1.一种高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是，包括步骤：
S1混合纳米级的半导体量子点、高聚物基体和第一有机溶剂，并使高聚物基体完全溶解于第一有机溶剂，获得量子点溶液；
S2将量子点溶液转移至电纺丝设备的注射器中，利用电纺丝设备制备电纺丝膜；
S3对电纺丝膜进行热压得到压实电纺丝膜；
S4将压实电纺丝膜浸入LED封装胶中，真空脱泡后取出，经加热固化，即得到高导热量子点薄膜。
2.如权利要求1所述的高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是：
所述的半导体量子点为CdSe/ZnS量子点、CdSe量子点、CdSe/CdS/ZnS量子点、ZnO/CdS量子点、ZnSe/ZnS量子点、CuInS2量子点或InP/ZnS量子点。
3.如权利要求1所述的高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是：
所述的高聚物基体为聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚对苯二甲酸乙二醇酯。
4.如权利要求1所述的高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是：
所述的第一有机溶剂为三氯甲烷、甲苯、己烷或二甲苯。
5.如权利要求1所述的高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是：
所述的量子点溶液中，半导体量子点和高聚物基体的质量比为1：（50~200），高聚物基体的质量浓度为10wt%~20wt%。
6.如权利要求1所述的高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是：
步骤S3中热压条件为：热压温度为50℃~100℃，压力范围为5MPa ~20MPa，热压时间为10分钟~20分钟。
7.如权利要求1所述的高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是：
步骤S3中，在热压前，采用第二有机溶剂对电纺丝膜进行浸润，第二有机溶剂选择不溶解高聚物基体且不与半导体量子点反应的有机溶剂。
8.如权利要求7所述的高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是：
所述的第二有机溶剂为酒精、乙二醇或异丙醇。
9.如权利要求1所述的高导热量子点薄膜的制备方法，其特征是：
所述的LED封装胶为硅胶或环氧树脂。