一种双面切割陶瓷基板的制作方法

本实用新型涉及基板技术领域，尤其是一种双面切割陶瓷基板。

背景技术：

陶瓷基板采用三氧化二铝或者氮化铝经过高温烧结，最后到LED基板制造商再按照客户的要求进行作图，客户为了提升生产效率一般采用拼板的模式出货(即一整片板上有N个产品)。由于陶瓷基板容易脆，在将整片基板分成单个产品的时候如果没有预切割就会造成产品损坏，所以在基板制造的时候都会将N个产品之间做激光预切割；客户在封装成成品后再用治具进行分片就会变成独立的单个产品。

随着应用领域的不断扩大，客户需求的外形和标准也在不断的提升，对于整片基板分片后的单个基板产品的尺寸管控范围也在提高。比如客户的一些异形产品在切割和分片上良率报废很大，如图1，该类型基板是在基板的一个表面01形成切割线02，分片后的外观毛刺和尺寸不符的就接近30％-40％，对于成本上增加很多。主要原因有三个：第一，产品的要求高，公差范围管控严格；第二，产品的形状比较特殊，比如带尖角，分片以后的单个材料也必须带尖角，第三，采用单面切割，切割深度和切割方式的影响，未切割面在分片以后会有多出的毛边造成尺寸过大或者过小，影响客户使用。

因此，上述技术问题需要解决。

技术实现要素：

为了克服现有技术的不足，本实用新型提出一种双面切割陶瓷基板，目的在于解决现有基本分片后良率不高的技术问题。

为了解决上述的技术问题，本实用新型提出的基本技术方案为：

一种双面切割陶瓷基板，包括：

第一表面，该第一表面上具有沿基板单元周沿设置的第一切割线；

第二表面，位于基板的另一侧且与所述第一表面相背，该第二表面上具有沿基板单元周沿设置的第二切割线；

其中，第一切割线和第二切割线的总深度为基板总厚度的40％至50％。

进一步的，第一切割线和第二切割线的深度都为基板总厚度的20％至 25％。

进一步的，第一切割线和第二切割线的深度都为基板总厚度的23％。

进一步的，所述第一切割线和第二切割线的横截面形状为V型。

本实用新型的有益效果是：

本实用新型的技术方案一种双面切割陶瓷基板，该基板包括上下相背设置的第一表面和第二表面，该第一表面上具有沿基板单元周沿设置的第一切割线；该第二表面上具有沿基板单元周沿设置的第二切割线；第一切割线和第二切割线的总深度为基板总厚度的40％至50％。该技术通过在基板的上下表面都设置切割线，能够实现在切割分料过程避免应力集中在一侧，产生形变导致脆裂；改善基板切割分片后的尺寸不符，提升单片基板的进度，减小正负公差；减少基板切割分片后产生毛刺、多边等的问题的，提升产品良率；良率提升到 98％以上，比单面切割提升40％的良品，并同时降低成本。

附图说明

图1为传统基片的结构示意图；

图2为双面切割陶瓷基板的结构示意图；

图3为图2的A部放大图；

图4为双面切割陶瓷基板的第一表面的结构示意图；

图5为第一切割线和第二切割线错位布置的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合附图2至附图5对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

需要说明，若本实用新型实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示) 下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

本实用新型的技术方案适合制作脆性基板，该脆性基板可以是陶瓷基板、玻璃基板、硅基板、锗基板、硅-锗基板、氮化硅基板、蓝宝石基板、砷化镓基板等各种材料的半导体基板。本实施例以陶瓷基板为例来说明。

参见图2至图4，一种双面切割基板，包括第一表面101和第二表面102，该第一表面101上具有沿基板单元103周沿设置的第一切割线104；第二表面 102位于基板的另一侧且与所述第一表面10相背，该第二表面102上具有沿基板单元103周沿设置的第二切割线105；其中，第一切割线104和第二切割线 105的总深度为基板总厚度的40％至50％。

该技术实现了在基板的上下表面都形成切割线，便于基板切割为多个基板单元103，减少毛刺、毛边等缺陷，提高生产良率。另外，第一切割线104和第二切割线105的总深度为基板总厚度的40％至50％，该方案能够保证双面切割基板的质量，因为如果切割超过50％以上就会造成基板易碎，如果切割深度低于40％，基板在裂片分割以后就会出现毛刺或者不能分片的现象。并且采用双面设置切割线的方案，能够减少应力集中在一侧而导致变形的问题发生。

在本实施例中，所述第一切割线104和第二切割线105是沿着基板单元103 的周界分布的。例如，在基板上设置若干按照阵列方式排布的基板单元103，则第一切割线104和第二切割线105按照阵列布置的方式布置在基板上，如图 4所示，该图示出了基板的第一表面101的示意图，而基板的第二表面102的示意图与第一表面101示意图一致，故未示出。

在一些实施例中，第一切割线104和第二切割线105的深度都为基板总厚度的20％至25％。这样能够保证第一表面101和第二表面102都具有足够的深度，便于基板裂片。

第一切割线104和第二切割线105的深度相同或不相同。在具体的实施例中，第一切割线104和第二切割线105的深度相同且都为基板总厚度的23％，则该第一切割线104和第二切割线105的总深度为基板总厚度的46％。

详细的，第一切割线104和第二切割线105的形状可以是多种多样的。具体的，在本实施例中所述第一切割线104和第二切割线105的横截面形状为V 型。

另外，在另外一些实施例中，所述第一切割线104和第二切割线105可以错位布置，即在水平方向上，第一切割线104和第二切割线105中的一个位于左侧，一个位于右侧，如图5所示，该技术能够进一步降低在裂片时应力集中的问题。

总之，通过本实用新型的技术方案提高基板的裂片质量，使得良率提升到 98％以上，比单面切割提升40％的良品。

根据上述说明书的揭示和教导，本实用新型所属领域的技术人员还可以对上述实施方式进行变更和修改。因此，本实用新型并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对本实用新型的一些修改和变更也应当落入本实用新型的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本实用新型构成任何限制。