本发明涉及一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法。
背景技术：
量子点发光二极管作为最新一代的发光二极管，吸引了人们极大的注意力。市面上存在这量子点大小可调、窄带发射、发光效率高的QLED，但用这种量子点合成发白光的QLED工艺复杂。而现在存在的CdS量子点合成材料昂贵，合成步骤含有有毒物质。因此现在缺少一种发射白光、色域纯净、工艺简单、性能稳定的量子点发光二极管。
技术实现要素：
发明目的：本发明所要解决的技术问题是：找到一种简便的近白光QLED的CdS量子点的合成方法，解决含有超亲水CdS量子点的水溶液不能均匀旋涂在超疏水PVK层的问题，进一步改进，增加其发光效率。
技术方案：提供一种近白光QLED的CdS量子点的改良方法，简化了合成步骤，避免有毒步骤的操作，用TGA代替TG作封端剂，提高量子产率；解决了超亲水CdS量子点水溶液无法在超疏水PVK层表面均匀旋涂的困难，找到一个合适的退火温度，使用CdS量子点旋涂在PVK层上之后，能够稳定存在，用Mg:Ag代替Al作阴极，提高发光效率。
有益效果：与现有技术相比，本发明的近白光QLED的CdS量子点的改良方法器件结构更简单，操作步骤更方便；实现了超亲水的CdS量子点水溶液在超疏水PVK层表面的均匀铺展；适宜的退火温度增加了CdS量子点的稳定性，提高了发光效率；阴极电极用Mg:Ag替代Al，改善了发光效率。
附图说明
图1是QLED结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做更进一步解释。
如图1所示为QLED结构示意图，在刻蚀有ITO导电电极2的玻璃1上，旋涂PEDOT-PSS，110℃退火烘烤1h得到25nm的3；旋涂PVK，100℃退火烘烤1h得到4；旋涂CdS量子点，190℃退火烘烤1h得到5；最后度上Al或Mg:Ag电极得到6。
CdS量子点溶液制备方法为取50ml混合有5mM CdSO4,65mM Na2S2O3和15mM TGA的溶液，其PH调节至8.5，加热至80℃搅拌1h，离心后分散在去离子水中；按体积比2000:1的比例加入Triton X-100，得到最后的CdS量子点溶液。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。