1.IC集成封装用陶瓷基板结构，包括基板、蚀刻线路、LED发光芯片放置区、驱动芯片放置区、元件焊接放置区、接触点和电源，其特征在于所述基板内置所述蚀刻线路，所述LED发光芯片放置区、所述驱动芯片放置区、所述元件焊接放置区、所述接触点和电源均设置在所述基板上，所述LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片，所述驱动芯片放置区放置有驱动芯片，所述电源通过桥式整流器经过蚀刻线路与所述驱动芯片连接，所述LED发光芯片放置区外设置导通线路区,所述元件焊接放置区为多个，每个所述焊接放置区的周边设置接触点，所述蚀刻线路连通所述元件焊接放置区，所述蚀刻线路汇总区连接地线。
2.根据权利要求1所述的IC集成封装用陶瓷基板结构，其特征在于所述元件焊接放置区和所述接触点上均设置镀银层，所述镀银层为0.1-0.5mm，所述LED发光芯片放置区内放置多个LED发光芯片的10-18W，所述元件焊接放置区放置元器件，所述元器件为多个均与所述驱动芯片连接，所述基板为陶瓷基板。
3.根据权利要求2所述的IC集成封装用陶瓷基板结构，其特征在于所述基板的尺寸30mm x 30mm，所述元器件为电容和电阻，所述电阻包扩采样电阻、调节电阻和外部电阻，所述采样电阻为2.0-4.0兆欧，所述调节电阻为10-20千欧，所述外部电阻为80-200千欧。