1.一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，所述器件结构包括栅极、源极、漏极、基极，所述基极和所述源极电连接，其特征在于：所述栅极、所述源极、所述漏极分别与金属支脚电连接，所述金属支脚外层附有氧化铝绝缘层，所述器件结构周围设有氧化铝绝缘层，所述器件结构和部分所述金属支脚通过氧化铝绝缘层与外界散热器相连接。
2.如权利要求1所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述金属支脚为耐高温金属。
3.如权利要求2所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述金属支脚为铁制金属支脚。
4.如权利要求2所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述金属支脚外的氧化铝绝缘层为α型氧化铝层。
5.如权利要求1所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述外界散热器为铜制散热器。
6.如权利要求5所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述铜制散热器通过金属锡焊接在所述器件结构和部分所述金属支脚上。
7.如权利要求1所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述外界散热器为铝制散热器。
8.如权利要求7所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述铝制散热器以热熔的方式焊接在所述器件结构和部分所述金属支脚上。
9.如权利要求8所述的一种易散热半导体场效应晶体管器件结构，其特征在于：所述铝制散热器外接有铜加强散热片。