本公开一般地涉及隧道场效应晶体管，并且更具体地但不排他地涉及finfet。
背景技术：
：在摩尔定律的指导下，cmos技术40年来在大小上一直在缩小。为了继续缩放，已经向si平台添加了高k金属栅极堆叠、应变且非平面的架构，以增强驱动电流同时抑制短沟道效应。然而，普通的cmoc缩放进入到～0.5v的vdd极限，并且利用传统的cmos晶体管基本上不能进一步缩放功率。需要与已缩放的cmos可以有利地相比较的替代方法。一种这样的替代方案是隧道场效应晶体管(tfet)。已经了解的是，tfet由于其本质上低的亚阈值摆幅和低的关断状态泄漏而具有用于低功率应用的优点。除了传统cmos以外最有希望的候选之一是如下的tfet，其使得vdd能够下降至0.3v以实现显著的功率节省。然而，tfet性能和速度不能满足片上系统(soc)中的要求，诸如cpu块或快速路径，因为(1)未来的集成soc将仍然必须满足～3ghzcpu速度；归因于在较高vdd(～0.5v)下与常规cmos相比的根本上较低的idsat和较低的速度，tfet不能满足这个要求；(2)socx可以利用tfet的超低功率用于不需要高速的块和电路功能，但是低功率是必不可少的要求；以及(3)行业需要一种创新的解决方案，其可以满足功率要求和性能要求两者以便未来的soc成为有效的替代方案。即，需要具有增加的可驱动性和改进的性能的tfet。因此，需要对常规cmos方法进行改进的系统、装置和方法，包括由此提供的改进的方法、系统和装置。作为教导的特性的发明性特征，以及另外的特征和优点，从详细描述和附图更好地被理解。每个附图被提供仅用于说明和描述的目的，并且不限制本教导。技术实现要素：下文提出了简化概述，其有关于与本文公开的装置和方法相关联的一个或多个方面和/或示例。如此，以下概述不应当被视为与所有考虑到的方面和/或示例有关的广泛概览，也不应当将以下概述视为标识与所有考虑到的方面和/或示例有关的关键性或决定性元素，或者界定与任何特定方面和/或示例相关联的范围。因此，以下概述具有的唯一目的是在下面提出的详细描述之前以简化形式提出与一个或多个方面和/或示例有关的某些概念，该一个或多个方面和/或示例与本文公开的装置和方法有关。本公开的一些示例针对用于通过优化竖直tfet集成并且增大tfet的有效宽度来增大tfet可驱动性以改进tfet性能的系统、装置和方法。在本公开的一些示例中，用于晶体管器件的系统、装置和方法包括：多个栅极元件；多个源极元件或漏极元件，平行于多个栅极元件延伸并且与其水平地间隔开；以及多个鳍元件，平行于多个栅极元件延伸并且与其竖直地间隔开，其中多个鳍元件中的每个鳍元件与多个鳍元件中的其他鳍元件中的每个鳍元件水平地间隔开第一距离。在本公开的一些示例中，用于竖直集成隧道场效应晶体管的系统、装置和方法包括：多个栅极元件，多个栅极元件中的每个栅极元件在它的一个端部处具有栅极触点；多个源极元件或漏极元件，平行于多个栅极元件延伸并且与其水平地间隔开；多个鳍元件，平行于多个栅极元件延伸并且与其竖直地间隔开，其中多个鳍元件中的每个鳍元件与多个鳍元件中的其他鳍元件中的每个鳍元件水平地间隔开第一距离；以及多个有源栅极区，多个有源栅极区中的每个有源栅极区由多个栅极元件中的一个栅极元件与多个鳍元件中的一个鳍元件的交叠形成，并且其中多个有源栅极区中的每个有源栅极区具有大于竖直高度的水平宽度。在本公开的一些示例中，用于制作晶体管器件的系统、装置和方法包括：对衬底图案化以形成n阱区和p阱区；在n阱区中形成n阱并且在p阱区中形成p阱；对衬底图案化以形成n+扩散区和p+扩散区；在n+扩散区中形成n+扩散阱并且在p+扩散区中形成p+扩散阱；形成沟道层；在沟道层中打开nfet区；在沟道层中打开pfet区；沉积氧化物/氮化硅膜层；在氧化物/氮化硅膜层/衬底层中形成鳍元件；沉积氧化硅膜；在氧化硅膜上形成虚设栅极元件；沉积氧化物源极膜和化学机械抛光(cmp)工艺；去除虚设栅极，沉积高k电介质和金属栅极膜，以及cmp；在鳍中形成p源极区和n源极区；沉积介电层；以及在介电层中形成源极触点和漏极触点。