密封用片、以及半导体装置的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及密封用片、W及半导体装置的制造方法。
【背景技术】
[0002] W往，作为半导体装置的制造方法，已知有在将固定于基板等上的1个或多个半导 体忍片用密封树脂密封后、将密封体切割为半导体装置单元的封装体的方法。作为此种密 封树脂，例如已知有热固性树脂片(例如参照专利文献1)。
[0003] 现有技术文献
[0004] 专利文献
[000引专利文献1:日本特开2006-19714号公报
【发明内容】
[0006] 发明所要解决的问题
[0007] 然而，W往在使用热固性树脂片制造半导体装置的情况下，形成于半导体忍片上 的电路会雙到破坏。
[0008] 用于解决问题的方法
[0009] 本发明人等对于半导体忍片上的电路受到破坏的原因进行了研究。其结果是查 明，在将贴合在热固性树脂片上的剥离用片剥下时，会在剥离用片与热固性树脂片之间产 生剥离带电，半导体忍片上的电路因该产生的静电而受到破坏。
[0010] 本发明人等为了解决上述W往的问题进行了研究，结果发现，通过将密封用片的 任意一个表面的表面固有电阻值设为一定的范围内，就可W抑制半导体忍片上的电路受到 破坏的情况，从而完成了本发明。
[0011] 目P，本发明的密封用片是用于填埋半导体忍片的密封用片，其特征在于，任意一个 表面的表面固有电阻值为1.OXlOi2Q W下。
[0012] 根据所述构成，由于密封用片的任意一个表面的表面固有电阻值为1.0 X 1〇12 Q W 下，因此难W带电。因而，在将贴合在密封用片上的剥离用片剥下时，可W抑制在剥离用片 与密封用片之间产生剥离带电的情况。其结果是，可W防止半导体忍片因该剥离带电而被 破坏，提高使用所述密封用片制造的半导体装置的可靠性。
[0013] 在所述构成中，优选在所述密封用片中含有防静电剂。如果在密封用片中含有防 静电剂，则在将剥离用片剥离后也具有防静电效果。其结果是，在从剥离用片剥离后，也可 W抑制由带电造成的半导体忍片的破坏。
[0014] 另外，本发明是一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
[001引 具备；
[0016] 工序A，在支撑体上固定半导体忍片;和
[0017] 工序B，将固定于所述支撑体的所述半导体忍片填埋在密封用片中而形成密封体， [001引所述密封用片的任意一个表面的表面固有电阻值为1.0 X 10" Q W下。
[0019] 根据所述构成，密封用片的任意一个表面的表面固有电阻值为I.OX IQi2Q W下。 由于所述表面固有电阻值为1.OX IQi2Q W下，因此可W发挥防静电效果。其结果是，可W防 止半导体忍片因将贴合在密封用片上的剥离用片剥离时产生的剥离带电而被破坏，提高使 用所述密封用片制造的半导体装置的可靠性。
[0020] 在所述构成中，优选在所述密封用片中含有防静电剂。
[0021] 如果在密封用片中含有防静电剂，则在从剥离用片剥离后也具有防静电效果。其 结果是，在从剥离用片剥离后，也可W抑制由带电造成的半导体忍片的破坏。
[0022] 发明效果
[0023] 根据本发明，可W提供能够防止半导体忍片因剥离带电而被破坏、提高所制造的 半导体装置的可靠性的密封用片、W及使用了该密封用片的半导体装置的制造方法。
【附图说明】
[0024] 图1是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0025] 图2是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0026] 图3是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0027] 图4是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0028] 图5是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0029] 图6是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0030] 图7是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0031] 图8是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0032] 图9是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0033] 图10是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0034] 图11是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0035] 图12是用于说明剥离带电电压的测定方法的概略构成图。
