1.一种微米阵列LED制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1：准备LED芯片并对其进行清洗；
步骤2：将清洗好的LED芯片放入聚焦离子束切割设备中的样品台；
步骤3：利用聚焦离子束切割设备中的扫描电镜功能观察芯片并把样品台移动到离子束的工作距离和位置；
步骤4: 先利用小束流离子束观察芯片，并把芯片调整到合适的位置，选取芯片的刻蚀区域；
步骤5：将离子束束流切换到大束流观察芯片，在所选取的芯片刻蚀区域绘制一定大小，深度，间隔的周期性实心方格阵列，利用离子束对所绘制阵列图案区域进行刻蚀；
步骤6：离子束刻蚀所选区域完毕后，可重复步骤4、5再次选取刻蚀区域进行刻蚀；
步骤7：在整个芯片刻蚀完毕后，关闭离子束源，取出芯片；
步骤8：对刻蚀芯片采用轻微湿法腐蚀去除离子束刻蚀对InGaN/GaN量子阱造成的辐照损伤，完成制备。
2.如权利要求1所述的微米阵列LED制备方法，其特征在于，其中LED芯片包括GaAs基LED外延片、GaN基LED外延片、Si基LED外延片或ZnO基LED外延片。
3.如权利要求1或2所述的微米阵列LED制备方法，其特征在于，其中LED芯片结构包括衬底、形成于所述衬底上的非掺杂GaN层、形成于所述非掺杂GaN层上的n掺杂GaN层、形成于所述n掺杂GaN层上非掺杂和掺杂的超晶格层、形成于所述非掺杂和掺杂的超晶格层上非掺杂和掺杂的多量子阱层、形成于所述非掺杂和掺杂的多量子阱层上的p掺杂GaN层、形成于所述p掺杂GaN层上的ITO层、形成于所述ITO层上p电极、n电极和有助于电流分布均匀的金线。
4.如权利要求1所述的微米阵列LED制备方法，其特征在于，离子束的工作距离为9 mm, 工作位置为样品台与水平方向夹角为55°。
5.如权利要求1所述的微米阵列LED制备方法，其特征在于，其中离子束工作距离为9 mm 时，工作位置为样品台从水平转动到与水平方向夹角为55°，使离子束束流与样品台垂直。
6.如权利要求1所述的微米阵列LED制备方法，其特征在于，其中小束流对样品进行单次扫描，束流大小为100 pA；大束流单次扫描图像的束流大小为5 nA。
7.如权利要求1所述的微米阵列LED制备方法，其特征在于，其中聚焦离子束切割设备中的绘图软件为 Draw beam。
8.如权利要求1所述的微米阵列LED制备方法，其特征在于，其中在所选刻蚀区域绘制一定大小，深度，间隔的周期性实心方格阵列为28行*10列，边长为3 um，深度为2 um的实心方格，两方格之间的距离为6 um。