技术总结
本发明涉及一种制备柔性显示器件的离子活化方法，其包括以下步骤：S1，在柔性基板上沉积缓冲保护层；S2，沉积功能层，沉积介电层，脱氢；S3，使用准分子激光退火结晶出有源层，图案化处理，离子注入；S4，离子活化。本发明的离子活化在室温‑低温(＜450℃)下就可以进行，无需高温制程，即可做出CMOS结构的柔性显示器件；活化时间短，2～10min之内就可达到高温才能实现的活化效果，对产能的放大现实意义很大，产品极具竞争力；能通过镭射机台中的衰减器来调节不同的活化能量；发展了适合柔性生产的LTPS技术，降低柔性显示对基板的苛刻要求，基板的选择性更广，成本低。
技术研发人员：方宏
受保护的技术使用者：武汉华星光电技术有限公司
文档号码：201610785026
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2016.12.21