基于附图和详细描述，与本文公开的装置和方法相关联的其他特征和优点对本领域的技术人员将是明显的。附图说明随着本公开的各方面及其许多伴随优点通过在关于附图来考虑时参考以下详细描述而更好地被理解，将容易地获得对本公开的各方面及其许多伴随优点的更完全的了解，这些附图被呈现仅用于说明而不是限制本公开，并且在附图中：图1图示了根据本公开的一些示例的具有双倍鳍间距的示例性晶体管器件。图2图示了根据本公开的一些示例的具有4/3鳍间距的示例性晶体管器件。图3图示了根据本公开的一些示例的具有相同鳍间距的示例性晶体管器件。图4图示了根据本公开的一些示例的示例性n型晶体管器件的侧视图。图5图示了根据本公开的一些示例的示例性p型晶体管器件的侧视图。图6a-图6c图示了根据本公开的一些示例的用于制作晶体管器件的示例性部分工艺流程。图7图示了根据本公开的一些示例的示例性用户设备(ue)。根据习惯做法，附图所描绘的特征可能不是按比例绘制的。因此，为了清楚起见，所描绘的特征的尺寸可以被任意地扩大或减小。根据习惯做法，为了清楚起见，简化了一些附图。因此，附图可能未描绘特定装置或方法的所有组件。进一步地，贯穿说明书和附图，相似的参考标号标示相似的特征。具体实施方式本文公开的示例性方法、装置和系统有利地解决了长期以来的行业需求以及其他先前未识别的需求，并且减轻了常规方法、装置和系统的缺点。例如，根据本文描述的实施例之一的晶体管器件的有效区域可以通过将鳍元件与栅极元件对准而被增大，这将改进器件的性能特性。词语“示例性”在本文中用来意指“用作示例、实例或说明”。本文中描述为“示例性”的任何细节不一定被解释为相对于其他示例是优选的或有利的。类似地，术语“示例”不要求所有示例都包括所讨论的特征、优点或操作模式。在本说明书中对术语“在一个示例中”、“示例”、“一个特征中”、和/或“特征”的使用不一定指代相同的特征和/或示例。再者，特定的特征和/或结构可以与一个或多个其他特征和/或结构组合。此外，据此描述的装置的至少一部分可以被配置为执行据此描述的方法的至少一部分。本文使用的术语仅用于描述特定示例的目的并且不意图限制本公开的示例。如本文使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”意图为也包括复数形式，除非上下文另有明确指示。将进一步理解，术语“包括”、“包括有”、“包含”和/或“包含有”，当在本文中被使用时，指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件、和/或它们的组合的存在或添加。应当注意，术语“连接”、“耦合”、或它们的任何变体意指元件之间的直接或间接的任何连接或耦合，并且可以涵盖两个元件之间的中间元件的存在，这两个元件经由该中间元件“连接”或“耦合”在一起。元件之间的耦合和/或连接可以是物理的、逻辑的、或它们的组合。如本文所采用的，元件可以例如通过使用一个或多个电线、电缆、和/或印刷电连接、以及通过使用电磁能量而被“连接”或“耦合”在一起。电磁能量可以具有在射频区、微波区、和/或光学(可见和不可见两者)区中的波长。这些是若干非限制性和非穷举性的示例。本文使用诸如“第一”、“第二”等名称对元素的任何引用不限制这些元素的数量和/或顺序。更确切地，这些名称被用作在两个或更多元素和/或元素实例之间进行区分的便利方法。因此，对第一和第二元素的引用不意指仅可以采用两个元素，也不意指第一元素必须在第二元素之前。