一种半导体封装方法与流程

本申请涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种半导体封装方法。

背景技术：

本部分的描述仅提供与本发明公开相关的背景信息，而不构成现有技术。

为了满足某些行业(如汽车电子类产品)对半导体封装产品更高性能的要求，需要在半导体封装产品引脚的侧边上形成保护层，防止引脚侧边氧化，以提高半导体封装产品的可靠性以及与其他元器件连接时的可焊性。

公告号为cn204834611u提供了一种能在半导体封装产品引脚的侧边形成防氧化保护层的已知实施例，该已知实施例的具体实现过程如下：

如图1a和图1b所示，提供引线框架条。该引线框架条包含有多个引线框架单元，引线框架单元包括中央焊盘区16及排列于中央焊盘区16四周的多个引脚12，中央焊盘区16和引脚12的中间设有空隙18，相邻两个引线框架单元处设计有连接条14，以使多个引线框架单元彼此连接。

如图1c所示，半导体芯片粘附及引线键合。在中央焊盘区16上涂敷胶层20，然后将半导体芯片22粘附在胶层20上，将半导体芯片22上的微型焊垫与引线框架条的引脚12利用引线24连接起来。

如图1d所示，塑封。采用塑封料26将半导体芯片22及引线24全部包覆起来，引脚12和中央焊盘区16之间的空隙18也填充塑封料26，引脚12和中央焊盘区16的背面裸露。

如图1e所示，半切割。对引线框架条的连接条14实行半切割，切割深度为引线框架条厚度的70％-80％，最佳为75％，使得引线框架条连接条14处形成凹槽32。

如图1f所示，形成保护层。通过电镀的方式，在引脚12和中央焊盘区16的背面，以及凹槽32的侧壁及顶壁上形成附加金属层28。

如图1g所示，全切割分离。在半切割的基础上进行引线框架条全切割，全切割开口宽度小于半切割开口宽度但大于引线框架条连接条14的宽度。在引脚12的侧边处形成有l形的凹槽32，凹槽32的侧壁上镀有与引脚12在封装体底部的相同且连接一体的电镀附加金属层28，最终获得如图1h所示的半导体封装单元。

由于在实施如图1e所示的半切割工艺时，极易形成大量金属碎屑或金属丝残留。这将导致最终得到的半导体封装单元的引脚之间形成桥接，从而导致短路，引起产品失效，生产良率低。

应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本发明的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本发明的背景技术部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现要素：

鉴于现有技术的不足，本申请的目的之一是提供一种半导体封装方法，其能够有效地去除切割工艺中形成的金属碎屑或金属丝残留，从而消除因此而引发的半导体封装单元相邻引脚之间形成的桥接而导致的短路，保证半导体封装单元焊接可靠性的同时，提高产品质量，提升良品率，实现批量化生产。

为达到上述目的，本申请采用如下技术方案：

一种半导体封装方法，包括以下步骤：

提供一金属基板；所述金属基板具有相对的正面和反面，所述金属基板包括多个操作单元，所述操作单元包括引脚，相邻两个所述操作单元的引脚通过切割道连接条相连接；

半导体芯片粘贴及导电连接；将所述半导体芯片固定于所述金属基板的正面，将所述引脚与所述半导体芯片电连接；

塑封；在所述金属基板的正面形成塑封层，所述塑封层全面包覆所述半导体芯片及所述金属基板的正面；

半切割；在所述金属基板的反面切割所述切割道连接条，形成凹槽，相邻所述操作单元在完成所述半切割后仍处于导电互连状态；所述切割道连接条在所述半切割过程中产生金属毛刺，所述金属毛刺附着在所述凹槽的壁上；

去除所述金属毛刺；

在所述金属基板的反面形成第一保护层；

全切割；在所述金属基板的反面对应于所述凹槽处进行全切割，从而使相邻所述操作单元彼此分离，获得半导体封装单元。

作为一种优选的实施方式，所述全切割时所切割的切割道连接条的厚度小于所述半切割时所切割的切割道连接条的厚度。

作为一种优选的实施方式，在所述半切割步骤中，所述半切割的深度小于所述切割道连接条的厚度。

作为一种优选的实施方式，多个所述操作单元呈多排多列排布，相邻两列所述操作单元之间通过第一切割道连接条相连接，相邻两行所述操作单元之间形成有第二切割道连接条；

每个所述操作单元包括：与所述第一切割道连接条相连接的多个引脚，所述引脚设有引脚连接条，所述引脚连接条与所述第二切割道连接条相连接；

其中，相邻两个所述第二切割道连接条通过切割道导电连接条相连接；

相应的，在所述半切割步骤中，只切割所述第一切割道连接条，其切割深度大于所述第一切割道连接条的厚度但小于所述第一切割道连接条与所述塑封层的厚度之和。

作为一种优选的实施方式，在所述全切割步骤中，在所述金属基板的反面沿所述第一切割道连接条的方向切穿所述塑封层，在所述金属基板的反面切穿所述第二切割道连接条和所述塑封层。

