技术特征：
技术总结
本发明提供一种衬底及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一硅衬底，所述硅衬底包括第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面为洁净区，所述洁净区以外的硅衬底中包含有氧析出物区；2）于所述硅衬底的第二表面形成低应力的介电薄膜，用以改善所述硅衬底在高温条件下的表面应力集中现象。本发明采用等离子增强化学气相沉积法，通过高射频功率、高射频频率以及高气体源流量的创新设计，可以迅速地在衬底的背表面生长一层低应力的介电薄膜，以有效改善衬底表面在高温条件下的应力集中现象，从而改善其弯曲变形现象。本发明结构及工艺简单，可以有效提高衬底质量，在半导体制造领域具有广泛的应用前景。
技术研发人员：王燕;王华杰;保罗·邦凡蒂
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2017.06.02
技术公布日：2018.12.11