包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件的制作方法

文档序号:11262790阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
公开了包括晶体管单元和补偿结构的宽带隙半导体器件。一种半导体器件(500)包括在得自碳化硅的半导体部分(100)中的晶体管单元(TC),其中晶体管单元(TC)电连接到栅极金属化部(330)、源电极(310)和漏电极(320)。半导体器件(500)还包括在半导体部分(100)中的掺杂区域(180)。掺杂区域(180)电连接到源电极(310)。掺杂区域(180)的电阻具有负的温度系数。层间电介质(210)将栅极金属化部(330)与掺杂区域(180)分离。半导体部分(100)中的漏极结构(120)将晶体管单元(TC)与漏电极(320)电连接,并且与掺杂区域(180)形成pn结(pnx)。

技术研发人员:R·西明耶科;D·彼得斯
受保护的技术使用者:英飞凌科技股份有限公司
技术研发日:2017.03.07
技术公布日:2017.09.19
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