此外，除非另有陈述，否则元素集合可以包括一个或多个元素。另外，在本描述或权利要求中使用的“a、b或c中的至少一个”形式的术语可以解释为“a或b或c或这些元素的任何组合”。进一步地，许多示例按照将由例如计算设备的元件执行的动作序列被描述。将认识到，本文描述的各种动作可以通过特定电路(例如，专用集成电路(asic))，通过由一个或多个处理器执行的程序指令，或通过两者的组合来执行。另外，本文描述的这些动作序列可以被认为完全具体化在其中存储有对应的计算机指令集的任何形式的计算机可读存储介质内，该计算机指令集在执行时将使得相关联的处理器执行本文描述的功能。因此，本公开的各种方面可以按许多不同形式被具体化，所有这些形式被考虑为在所要求保护的主题的范围内。另外，对于本文描述的每个示例，任何这样的示例的对应形式在本文中可以被描述为例如“被配置为”执行所描述的动作的“逻辑”。图1图示了根据本公开的一些示例的具有双倍鳍间距的示例性晶体管器件。如图1中示出的，晶体管器件100可以包括多个栅极元件110、多个源极元件或漏极元件120、以及多个鳍元件130。例如，多个栅极元件110可以由金属栅极(mg)或聚合氧化物(po)材料制成。多个源极元件或漏极元件120可以取决于设计要求而被配置作为源极或漏极，并且可以平行于多个栅极元件110延伸且可以与其水平地间隔开。多个鳍元件130可以平行于多个栅极元件延伸并且可以与其竖直地间隔开。多个鳍元件130中的每个鳍元件可以与多个鳍元件130中的其他鳍元件中的每个鳍元件水平地间隔开第一距离。晶体管器件100还可以包括多个有源栅极区140，其中有源栅极区140中的每个有源栅极区由多个栅极元件110中的一个栅极元件与多个鳍元件130中的一个鳍元件的交叠形成。另外，晶体管器件100可以包括多个栅极触点150，每个栅极触点150在多个栅极元件110中的一个栅极元件的端部上。晶体管器件100可以通过晶体管器件100的工作区域(有源区或有效工作区域)160内的鳍与栅极间距的测量或比率而被分析。在工作区域之外的鳍元件130是虚设鳍。工作区域160的长度170和工作区域160的宽度180与鳍元件130和栅极元件110的宽度和长度一起部分地限定晶体管器件100的特性。例如，当长度170被设置为l＝4×鳍间距，并且宽度180被设置为w＝4×栅极(po)间距时，则：weff＝2n·po_pitch+2wfinwtotal＝m/2·weff＝m·n(po_pitch+wfin/n)比率＝0.5·(po_pitch/wfin+1/n)/(wpo/wfin+1)m个鳍高度为m·fin_pitch并且n个指宽度为n*po_pitch,所以面积＝m·n·fin_pitch·po_pitch。m＝4个鳍并且n＝4个指器件wtotal＝2weff＝4·(4po_pitch+wfin)对于10nm节点,po_pitch＝64nm,wfin＝8nmwtotal＝4·(4po_pitch+wfin)＝1056nm比率＝0.5·(po_pitch/wfin+1/n)/(wpo/wfin+1)＝0.5(8+1/4)/(1+1)≈2图2图示了根据本公开的一些示例的具有4/3鳍间距的示例性晶体管器件。如图2中示出的，晶体管器件200可以包括多个栅极元件210、多个源极元件或漏极元件220、以及多个鳍元件230。例如，多个栅极元件210可以由金属栅极(mg)或聚合氧化物(po)材料制成。多个源极元件或漏极元件220可以取决于设计要求而被配置作为源极或漏极，并且可以平行于多个栅极元件210延伸且可以与其水平地间隔开。多个鳍元件230可以平行于多个栅极元件延伸并且可以与其竖直地间隔开。