阵列基板及其制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及LCD (Liquid Crystal Display，液晶显示器)领域，特别涉及一种阵列基板及其制作方法。
【背景技术】
[0002]TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶体管)LCD因其性能优良、大规模生产特性好、发展空间广阔等优点，成为目前显示器领域的主流产品。TFT IXD按照显示模式可以分为:扭曲向列(TN, Twisted Nematic)型、平面转换(IPS，In Plane Switching)型和高级超维场开关(ADS，Advanced Super Dimens1n Switch)型。
[0003]ADS型LCD的阵列基板包括基板、依次形成在基板上的公共电极、栅极、半导体层、源漏极、钝化层及像素电极。为了减少上述阵列基板的制作工艺，现有一种4次掩模(4MASK)制作工艺，具体如下:第一步，在基板上形成公共电极(1st ΙΤ0)和栅极(Gate)；第二步，在基板上形成半导体层和源漏极(S D);第三步，在基板上形成钝化层并制作过孔(Via Hole);第四步，在基板上形成像素电极(2nd ΙΤ0)。其中，4次MASK分别为:第一步中的ITO Gate Mask，第二步中S D Mask，第三步中过Via Hole Mask和第四步中ITO Mask。
[0004]采用上述工艺制成的ADS型IXD的阵列基板，存在以下问题:公共电极ITO中会存在水汽残留，水汽残留一部分是为了防止公共电极ITO成膜时晶化，在进行ITO溅射时加入的水，另一部分是ITO成膜后从空气中吸收的水，水汽残留使得ITO和Gate交界面形成鼓包，这些鼓包在公共电极和栅极制备完成后的高温真空工艺中发生破裂，导致数据线栅极短路，严重影响ADS产品的良率。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制作方法。所述技术方案如下:
[0006]第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板制作方法，所述方法包括:
[0007]在基板上溅射一层氧化铟锡ITO薄膜；
[0008]对所述基板进行退火处理；
[0009]在所述ITO薄膜上形成一层栅极金属薄膜；
[0010]对所述ITO薄膜和所述栅极金属薄膜进行处理，得到公共电极图案和栅极图案。
[0011]在本发明实施例的一种实现方式中，所述退火处理的温度为120至160摄氏度。
[0012]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述退火处理的温度为140摄氏度。
[0013]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述退火处理的时间为30分钟。
[0014]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述退火处理的气氛为氮气。
[0015]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对所述ITO薄膜和所述栅极金属薄膜进行处理，得到公共电极图案和栅极图案，包括:
[0016]采用灰阶掩膜刻蚀工艺刻蚀所述ITO薄膜和所述栅极金属薄膜，得到所述公共电极图案和所述栅极图案。
[0017]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述采用灰阶掩膜刻蚀工艺刻蚀所述ITO薄膜和所述栅极金属薄膜，得到所述公共电极图案和所述栅极图案，包括:
[0018]在所述基板上涂布光刻胶；
[0019]采用灰阶掩膜板对所述光刻胶进行曝光，得到光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一部分和第二部分，所述第一部分的厚度小于所述第二部分的厚度；
[0020]对形成有所述光刻胶图案的所述基板进行刻蚀，得到所述公共电极图案和所述栅极图案。
[0021]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述对形成有所述光刻胶图案的所述基板进行刻蚀，得到所述公共电极图案和所述栅极图案，包括:
[0022]对所述基板进行第一次刻蚀工艺，对未覆盖所述光刻胶的所述栅极金属薄膜和所述ITO薄膜进行刻蚀，得到所述公共电极图案；
[0023]采用光刻胶灰化工艺，除去所述光刻胶图案中所述第一部分的光刻胶；
[0024]对所述基板进行第二次刻蚀工艺，对未覆盖所述光刻胶的所述栅极金属薄膜进行刻蚀，得到所述栅极图案；
[0025]除去剩余光刻胶。
[0026]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述采用灰阶掩膜刻蚀工艺刻蚀所述ITO薄膜和所述栅极金属薄膜，得到所述公共电极图案和所述栅极图案，还包括:
[0027]对形成有所述光刻胶图案的所述基板进行刻蚀后，对所述基板进行退火。
[0028]在本发明实施例的另一种实现方式中，所述方法还包括:
[0029]在形成有所述公共电极图案和所述栅极图案的所述基板上形成半导体层和源漏极；
[0030]在形成有所述半导体层和所述源漏极的所述基板上形成钝化层并制作过孔；
[0031]在形成有所述钝化层及所述过孔的所述基板上形成像素电极。
[0032]第二方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板利用第一方面所述的方法制作而成。
[0033]本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
[0034]在本发明实施例中，在ITO薄膜溅射完成后进行退火，可以使得ITO薄膜中的水汽残留释放，从而避免了在ITO和Gate交界面形成鼓包，提尚ADS广品的良率。
【附图说明】
[0035]为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0036]图1是本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法的流程图；
[0037]图2是本发明实施例提供的另一种阵列基板制作方法的流程图；
[0038]图2a是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
[0039]图2b是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
[0040]图2c是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
[0041]图2d是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
[0042]图2e是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
[0043]图2f是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图；
[0044]图2g是本发明实施例提供的阵列基板制作过程中的结构示意图。
【具体实施方式】
[0045]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
[0046]图1是本发明实施例提供的一种阵列基板制作方法的流程图，参见图1，该方法包括:
[0047]步骤101:在基板上派射一层氧化铟锡(Indium Tin Oxide, ITO)薄膜。
[0048]步骤102:对基板进行退火处理。
[0049]步骤103:在ITO薄膜上形成一层栅极金属薄膜。
[0050]步骤104:对ITO薄膜和栅极金属薄膜进行处理，得到公共电极图案和栅极图案。
[0051]其中，公共电极图案和栅极图案可以采用一次构图工艺处理ITO薄膜和栅极金属薄膜得到，具体见后文详细描述。公共电极图案和栅极图案也可以不采用一次构图工艺(如两次构图工艺)处理ITO薄膜和栅极金属薄膜得到，本发明对此不做赘述。
[0052]在本发明实施例中，在ITO薄膜溅射完成后进行退火，可以使得ITO薄膜中的水汽残留释放，从而避免了在ITO和Gate交界面形成鼓包，提尚ADS广品的良率。
[0053]图2是本发明实施例提供的另一种阵列基板制作方法的流程图，参见图2，该方法包括:
[0054]步