作为一种优选的实施方式，在所述半切割步骤中，形成的所述凹槽宽度大于所述切割道连接条的宽度但小于相邻两个所述引脚的宽度之和。

作为一种优选的实施方式，在所述全切割步骤中，全切割开口宽度小于或等于所述半切割形成的凹槽宽度。

作为一种优选的实施方式，在所述塑封步骤之后半切割步骤之前，在所述金属基板的反面形成第二保护层；

在去除所述金属毛刺的步骤中，所述金属毛刺通过与第一试剂发生化学反应的方式被溶蚀，所述第一试剂不与所述第二保护层发生化学反应。

作为一种优选的实施方式，在去除所述金属毛刺步骤之后形成所述第一保护层之前，去除所述第二保护层。

作为一种优选的实施方式，在去除所述第二保护层的步骤中，所述第二保护层通过与第二试剂发生化学反应的方式被溶蚀，所述第二试剂不与所述金属基板反面的金属层发生化学反应。

有益效果：

本申请实施方式所提供的半导体封装方法，通过去除金属毛刺的步骤，有效地去除半切割步骤中形成的金属碎屑或金属丝残留，从而消除因此而引发的半导体封装单元相邻引脚之间形成的桥接而导致的短路问题，保证半导体封装单元焊接可靠性的同时，提高产品质量，提升良品率，实现批量化生产。

参照后文的说明和附图，详细公开了本发明的特定实施方式，指明了本发明的原理可以被采用的方式。应该理解，本发明的实施方式在范围上并不因而受到限制。在所附权利要求的精神和条款的范围内，本发明的实施方式包括许多改变、修改和等同。

针对一种实施方式描述和/或示出的特征可以以相同或类似的方式在一个或更多个其它实施方式中使用，与其它实施方式中的特征相组合，或替代其它实施方式中的特征。

应该强调，术语“包括/包含”在本文使用时指特征、整件、步骤或组件的存在，但并不排除一个或更多个其它特征、整件、步骤或组件的存在或附加。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1a为现有技术的引线框架条的平面结构示意图；

