技术总结
本发明公开一种可编程可抹除的非挥发性存储器，包括：一第一晶体管，一第二晶体管，一抹除栅区域与一金属层。第一晶体管包括：一选择栅极，一第一掺杂区域以及一第二掺杂区域。选择栅极连接至一字符线。第一掺杂区域连接至一源极线。第二晶体管包括：该第二掺杂区域，一第三掺杂区域以及一浮动栅极。第三掺杂区域连接至一位线。抹除栅区域连接至一抹除线。该浮动栅极延伸至抹除栅区域上方，且相邻于该抹除栅区域。金属层位于该浮动栅极上方，且该金属层连接至该位线。
技术研发人员：黎俊霄;陈纬仁;陈学威
受保护的技术使用者：力旺电子股份有限公司
技术研发日：2017.06.30
技术公布日：2018.10.23