1.一种可编程可抹除的非挥发性存储器，包括：
第一晶体管，具有选择栅极连接至一字符线，第一掺杂区域连接至一源极线，以及第二掺杂区域；
第二晶体管，具有该第二掺杂区域；第三掺杂区域，连接至一位线；以及浮动栅极；
抹除栅区域，连接至一抹除线，其中该浮动栅极延伸至抹除栅区域上方，且相邻于该抹除栅区域；以及
金属层，位于该浮动栅极上方，且该金属层连接至该位线。
2.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，该第一晶体管与该第二晶体管都为n型晶体管，该第一掺杂区域、该第二掺杂区域与该第三掺杂区域都为n型掺杂区域。
3.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其中，该第一n型晶体管与该第二n晶体管是制作于一p型阱区内，且该p型阱区位于一p型基板上。
4.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其中，该第一n型晶体管与该第二n晶体管是制作于一p型阱区内，且该p型阱区与一p型基板之间包括一深n型阱区。
5.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其中于一编程动作时，提供一第一电压至该p型阱区、该源极线，提供一编程电压至该位线与该抹除线，提供一开启电压至该字符线，使得多个电子注入该浮动栅极。
6.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其中于一抹除动作时，提供一第一电压至该p型阱区、该源极线与该位线，提供一抹除电压至该抹除线，提供一关闭电压至该字符线，使得多个电子退出该浮动栅极。
7.如权利要求2所述的非挥发性存储器，其中于一读取动作时，提供一第一电压至该p型阱区、该源极线与该抹除线，提供一读取电压至该位线，提供一开启电压至该字符线，使得一读取电流流向该源极线。
8.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中，该浮动栅极的一第一部分覆盖于该抹除栅区域，该浮动栅极的一第二部分覆盖于该第二晶体管的一通道区域，且该第一部分的面积与该第二部分的面积的比例介于1/4与2/3之间。
9.如权利要求1所述的非挥发性存储器，其中于该金属层的面积大于该浮动栅极的面积。
10.一种可编程可抹除的非挥发性存储器，包括：
选择晶体管，具有栅极端连接至一字符线，第一漏/源端连接至一源极线，以及第二漏/源端；
浮动栅晶体管，具有第一漏/源端连接至该选择晶体管的该第二漏/源端，第二漏/源端连接至一位线，以及浮动栅极；
第一电容器，连接至该浮动栅极与一抹除线之间；以及
第二电容器，连接至该浮动栅极与该位线之间。
11.如权利要求10所述的非挥发性存储器，其中，该选择晶体管与该浮动栅晶体管都为n型晶体管，且该选择晶体管与该浮动栅晶体管是制作于一p型阱区内。
12.如权利要求11所述的非挥发性存储器，其中于一编程动作时，提供一第一电压至该p型阱区、该源极线，提供一编程电压至该位线与该抹除线，提供一开启电压至该字符线，使得多个电子注入该浮动栅极。
13.如权利要求11所述的非挥发性存储器，其中于一抹除动作时，提供一第一电压至该p型阱区、该源极线与该位线，提供一抹除电压至该抹除线，提供一关闭电压至该字符线，使得多个电子退出该浮动栅极。
14.如权利要求11所述的非挥发性存储器，其中于一读取动作时，提供一第一电压至该p型阱区、该源极线与该抹除线，提供一读取电压至该位线，提供一开启电压至该字符线，使得一读取电流流向该源极线。