图1b为图1a中的引线框架条沿a-a’方向的剖视结构示意图；

图1c为图1b中的引线框架条与半导体芯片粘贴和引线键合后的结构示意图；

图1d为图1c所示的引线框架条执行塑封后的结构示意图；

图1e为图1d所示的引线框架条实施半切割后的结构示意图；

图1f为图1e所示的引线框架条镀附加金属层后的结构示意图；

图1g为图1f所示的引线框架条实施切割分离后的结构示意图；

图1h为图1g中引线框架条实施切割后得到的半导体封装单元的结构示意图；

图2为本申请实施方式提供的一种半导体封装方法的流程图；

图3a为本申请实施方式提供的金属基板沿厚度方向的剖视结构示意图；

图3b为图3a中的金属基板与半导体芯片粘贴并引线键合后的结构示意图；

图3c为另一种金属基板与半导体芯片粘贴并通过金属凸点导电连接后的结构示意图；

图3d为图3b所示的金属基板执行塑封后的结构示意图；

图3e为图3d所示的金属基板形成第二保护层后的结构示意图；

图3f为图3d或图3e所示的金属基板实施半切割后的结构示意图；

图3g为图3f所示的金属基板去除金属毛刺后的结构示意图；

图3h为图3g所示的金属基板去除第二保护层后的结构示意图；

图3i为图3h所示的金属基板形成第一保护层后的结构示意图；

图3j为图3i所示的金属基板实施全切割后的结构示意图；

图3k为图3i所示的金属基板实施全切割后得到的半导体封装单元的结构示意图；

图4为本申请实施方式提供的另一种半导体封装方法的流程图；

图5为图3a所示金属基板的结构示意图；

图6为本申请实施方式提供的另一种金属基板的结构示意图；

图6a为图6所示的金属基板半切割后沿c-c’方向的剖视结构示意图；

图6b为图6所示的金属基板实施全切割后得到的半导体封装单元的结构示意图。

附图标记说明：

12、引脚；14、连接条；16、中央焊盘区；18、空隙；20、胶层；22、半导体芯片；24、引线；26、塑封料；28、附加金属层；32、凹槽；101、正面；102、反面；103、中央焊盘区；104、引脚；105、半导体芯片；106、引线；107、塑封层；108、第二保护层；109、凹槽；110、金属毛刺；111、第一保护层；112、阶梯形状；113、切割道连接条；203、中央散热盘；206、凸点；301、第一切割道连接条；302、第二切割道连接条；303、引脚连接条；304、切割道导电连接条。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，当元件被称为“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的另一个元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中另一个元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

如图1a至图1h所呈现的现有技术，最终得到的半导体封装结构及其单元存在相邻引脚12之间易桥接，是由于半切割工艺中极易形成大量金属碎屑或金属丝。而提供的引脚框架条自身的结构特性、半导体封装结构产品要求以及电镀工艺要求也间接导致了上述问题。具体阐述如下：

最终得到的半导体封装结构出于产品性能正常发挥的需要，要求半导体封装结构中所包含的引线框架单元四周的引脚12应互相隔离(电绝缘，或，不导电连通)，否则会出现短路情况。

如图1a所示，引线框架单元的每一个侧边有多个(图1a示意为4个)引脚12。该处于同一侧边的多个引脚12经历半切割(如图1e所示)和全切割分离(如图1g所示)之后，在最终的半导体封装结构(如图1g所示)以及半导体封装单元(如图1h所示)中，必须要互相隔离。

这就要求在半切割以及全切割的步骤中，切割的宽度要大于连接条14的宽度。这样，连接条14被切掉而不复存在。从而，使同一侧边上的多个引脚12原本处于导电连通状态的导电连接介质-连接条14失去，进而多个引脚12互相隔离不再导电连通。

然而，出于电镀形成附加金属层28的(如图1f所示)的工艺要求，在实施完半切割工艺之后，必须要保留一部分连接条14，以使整个引脚框架条处于导电连通状态。

原因是，电镀(electroplating)是利用电解原理在金属表面镀上其它金属或合金薄层的过程，是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着金属膜的工艺。若使裸露的金属区域全部镀上金属，则需要保证所有金属区域是连通的。

因此，出于电镀工艺能够实现的要求，实施半切割时，相邻两个引线框架单元相对侧边上的多个引脚12，仍需要通过未被切割的连接条14实现相互导通。否则，后续的电镀工艺将无法实施，引脚12和中央焊盘区16的背面，以及凹槽32的侧壁及顶壁也将无法形成附加金属层28。

然而正是由于半切割的步骤，极易产生大量金属碎屑或金属丝粘附在凹槽32中，即引脚12的外侧壁上。从而引起最终得到的半导体封装单元相邻引脚之间形成桥接，出现短路。

因此，本发明实施方式提供了一种半导体封装方法，可以较佳地解决上述现有技术的缺陷。

需要说明的是，在本申请实施方式的描述中，表示方位的“上下”可与所述金属基板的正面、反面相对应，具体的，“上”对应所述金属基板的正面，“下”对应所述金属基板的“反面”。

请参阅图2。图2为本发明实施方式所提供的一种半导体封装方法的流程图。虽然本发明提供了如下述实施例或流程图所述的方法操作步骤，但是基于常规或者无需创造性的劳动，在所述方法中可以包括更多或者更少的操作步骤。此外，所述方法在逻辑性上不存在必要因果关系的步骤中，这些步骤的执行顺序不限于本申请实施方式中所提供的执行顺序。

如图2所示，本申请实施方式中提供一种半导体封装方法，可以包括以下步骤：

步骤s10：提供一金属基板。

如图3a和图5所示，图3a为图5中的金属基板沿b-b’方向的剖视结构示意图。所述金属基板具有相对的正面101和反面102，所述金属基板包括多个操作单元，每个所述操作单元对应一个后文所述的最终获得的半导体封装单元。所述操作单元包括引脚104，相邻两个所述操作单元的引脚104通过切割道连接条113相连接，切割道连接条113和引脚104可以由相同的金属材料制成。具体的，每个操作单元可以包括一个中央焊盘区103，多个引脚104排列于中央焊盘区103的四周。

