1.一种集成芯片，包括：
多个金属互连层，设置于沿一基底的一正面设置的一层间介电结构中；
一介电层，沿该基底的一背面设置；
一导电焊垫，设置于该介电层之上；
一背面贯穿基底导通孔，从多个所述金属互连层中的一个延伸穿过该基底及该介电层至该导电焊垫；以及
一导电凸块，设置于该导电焊垫之上，其中该导电焊垫具有一平坦的下表面从该背面贯穿基底导通孔之上延伸至该导电凸块之下。
2.如权利要求1所述的集成芯片，其中多个所述金属互连层包括一较薄的第一金属互连线及通过该第一金属互连线与该基底分开的一较厚的第二金属互连线，且其中该背面贯穿基底导通孔接触该第一金属互连线。
3.如权利要求1所述的集成芯片，还包括：
一保护层，设置于该介电层及该导电焊垫之上；以及
一凸块下金属层，从该保护层之上延伸至该保护层中的一开口内，其中该凸块下金属层系位于该导电焊垫与该导电凸块之间。
4.如权利要求3所述的集成芯片，其中该导电焊垫具有以一第一方向延伸的一第一段及以垂直于该第一方向的一第二方向延伸的一第二段。
5.如权利要求4所述的集成芯片，其中该背面贯穿基底导通孔接触该导电焊垫的该第一段，且该凸块下金属层接触该导电焊垫的该第二段。
6.一种集成芯片，包括：
多个金属互连层，设置于沿一基底的一正面设置的一层间介电结构中，其中多个所述金属互连层包括一较薄的第一金属互连线及通过该第一金属互连线与该基底分开的一较厚的第二金属互连线；
一高介电常数介电层，设置于该基底的背面上；
一介电层，通过该高介电常数介电层与该基底的该背面分开；
一导电焊垫，设置于该介电层之上；以及
一背面贯穿基底导通孔，延伸于该第一金属互连线与该导电焊垫之间。
7.如权利要求6所述的集成芯片，还包括：
一保护层，设置于该介电层与该导电焊垫之上；
一凸块下金属层，从该保护层之上延伸至该保护层中的一开口内；以及
一导电凸块，设置于该凸块下金属层之上，其中该导电焊垫具有一平坦的下表面从该背面贯穿基底导通孔之上延伸至该导电凸块之下。
8.如权利要求6所述的集成芯片，其中该背面贯穿基底导通孔具有多个锥形的侧壁，连续地延伸于该第一金属互连线与该导电焊垫之间。
9.如权利要求6所述的集成芯片，其中该背面贯穿基底导通孔具有小于或等于2.5微米的宽度。
10.一种集成芯片的制造方法，包括以下步骤：
形成多个金属互连层，在沿一基底的一正面设置的一层间介电结构中，其中多个所述金属互连层包括一第一金属互连线及通过该第一金属互连线与该基底分开的一更厚的第二金属互连线；
形成一高介电常数介电层于该基底之一背面上；
形成一介电层于该高介电常数介电层之上；
蚀刻该介电层、该高介电常数介电层、该基底及该层间介电结构，以形成一背面贯穿基底导通孔开口延伸至与该第一金属互连线接触的一位置；
沉积一导电材料于该背面贯穿基底导通孔开口之中；
实施一平坦化制程移除该背面贯穿基底导通孔开口外的该导电材料，以形成一背面贯穿基底导通孔；以及
形成一导电焊垫，具有一平坦下表面设置于该背面贯穿基底导通孔上。