技术总结
本实用新型揭示了一种沟槽功率器件。本实用新型提供的一种沟槽功率器件，通过在半导体衬底中形成第一沟槽，并将第一阻止层、填充材料层设置于所述第一沟槽中，并在第一沟槽的填充材料层中形成静电隔离结构，进而实现了静电隔离结构设置在半导体衬底中，避免了静电隔离结构高于第二沟槽、第三沟槽的情况，使得半导体衬底表面平整，有效解决由于传统静电隔离结构的不平坦使后续的沉积工艺台阶覆盖能力不佳，特别是光刻出现匀胶不良，曝光异常，台阶处光刻胶偏薄无法有效作为刻蚀阻挡层等问题，从而实现器件结构，使参数和可靠性满足产品的要求。
技术研发人员：杨彦涛;向璐;王珏;曹俊;吕焕秀
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司
文档号码：201620738421
技术研发日：2016.07.12
技术公布日：2017.01.25