本申请实施方式所提供的金属基板可以如图5所示。此时金属基板包含有多个操作单元，每个操作单元包括中央焊盘区103及排列于中央焊盘区103四周的多个引脚104，中央焊盘区103和引脚104的中间设有空隙，相邻两个操作单元处设计有切割道连接条113，以使多个操作单元彼此连接。该金属基板与图1a所示的引线框架条结构一致。中央焊盘区103、切割道连接条113和引脚104可以由相同的金属材料制成。

在本申请的另一种实施方式中，提供的金属基板可以如图6所示。此时金属基板的多个所述操作单元呈多排多列排布，相邻两列所述操作单元之间形成有第一切割道连接条301，相邻两行所述操作单元之间形成有第二切割道连接条302。每个所述操作单元包括与所述第一切割道连接条301相连接的多个引脚104，所述引脚104设有引脚连接条303，所述引脚连接条303与所述第二切割道连接条302相连接。其中，相邻两个所述第二切割道连接条302通过切割道导电连接条304相连接。

步骤s20：半导体芯片粘贴及导电连接。

如图3b所示，将半导体芯片105固定于所述金属基板的正面101，可以采用粘合的方式固定。粘合材料可以为环氧树脂聚合物，经高温固化后半导体芯片105固定粘贴于所述金属基板的正面101。

将所述引脚104与所述半导体芯片105电连接，半导体芯片105上设有若干导电元件。依据芯片的不同类型，所述导电元件可能是微型导电焊垫或者是金属导电凸点206。

如图3b所示，如果导电元件是导电焊垫，可通过引线键合技术将金属引线106的两端分别键合于导电焊垫表面上和金属基板正面101的引脚104表面上，完成导电互连。

如图3c所示，如果导电元件是金属导电凸点206，则可以通过倒装焊技术将凸点206直接倒装于金属基板的引脚104上。此种金属基板可以没有中央焊盘区103，或者是有中央散热盘203。

本申请实施方式采用如图5所示的金属基板时，对应的选用引线键合的互连方式。

步骤s30：塑封。

如图3d所示，用绝缘材料(例如环氧树脂聚合物)在所述金属基板的正面101形成塑封层107，所述塑封层107全面包覆所述半导体芯片105、金属引线106及所述金属基板的正面101，金属基板反面102裸露。

步骤s50：半切割。

如图3f所示，在金属基板的反面102切割所述切割道连接条113，形成凹槽109。相邻所述操作单元在完成所述半切割后仍处于导电互连状态。

所述切割道连接条113在所述半切割过程中产生金属毛刺110，所述金属毛刺110可以是金属碎屑或金属丝，所述金属毛刺110附着在所述凹槽109的壁上。位于两个引脚104之间的金属毛刺110会引起相邻半导体封装单元形成桥接，从而导致短路，引起产品失效，生产良率低。

在对如图5所示的金属基板进行半切割时，所述半切割的深度小于所述切割道连接条113的厚度，以保证相邻所述操作单元在完成所述半切割后仍处于导电互连状态。

图3f中，w1表示凹槽109的宽度，其大于所述切割道连接条113的宽度但小于相邻两个引脚104的宽度之和。

在对如图6所示的金属基板进行半切割时，只切割所述第一切割道连接条301。在所述金属基板的反面切割所述第一切割道连接条301，所述半切割的深度大于所述第一切割道连接条301的厚度但小于所述第一切割道连接条301与所述塑封层107的厚度之和，如图6a所示。

由于相邻两个所述第二切割道连接条302通过切割道导电连接条304导电连接，在所述第一切割道连接条301被切穿后，所述切割道导电连接条304可以作为导电连接介质，连接相邻两个所述第二切割道连接条302，进而实现相邻所述操作单元在完成所述半切割后仍处于导电互连状态。

而且，所述半切割的深度保证所述第一切割道连接条301被切穿但所述塑封层并未被切穿，从而使所述金属基板的引脚侧壁完全裸露。这样，在后续形成第一保护层时，所述引脚的整个外侧壁均能够被所述第一保护层所覆盖。

图6a为图6中的金属基板半切割后沿c-c’方向的剖视结构示意图，w1表示凹槽109的宽度，其大于所述第一切割道连接条301的宽度但小于相邻两个所述引脚104的宽度之和。

