技术总结
一些新颖特征涉及包括核心层、第一通孔、第一介电层、和第一电感器的封装基板。核心层包括第一表面和第二表面。第一通孔位于核心层中。第一介电层耦合至核心层的第一表面。第一电感器位于第一介电层中。第一电感器耦合到核心层中的第一通孔。第一电感器被配置成生成横向遍历封装基板的磁场。在一些实现中，封装基板还包括耦合到第一电感器的第一焊盘，其中第一焊盘被配置成耦合到焊球。在一些实现中，封装基板包括位于核心层中的第二通孔以及位于第一介电层中的第二电感器。
技术研发人员：S·法泽尔波;C·D·裴恩特;R·D·莱恩
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
文档号码：201580016458
技术研发日：2015.03.27
技术公布日：2016.11.16