多个鳍元件230中的每个鳍元件可以与多个鳍元件230中的其他鳍元件中的每个鳍元件水平地间隔开第一距离。晶体管器件200还可以包括多个有源栅极区240，其中有源栅极区240中的每个有源栅极区由多个栅极元件210中的一个栅极元件与多个鳍元件230中的一个鳍元件的交叠形成。另外，晶体管器件200可以包括多个栅极触点250，每个栅极触点250在多个栅极元件210中的一个栅极元件的端部上。晶体管器件200可以通过晶体管器件200的工作区域(有源区或有效工作区域)260内的鳍与栅极间距的测量或比率而被分析。在工作区域之外的鳍元件230是虚设鳍。工作区域260的长度270和工作区域260的宽度280与鳍元件230和栅极元件210的宽度和长度一起部分地限定晶体管器件200的特性。例如，当长度270被设置为l＝4×鳍间距，并且宽度280被设置为w＝4×栅极(po)间距时，则：weff＝2n·po_pitch+2wfinwtotal＝3m/4·weff＝3/2·m·n·(po_pitch+wfin/n)比率＝0.75·(po_pitch/wfin+1/n)/(wpo/wfin+1)m个鳍高度为m·fin_pitch并且n个指宽度为n*po_pitch,所以面积＝m·n·fin_pitch·po_pitch.m＝4个鳍并且n＝4个指器件wtotal＝3weff＝6·(4po_pitch+wfin)对于10nm节点,po_pitch＝64nm,wfin＝8nmwtotal＝6·(4po_pitch+wfin)＝1584nm比率＝0.75·(8+1/4)/(1+1)≈3图3图示了根据本公开的一些示例的具有相同鳍间距的示例性晶体管器件。如图3中示出的，晶体管器件300可以包括多个栅极元件310、多个源极元件或漏极元件320、以及多个鳍元件330。例如，多个栅极元件310可以由金属栅极(mg)或聚合氧化物(po)材料制成。多个源极元件或漏极元件320可以取决于设计要求而被配置作为源极或漏极，并且可以平行于多个栅极元件310延伸且可以与其水平地间隔开。多个鳍元件330可以平行于多个栅极元件延伸并且可以与其竖直地间隔开。多个鳍元件330中的每个鳍元件可以与多个鳍元件330中的其他鳍元件中的每个鳍元件水平地间隔开第一距离。晶体管器件300还可以包括多个有源栅极区340，其中有源栅极区340中的每个有源栅极区由多个栅极元件310中的一个栅极元件与多个鳍元件330中的一个鳍元件的交叠形成。另外，晶体管器件300可以包括多个栅极触点350，每个栅极触点350在多个栅极元件310中的一个栅极元件的端部上。晶体管器件300可以通过晶体管器件300的工作区域(有源区或有效工作区域)360内的鳍与栅极间距的测量或比率而被分析。在工作区域之外的鳍元件330是虚设鳍。工作区域360的长度370和工作区域360的宽度380与鳍元件330和栅极元件310的宽度和长度一起部分地限定晶体管器件300的特性。例如，当长度370被设置为l＝4×鳍间距，并且宽度380被设置为w＝4×栅极(po)间距时，则：weff＝2n·po_pitch+2wfinwtotal＝m·weff＝2·m·n·(po_pitch+wfin/n)比率＝(po_pitch/wfin+1/n)/(wpo/wfin+1)m个鳍高度为m·fin_pitch并且n个指宽度为n*po_pitch,所以面积＝m·n·fin_pitch·po_pitch.m＝4个鳍并且n＝4个指器件wtotal＝4weff＝8·(4po_pitch+wfin)对于10nm节点,po_pitch＝64nm,wfin＝8nmwtotal＝8·(4po_pitch+wfin)＝2112nm比率＝(8+1/4)/(1+1)≈4如下面可以看出的，当使用不同的缩放和尺寸时，