO2、ZnS、ZnSe、ZrO中的一种或多种组合。
6.如权利要求1所述的发光器件结构，其特征在于，所述光取出层包括第一折射率层、第二折射率层和第三折射率层；
所述第三折射率层覆盖所述屏幕模组上，所述第二折射率层覆盖 所述第三折射率层的上表面，所述第一折射率层覆盖所述第二折射率层的上表面；
其中，所述第三折射率层的折射率大于所述第二折射率层的折射率，且所述第二折射率层的折射率大于所述第一折射率层的折射率。
7.如权利要求6所述的发光器件结构，其特征在于，所述第一折射率层的材质为SiOx，所述第二折射率层的材质为SiNx，所述第三折射率层的材质为ZnSe。
8.如权利要求6所述的发光器件结构，其特征在于，所述第一折射率层的折射率为1.2～1.5，所述第二折射率层的折射率为1.7～2.0，所述第三折射率层的折射率为2.2～2.6。
9.一种有机发光面板，其特征在于，所述有机发光面板包括：
阵列基板，包括衬底及设置于所述衬底上的多个薄膜晶体管阵列；
第一电极，设置于所述阵列基板之上，且该第一电极与所述阵列基板中的至少一薄膜晶体管电性连接；
像素定义层，设置于所述第一电极之上，且该像素定义层具有将部分所述第一电极予以曝露的开口；
有机发光层，至少部分设置于所述开口曝露的第一电极之上；
第二电极，设置于所述像素定义层和所述有机发光层之上；
光取出层，设置于所述第二电极之上；
对向基板，设置于所述光取出层之上，且该对向基板与所述光取出层之间具有一间隙；
其中，所述光取出层包括依次叠置的至少两折射率层，且所述折射率层的折射率由接近所述第二电极向远离所述第二电极的方向渐次减小。
10.如权利要求9所述的有机发光面板，其特征在于，所述光取出层的材质为无机物。