[0036] 图13是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0037] 图14是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0038] 图15是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0039] 图16是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0040] 图17是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0041] 图18是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0042] 图19是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0043] 图20是用于说明第二实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
【具体实施方式】
[0044] W下，在参照附图的同时，对本发明的实施方式进行说明。然而，本发明并不仅限 定于运些实施方式。
[004引[第一实施方式]
[0046] 第一实施方式的半导体装置的制造方法至少具备：
[0047] 工序A，将半导体忍片倒装忍片式接合在半导体晶片的电路形成面;和
[0048] 工序B，将倒装忍片式接合在所述半导体晶片上的所述半导体忍片填埋在密封用 片中而形成密封体，
[0049] 所述密封用片的任意一个表面的表面固有电阻值为1.0 X 10" Q W下。
[0050] 即，第一实施方式中，对本发明中的"支撑体"为"半导体晶片"的情况进行说明。第 一实施方式是所谓的化ip-On-Wafer方式的半导体装置的制造方法。
[0051] 图1~图11是用于说明第一实施方式的半导体装置的制造方法的剖面示意图。
[0052] [准备工序]
[0053] 如图1所示，第一实施方式的半导体装置的制造方法中，首先，准备具有电路形成 面23a的1个或多个半导体忍片23、和具有电路形成面22a的半导体晶片22。而且，W下，对将 多个半导体忍片倒装忍片式接合在半导体晶片上的情况进行说明。
[0054] [倒装忍片式接合半导体忍片的工序]
[0055] 然后，如图2所示，将半导体忍片23倒装忍片式接合在半导体晶片22的电路形成面 22a(工序A)。在将半导体忍片23向半导体晶片22上搭载时，可W使用倒装片接合机或忍片 接合机等公知的装置。具体而言，将形成于半导体忍片23的电路形成面23a的凸块23b与形 成于半导体晶片22的电路形成面22a的电极22b电连接。由此，就可W得到将多个半导体忍 片23安装在半导体晶片22上的层叠体20。此时，也可W在半导体忍片23的电路形成面23a贝占 附底部填充用的树脂片24。该情况下，当将半导体忍片23倒装忍片式接合在半导体晶片22 上时，就可W对半导体忍片23与半导体晶片22之间的间隙进行树脂密封。而且，对于将贴附 有底部填充用的树脂片24的半导体忍片23倒装忍片式接合在半导体晶片22上的方法，例如 公开于日本特开2013-115186号公报等中，因此省略此处的详细说明。
[0056] [准备密封用片的工序]
[0057] 另外，本实施方式的半导体装置的制造方法中，如图3所示，准备密封用片10。通常 W层叠于聚对苯二甲酸乙二醇醋(PET)膜等剥离衬垫11上的状态准备密封用片10。该情况 下，为了容易地进行密封用片10的剥离，也可W对剥离衬垫11实施脱模处理。
[0058] (密封用片）
[0059] 密封用片10的任意一个表面的表面固有电阻值为I.OXIQUQ W下，优选为1.OX l〇iiQW下，更优选为1.〇X1〇WqW下。在密封用片10具有多层结构、在任意一方的最外层 中含有防静电剂的情况下，含有防静电剂的最外层的表面的表面固有电阻值优选为1.0 X 1 〇12 Q W下，更优选为1.0 X 1〇11 Q W下，进一步优选为1.0 X l〇w Q W下。另外，虽然所述表 面固有电阻值越小越好，然而例如可W举出1.0 X IO5 Q W上、1.0 X IO6 Q W上、1.0 X IO7 Q W上。由于所述表面固有电阻值为1.0 X IQi2Q W下，因此难W带电。因而，可W进一步发挥 防静电效果。所述表面固有电阻值是指利用实施例记载的方法测定的值。
[0060] 在带有剥离衬垫11的密封用片10中，在剥离角度为90°、拉伸速度为300mm/min的 剥离试验中的剥离衬垫11与密封用片10的剥离力优选为0.01~0.5N/20mm，更优选为0.02 ~0.4N/20mm。如果所述剥离力为0.01N/20mmW上，则在将密封片利用吸附夹头等吸附剥离 片11面侧并进行搬送时可W不使剥离片剥离、或产生浮起地搬送。另外，由于所述剥离力为 0.5N/20mmW下，因此可W在密封后或热固化后容易地将剥离片剥离。