上面示出的不同实施例可以导致不同的特性：表1技术(nm)鳍间距/w/h(nm)栅极间距/w(nm)m0/m1间距(nm)16/1448/10/3590/78641032/10/4064/6342722/7/2845/4430516/5/203021这些不同的配置导致了宽度的以下改进(po等同于栅极)：如果wpo/wfin≈1,po_pitch/wfin≈6,则器件100:比率＝0.5·(po_pitch/wfin+1/n)/(wpo/wfin+1)＝0.5·(6+1/n)/(1+1)≈6/4≈1.5器件200:比率＝0.75·(po_pitch/wfin+1/n)/(wpo/wfin+1)＝0.75·(6+1/n)/(1+1)≈0.75·6/2≈2.25器件300:比率＝(po_pitch/wfin+1/n)/(wpo/wfin+1)＝(6+1/n)/(1+1)≈6/2≈3因此，使用上文描述的实施例的各种配置可以导致高驱动电流，因为栅极具有与用于竖直tfet的有源鳍区相同的取向和间距以具有大的宽度。制造工艺与常规finfet工艺相比是简单的，这归因于重新布置栅极取向和栅极化学机械抛光(cmp)工艺。由于鳍是条型的，所以栅极全部从侧壁围绕鳍以形成竖直的全部围绕的tfet器件。因此，tfet的有效宽度增加并且面积利用率更有效率。由于竖直tfet沟道在竖直方向上。tfet栅极长度由沟道膜厚度控制。这避免了栅极长度图案化问题。由于它不具有高纵横比的鳍结构而放松鳍，所以形成和栅极/间隔物蚀刻工艺更简单。此外，有效宽度涉及鳍的全部围绕大小而不是鳍高度。图4图示了根据本公开的一些示例的示例性n型晶体管器件的侧视图。如图4中示出的，n型晶体管器件400可以包括在源极触点415下面的源极区410、围绕电流沟道区430的栅极结构420、以及在电流沟道区下面并且连接到漏极触点445的漏极区440。图5图示了根据本公开的一些示例的示例性p型晶体管器件的侧视图。如图5中示出的，p型晶体管器件500可以包括在源极触点515下面的源极区510、围绕电流沟道区530的栅极结构520、以及在电流沟道区下面并且连接到漏极触点545的漏极区540。图6a-6c图示了根据本公开的一些示例的用于制作晶体管器件的示例性部分工艺流程。如图6a中示出的，该部分工艺流程在602中开始于：对衬底的n阱(nw)和p阱(pw)区图案化，随后是离子注入以形成nw和pw。接着在604中，该工艺继续于：对衬底的n+扩散和p+扩散区图案化，随后是离子注入以形成n+扩散阱和p+扩散阱(诸如图4中的440和图5中的540)。接着在606中，沟道层通过外延(epi)工艺形成以创建epi未掺杂的沟道层(诸如图4中的430和图5中的530)。接着在608中，第一氧化物层被沉积在沟道层上并且然后nfet区被打开，随后是epip+膜的应用。在610中，第二氧化物层被沉积在沟道层上并且然后pfet区被打开，随后是epin+膜的应用。如图6b中示出的，该工艺在612中继续于第一氧化物膜的去除。接着在614中，第二氧化物膜被去除并且氧化物/氮化硅(sin)硬掩蔽(hm)膜被应用。在616中，鳍被图案化然后浅沟槽隔离(sti)氧化物在化学机械平面化(cmp)工艺之前被应用，随后浸渍该结构以形成sti氧化物层。在618中，栅极氧化物与虚设聚合栅极膜一起被沉积并且然后被图案化以形成栅极(诸如图4中的420和图5中的520)。在620中，层间电介质(ild)氧化物被应用，随后是cmp工艺。如图6c中示出的，该工艺在622中继续于：虚设聚合栅极膜和栅极氧化物的去除，沉积用于n和pfet的高k(hk)膜和金属栅极，并且随后是用于栅极的单独cmp工艺。在624中，另一氧化物膜被沉积，n源极区被打开，并且epip+源极扩展被形成。