光电转换元件及成像元件的制作方法

技术总结
本发明的光电转换元件为在基板上依次层叠有下部电极、抑制来自下部电极的电荷注入的电荷阻挡层、包含光电转换层的有机层及包含透明电极层的上部电极的元件。光电转换层由非晶膜构成，且具有P型有机半导体与包含富勒烯的N型有机半导体的本体异质结构。本体异质结构的光电转换层的电离势与N型半导体的电子亲和力之差为1.30eV以上。

技术研发人员：泽木大悟
受保护的技术使用者：富士胶片株式会社
文档号码：201580030626
技术研发日：2015.07.01
技术公布日：2017.02.22