[0061] 在带有剥离衬垫11的密封用片10中，在剥离角度180°、剥离速度lOm/min的条件下 将剥离衬垫11与密封用片10剥离时的剥离带电电压的绝对值优选为〇.5kVW下（一0.化V~ +0.5kV)，更优选为O . 3kVW下（一O. 3kV~+0.3kV)，进一步优选为O . 2kVW下（一O . 2kV~+ 0.2kV)。如果所述剥离带电电压的绝对值为0.5kVW下，则可W进一步发挥防静电效果。
[0062] 此处，对剥离带电电压的测定方法进行说明。
[0063] 图12是用于说明剥离带电电压的测定方法的概略构成图。
[0064] 首先，准备在两面贴合有剥离衬垫11的密封用片10。然后，在预先进行了除电的亚 克力板1〇〇(厚度：1mm、宽度:70mm、长度:100mm)上，贴合剥离了与测定面相反一侧的剥离衬 垫11的密封用片。在贴合时，使用手压滚筒，W使亚克力板100与密封用片10的剥离衬垫11 除去面夹隔着双面胶带相面对的方式进行。在该状态下，在23°C、50%RH的环境下放置一 天。然后，将贴合有密封用片10的亚克力板100固定在样品固定台102上。然后，将剥离衬垫 11的端部固定在自动卷绕机上，W使剥离角度为180°、剥离速度为lOm/min的方式进行剥 离。利用固定在相对于密封用片10的表面为IOOmm的位置的电位测量仪104(春日电机公司 制、KSD-0103)测定此时产生的剥离用片侧的面的电位。测定在23°C、50%RH的环境下进 行。
[0065] 密封用片10优选含有防静电剂。如果在密封用片10中含有防静电剂，则在从剥离 用片11剥离后也具有防静电效果。其结果是，在从剥离用片11剥离后，也可W抑制由带电造 成的半导体忍片的破坏。特别是，如果密封用片10具有多层结构，在多层结构的密封用片10 的剥离用片11侧的最外层中含有防静电剂，则可W更加有效地抑制将剥离用片11与密封用 片10剥离时的剥离带电。
[0066] 而且，也可W在剥离用片11中含有防静电剂。
[0067] 作为所述防静电剂，可W举出季锭盐、化晚鐵盐、具有伯氨基、仲氨基、叔氨基等阳 离子性官能团的阳离子型防静电剂、横酸盐或硫酸醋盐、麟酸盐、憐酸醋盐等具有阴离子性 官能团的阴离子型防静电剂、烷基甜菜碱及其衍生物、咪挫嘟及其衍生物、苯胺及其衍生物 等两性型防静电剂、氨基醇及其衍生物、甘油及其衍生物、聚乙二醇及其衍生物等非离子型 防静电剂、W及将具有上述阳离子型、阴离子型、两性离子型的离子导电性基的单体聚合或 共聚而得的离子导电性聚合物(高分子型防静电剂）。运些化合物既可W单独地使用，也可 W混合使用巧巾W上。其中，优选高分子型防静电剂。如果使用高分子型防静电剂，则难W从 密封用片10、剥离用片11中渗出。其结果是，可W抑制由经时造成的防静电功能的降低。
[0068] 具体而言，作为阳离子型防静电剂，例如可W举出烷基S甲基锭盐、丙締酷基酷胺 丙基=甲基锭甲基硫酸盐、烷基苄基甲基锭盐、酷基氯化胆碱、聚二甲基氨基乙基甲基丙締 酸醋等具有季锭基的（甲基)丙締酸醋共聚物、聚乙締基苄基=甲基氯化锭等具有季锭基的 苯乙締共聚物、聚二締丙基二甲基氯化锭等具有季锭基的二締丙基胺共聚物等。运些化合 物既可W单独地使用，也可W混合使用巧巾W上。
[0069] 作为阴离子型防静电剂，例如可W举出烷基横酸盐、烷基苯横酸盐、烷基硫酸醋 盐、烷基乙氧基硫酸醋盐、烷基憐酸醋盐、含有横酸基的苯乙締共聚物。运些化合物既可W 单独地使用，也可W混合使用巧巾W上。
[0070] 作为两性离子型防静电剂，例如可W举出烷基甜菜碱、烷基咪挫鐵甜菜碱、幾基甜 菜碱接枝共聚物。运些化合物既可W单独地使用，也可W混合使用巧巾W上。
[00川作为非离子型防静电剂，例如可从举出脂肪酸烷基醇酷胺、二（2-径基乙基)烷基 胺、聚氧乙締烷基胺、脂肪酸甘油醋、聚氧乙二醇脂肪酸醋、失水山梨醇脂肪酸醋、聚氧失水 山梨醇脂肪酸醋、聚氧乙締烷基苯基酸、聚氧乙締烷基酸、聚乙二醇、聚氧亚乙二胺、由聚酸 与聚醋与聚酷胺构成的共聚物、甲氧基聚乙二醇（甲基）丙締酸醋等。运些化合物既可W单 独地使用，也可W混合使用巧巾W上。
[0072] 作为高分子型防静电剂的其他例子，例如可W举出聚苯胺、聚化咯、聚嚷吩等。
[0073] 另外，作为所述防静电剂，可W举出导电性物质。作为导电性物质，例如可W举出 氧化锡、氧化錬、氧化铜、氧化儒、氧化铁、氧化锋、铜、锡、錬、金、银、铜、侣、儀、铭、铁、铁、 钻、舰化铜、W及它们的合金或混合物。
[0074] 所述防静电剂的含量优选相对于所添加的层的全部树脂成分为50重量％ ^下，更 优选为30重量％ ^下。另外，所述防静电剂的含量优选相对于所添加的层的全部树脂成分 为5重量％ ^上，更优选为10重量％ ^上。通过在所述数值范围内含有所述防静电剂，就可 W不损害所添加的层的功能地附加防静电功能。此处，所谓"相对于所添加的层的全部树脂 成分为50重量％ ^下"，是指W下的意味。
[0075] (a)所添加的层为密封用片10的情况
[0076] 在密封用片10由1层构成的情况下，是指相对于构成密封用片10的全部树脂成分 为50重量下。
[OOW]在密封用片10由多层结构构成的情况下，是指相对于构成多个层中的1个层的全 部树脂成分为