在626中，另一氧化物膜被沉积，p源极区被打开，并且epin+源极扩展被形成。在628中，对栅极层的ild氧化物被去除，sin层被沉积并且然后被回蚀以形成源极间隔物。在630中，该工艺结束于：沉积ild层以及cmp工艺的应用，随后是源极触点(诸如图4中的415和图5中的515)和漏极触点(诸如图4中的445和图5中的545)分开地形成。在本描述中，某些术语被用来描述某些特征。术语“移动设备”可以描述并且不限于移动电话、移动通信设备、寻呼机、个人数字助理、个人信息管理器、移动手持计算机、膝上型计算机、无线设备、无线调制解调器、和/或通常由人携带和/或具有通信能力(例如，无线、蜂窝、红外、短距离无线电，等等)的其他类型的便携式电子设备。进一步地，术语“用户设备”(ue)、“移动终端”、“移动设备”和“无线设备”可以是可互换的。参考图7，系统1包括ue1，(这里是无线设备)，诸如蜂窝电话，其具有平台2，平台2可以接收和执行从无线电接入网络(ran)传输的软件应用、数据和/或命令，其可能最终来自核心网络、互联网和/或其他远程服务器和网络。平台2可以包括收发器6，其可操作地耦合到专用集成电路(“asic”8)、或其他处理器、微处理器、逻辑电路、或其他数据处理设备。asic8或其他处理器执行应用编程接口(“api”)10层，其与无线设备的存储器12中的任何驻留程序对接。存储器12可以由只读或随机访问存储器(ram和rom)、eeprom、闪存卡、或计算机平台共用的任何存储器组成。平台2还可以包括本地数据库14，其可以保存未在存储器12中活跃地使用的应用。本地数据库14通常是闪存单元，但是可以是本领域中已知的任何次级存储设备，诸如磁性介质、eeprom、光学介质、磁带、软盘或硬盘，等等。如本领域中已知的，内部平台2组件还可以可操作地耦合到外部设备，诸如天线22、显示器24、一键通按钮28、以及小键盘26等其他组件。因此，本公开的示例可以包括如下的ue，其包括执行本文描述的功能的能力。如本领域的技术人员将明白的，各种逻辑元件可以被具体化在分立元件中、处理器上执行的软件模块、或软件和硬件的任何组合中以实现本文公开的功能。例如，asic8、存储器12、api10和本地数据库14可以全部协同地被使用以加载、存储和执行本文公开的各种功能，并且因此用于执行这些功能的逻辑可以分布在各种元件上。替换地，功能可以并入一个分立组件。因此，图7中的ue1的特征被认为仅是说明性的并且本公开不限于已说明的特征或布置。ue1与ran之间的无线通信可以基于不同的技术，诸如码分多址(cdma)、w-cdma、时分多址(tdma)、频分多址(fdma)、正交频分复用(ofdm)、全球移动通信系统(gsm)、3gpp长期演进(lte)、或者可以被使用在无线通信网络或数据通信网络中的其他协议。本申请中所陈述或说明描绘的任何内容不意图为将任何组件、步骤、特征、益处、优点、或等价物贡献给公众，而不管组件、步骤、特征、益处、优点、或等价物是否被记载在权利要求中。本领域的技术人员将明白，信息和信号可以使用各种不同的技艺和技术中的任何一种来表示。例如，贯穿上文的描述可能提到的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和码片可以由电压、电流、电磁波、磁场或粒子、光场或粒子、或它们的任何组合来表示。进一步地，本领域的技术人员将明白，关于本文公开的示例所描述的各种说明性逻辑块、模块、电路和算法步骤可以被实施为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为了清楚地说明硬件和软件的这种可互换性，各种说明性组件、块、模块、电路和步骤已经在上文按照它们的功能一般地被描述。