步骤s60：去除金属毛刺。

如图3g所示，去除所述凹槽109表面上的金属毛刺110，以避免半导体封装单元的引脚之间形成桥接，从而避免短路的问题。

本申请实施方式对去除金属毛刺的方式不做限定，可以采用吹扫的方式，如用鼓风机吹或者用毛刷扫除。

作为一种可行的实施方式，所述金属毛刺110可以通过与第一试剂发生化学反应的方式而被溶蚀。优选的，可以采用机器喷射第一试剂，使所述第一试剂与所述金属毛刺110获得更好的接触，并发生化学反应，从而有效地去除凹槽109中的金属毛刺110。

在半切割(步骤s50)后去除金属毛刺，此时金属基板还未被全部切割开，各操作单元仍处于连接状态，便于高效地去除金属毛刺110。与全切割(步骤s90)后再去除金属毛刺110相比，效率明显提高。这是因为全切割后得到的是一个个相互分开的半导体封装单元，并且金属毛刺110可能移动到别的表面，这将不利于高效去除金属毛刺110。

步骤s80：形成第一保护层。

如图3i所示，在金属基板反面102的金属层上形成第一保护层111，通常采用电镀工艺。通过前述步骤，由于半切割后，相邻所述操作单元仍处于导电互连状态，为电镀工艺提供了实施条件。从而在电镀工艺中，使中央焊盘区103的下表面、引脚104的下表面、以及凹槽109裸露的金属表面上均可以形成第一保护层111。

所述第一保护层可以为100％纯锡，厚度为10um-25um。

步骤s90：全切割。

如图3j所示，在所述金属基板的反面102对应于所述凹槽109处进行全切割，从而使相邻所述操作单元彼此分离，获得半导体封装单元。

在本申请实施方式中，所述全切割时切割的切割道连接条113的厚度小于所述半切割时所切割的切割道连接条113的厚度。

具体的，在对图5所示金属基板进行半切割时，半切割的深度可以为切割道连接条113厚度的70％-80％，则全切割金属基板的深度为切割道连接条113厚度的20％-30％。因此，半切割时产生的金属毛刺远远多于全切割时所产生的金属毛刺。

在对图6所示金属基板进行半切割时，将会产生金属毛刺110的第一切割道连接条301全部切穿。全切割时切割的第一切割道连接条301的厚度为0，切割的均为塑封层107。因此，全切割时不会产生金属毛刺。

从而，全切割产生的金属毛刺非常微小，不足以影响封装产品的品质，因此可忽略不计。所以本申请在半切割步骤后，即对金属毛刺110进行去除，而没有在全切割步骤后才对金属毛刺进行去除。

如果半切割步骤后不去除金属毛刺110，直接电镀第一保护层111，会导致已产生的大量金属毛刺被所述第一保护层111固定在凹槽109表面，仍然会引起相邻半导体封装单元形成桥接，从而导致短路。

在对如图5所示的金属基板进行全切割时，需要切除所述切割道连接条113的余下部分以及所述塑封层107。

如图3j所示，w2表示全切割的开口宽度。全切割的开口宽度w2小于半切割的开口宽度，即w2小于凹槽的宽度w1。

如此，全切割后获得如图3k所示的半导体封装单元，在引脚104侧边处形成有阶梯形状112，该阶梯形状112上也形成有第一保护层111，有助于提高半导体封装单元的电连接性能。

在对如图6所示的金属基板进行全切割时，在所述金属基板的反面102沿所述第一切割道连接条301的方向切穿所述塑封层107，在所述金属基板的反面102切穿所述第二切割道连接条302和所述塑封层107。

优选的，全切割开口宽度等于所述半切割形成的凹槽宽度。如此，可以获得引脚104外侧壁较为平整的半导体封装单元。所述半导体封装单元如图6b所示。

本申请实施方式所提供的半导体封装方法，通过去除金属毛刺的步骤，有效地去除切割步骤中形成的金属碎屑或金属丝残留，从而消除因此而引发的半导体封装单元相邻引脚之间形成的桥接而导致的短路，保证半导体封装单元焊接可靠性的同时，提高产品质量，提升良品率，实现批量化生产。

在本申请实施方式中，如图4所示，在所述塑封步骤(步骤s30)之后、半切割步骤(步骤s50)之前，还可以包括如下步骤：

步骤s40：形成第二保护层。

如图3e所示，在金属基板反面102的金属层上形成第二保护层108，通常采用电镀工艺。整个金属基板的金属区域(中央焊盘区103和引脚104)彼此互相导电连通，为电镀工艺提供了实施条件。从而在电镀工艺中，使中央焊盘区103的下表面及引脚104的下表面均可以形成第二保护层108。

