半导体器件的制作方法

技术总结
本申请涉及半导体器件。该半导体器件包括：第一层，具有边缘区域；金属化结构，具有面向所述第一层的边缘区域而并未接触所述边缘区域的外围部分。由此避免热机械应力。

技术研发人员：A·帕勒亚里;A·米拉尼;L·瓜里诺;F·龙奇
受保护的技术使用者：意法半导体股份有限公司
文档号码：201621215658
技术研发日：2016.09.29
技术公布日：2017.06.30