这样的功能被实施为硬件还是软件取决于特定应用和施加在整个系统上的设计约束。技术人员可以针对每个特定应用以不同的方式实施所描述的功能，但是这样的实施决定不应当被解释为引起从本公开的范围的偏离。关于本文公开的示例所描述的方法、序列和/或算法可以直接具体化在硬件中，在由处理器执行的软件模块中，或在两者的组合中。软件模块可以驻留在ram存储器、闪速存储器、rom存储器、eprom存储器、eeprom存储器、寄存器、硬盘、可移除盘、cd-rom、或本领域已知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器，使得处理器可以从存储介质读取信息并且将信息写入存储介质。在替代方式中，存储介质可以与处理器形成整体。关于本文公开的各方面所描述的各种说明性逻辑块、模块和电路可以利用被设计为执行本文描述的功能的通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其他可编程逻辑器件、离散门或晶体管逻辑、分立硬件组件、或它们的任何组合来实施或执行。通用处理器可以是微处理器，但是在替代方式中，处理器可以是任何常规的处理器、控制器、微控制器、或状态机。处理器还可以被实施为计算设备的组合(例如，dsp和微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核心的一个或多个微处理器、或任何其他这样的配置)。虽然已经关于设备描述了一些方面，但是不言而喻的是，这些方面也构成对应方法的描述，并且所以设备的块或组件也应当被理解为对应的方法步骤或方法步骤的特征。与之类似地，关于或作为方法步骤所描述的方面也构成对应设备的对应块或细节或特征的描述。方法步骤中的一些或全部可以由硬件装置(或使用硬件装置)执行，诸如例如微处理器、可编程计算机或电子电路。在一些示例中，一些或多个最重要的方法步骤可以由这样的装置执行。在上面的详细描述中，可以看出不同的特征在示例中被分组在一起。这种公开方式不应当被理解为如下的意图：所要求保护的示例要求比在相应权利要求中明确提及的更多特征。更确切地，情况使得发明性内容可以存在于比所公开的个体示例的所有特征更少的特征中。因此，以下权利要求应当由此被视为并入本描述中，其中每个权利要求本身可以作为单独示例成立。虽然每个权利要求本身可以作为单独示例成立，但是应当注意，尽管从属权利要求可以在权利要求书中引用与一个或多个权利要求的特定组合，但是其他示例也可以涵盖或包括所述从属权利要求与任何其他从属权利要求的主题的组合、或者任何特征与其他从属和独立权利要求的组合。这样的组合在本文中被提出，除非明确地表达了特定组合不被意图。此外，还意图的是权利要求的特征可以被包括在任何其他独立权利要求中，即使所述权利要求不直接从属于该独立权利要求。此外应当注意，在本描述或权利要求中公开的方法可以由如下的设备来实施，该设备包括用于执行这一方法的相应步骤或动作的部件。此外，在一些示例中，个体步骤/动作可以被细分为多个子步骤或包含多个子步骤。这样的子步骤可以被包含在个体步骤的公开中，并且是个体步骤的公开的一部分。虽然前述公开示出了本公开的说明性示例，但是应当注意，本文可以进行各种改变和修改，而不偏离由所附权利要求限定的本公开的范围。根据本文描述的本公开的示例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不需要按任何特定顺序被执行。另外，公知的元件将不详细描述或可以被省略，以免使本文公开的方面和示例的相关细节模糊不清。此外，尽管可能以单数来描述或要求保护本公开的元素，但是复数被考虑到，除非明确地陈述限于单数。当前第1页12