考虑到在后续步骤s60中，去除金属毛刺时，由于金属毛刺110的材料和引脚104的材料一样，若采用第一试剂去除金属毛刺110，中央焊盘区103的下表面及引脚104的下表面也会与第一试剂反应而被溶蚀。

因此，通过事先在金属基板反面102的金属层上形成所述第二保护层108，可以保护中央焊盘区103的下表面及引脚104的下表面，将金属基板下表面与第一试剂隔绝，以避免中央焊盘区103的下表面及引脚104的下表面与第一试剂反应而被破坏。

在本申请实施方式中，第一试剂可以选取有机酸，具体可为柠檬酸。所述第一试剂能通过化学反应溶蚀所述金属毛刺110，但所述第一试剂不与所述第二保护层108发生化学反应。

具体的，所述第二保护层可以为100％纯锡，厚度为10um-25um。

对应的，如图4所示，在去除所述金属毛刺步骤(步骤s60)之后、形成所述第一保护层(步骤s80)之前，还可以包括如下步骤：

步骤s70：去除第二保护层。

由于形成第二保护层(步骤s40)之后进行了半切割步骤(步骤s50)，因此半切割形成的凹槽109的表面未能形成保护层。

由于保护层通常采用电镀工艺形成，出于电镀工艺的需要，去除第二保护层108(如图3h所示)，以使整个金属基板的金属区域(中央焊盘区103和引脚104)彼此互相导电连通，为后续形成第一保护层(步骤s80)提供条件。

具体的，所述第二保护层108通过与第二试剂发生化学反应的方式被溶蚀，所述第二试剂不与所述金属基板反面102的金属层发生化学反应。

在本申请实施方式中，第二试剂可以选取无机酸，具体可为硝酸。优选的，可以采用机器喷射第二试剂，使所述第二试剂与所述第二保护层108获得更好的接触，并发生化学反应，从而有效地去除第二保护层108。

需要说明的是，在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的和区别类似的对象，两者之间并不存在先后顺序，也不能理解为指示或暗示相对重要性。此外，在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

本文引用的任何数字值都包括从下限值到上限值之间以一个单位递增的下值和上值的所有值，在任何下值和任何更高值之间存在至少两个单位的间隔即可。举例来说，如果阐述了一个部件的数量或过程变量(例如温度、压力、时间等)的值是从1到90，优选从20到80，更优选从30到70，则目的是为了说明该说明书中也明确地列举了诸如15到85、22到68、43到51、30到32等值。对于小于1的值，适当地认为一个单位是0.0001、0.001、0.01、0.1。这些仅仅是想要明确表达的示例，可以认为在最低值和最高值之间列举的数值的所有可能组合都是以类似方式在该说明书明确地阐述了的。

除非另有说明，所有范围都包括端点以及端点之间的所有数字。与范围一起使用的“大约”或“近似”适合于该范围的两个端点。因而，“大约20到30”旨在覆盖“大约20到大约30”，至少包括指明的端点。

披露的所有文章和参考资料，包括专利申请和出版物，出于各种目的通过援引结合于此。描述组合的术语“基本由…构成”应该包括所确定的元件、成分、部件或步骤以及实质上没有影响该组合的基本新颖特征的其他元件、成分、部件或步骤。使用术语“包含”或“包括”来描述这里的元件、成分、部件或步骤的组合也想到了基本由这些元件、成分、部件或步骤构成的实施方式。这里通过使用术语“可以”，旨在说明“可以”包括的所描述的任何属性都是可选的。

多个元件、成分、部件或步骤能够由单个集成元件、成分、部件或步骤来提供。另选地，单个集成元件、成分、部件或步骤可以被分成分离的多个元件、成分、部件或步骤。用来描述元件、成分、部件或步骤的公开“一”或“一个”并不说为了排除其他的元件、成分、部件或步骤。

应该理解，以上描述是为了进行图示说明而不是为了进行限制。通过阅读上述描述，在所提供的示例之外的许多实施方式和许多应用对本领域技术人员来说都将是显而易见的。因此，本教导的范围不应该参照上述描述来确定，而是应该参照所附权利要求以及这些权利要求所拥有的等价物的全部范围来确定。出于全面之目的，所有文章和参考包括专利申请和公告的公开都通过参考结合在本文中。在前述权利要求中省略这里公开的主题的任何方面并不是为了放弃该主体内容，也不应该认为发明人没有将该主题考虑为所公开的发明主题的一部分。