是被用于通过填埋半导体 忍片来制造半导体装置的方法中，就不限定于该例。例如可W用于通过将倒装忍片式接合 或忍片接合在各种基板(例如引线框、布线电路板等)上的半导体忍片填埋来制造半导体装 置的情况。
[0巧8][实施例]
[0259] W下，使用实施例对本发明进行详细说明，然而本发明只要不超出其主旨，就不受 W下的实施例限定。另外，各例中，份只要没有特别指出，就是重量基准。
[0260] (实施例1)
[0261] <密封用片的制作>
[0262] 相对于环氧树脂(商品名叮51^￥-80乂护、新日铁化学公司制）100份，配合酪醒树脂 (商品名"MEH- 7851 - SS"、明和化成公司制）110份、球状填料(商品名"FB-9454FC'、电化 学工业公司制）2350份、硅烷偶联剂（商品名"KBM-403"、信越化学公司制）2.5份、炭黑（商 品名、S菱化学公司制）13份、固化促进剂(商品名"2P监一PW"、四国化成工业公司制） 3.5份、热塑性树脂（商品名"SIBSTAR072r KA肥KA公司制100份、相对于除去填料W外的全 部树脂成分整体为50重量％的防静电剂(产品名叩化ESTAT"、S洋化成公司制），利用漉混 炼机依次在60°C加热2分钟、在80°C加热2分钟、在120°C加热6分钟，合计10分钟，在减压条 件下(O.Olkg/cm 2)下烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120°C的条件下利 用狭缝形模头法涂布在脱模处理膜上而制成片状，在其上在60°C的溫度层压相同的脱模处 理膜，制作出厚400WH、纵350mm、横350mm的密封用片。作为上述脱模处理膜，使用了由进行 了娃酬脱模处理的厚度为50WI1的聚对苯二甲酸乙二醇醋膜构成的膜。
[026引（实施例2)
[0264] <密封用片的制作>
[0265] 相对于环氧树脂(商品名叮51^￥-80乂护、新日铁化学公司制）100份，配合酪醒树脂 (商品名"MEH- 7851 - SS"、明和化成公司制）110份、球状填料(商品名"FB-9454FC'、电化 学工业公司制）2350份、硅烷偶联剂（商品名"KBM-403"、信越化学公司制）2.5份、炭黑（商 品名"#20"、S菱化学公司制）13份、固化促进剂(商品名"2P监一PW"、四国化成工业公司制） 3.5份、热塑性树脂（商品名"SIBSTAR072r、KANEKA公司制）1OO份、相对于除去填料W外的 全部树脂成分整体为5重量％的防静电剂(产品名"P化ESTATES洋化成公司制），利用漉混 炼机依次在60°C加热2分钟、在80°C加热2分钟、在120°C加热6分钟，合计10分钟，在减压条 件下(O.Olkg/cm 2)下烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120°C的条件下利 用狭缝形模头法涂布在脱模处理膜上而制成片状，在其上在60°C的溫度层压相同的脱模处 理膜，制作出厚400WH、纵350mm、横350mm的密封用片。作为上述脱模处理膜，使用了由进行 了娃酬脱模处理的厚度为50WI1的聚对苯二甲酸乙二醇醋膜构成的膜。
[0266] (实施例3)
[0267] <密封用片的制作>
[0268] (最外层的制作）
[0269] 相对于环氧树脂(商品名叮51^￥-80乂护、新日铁化学公司制）100份，配合酪醒树脂 (商品名"MEH- 7851 - SS"、明和化成公司制）110份、球状填料(商品名"FB-9454FC'、电化 学工业公司制）2350份、硅烷偶联剂（商品名"KBM-403"、信越化学公司制）2.5份、炭黑（商 品名、S菱化学公司制）13份、固化促进剂(商品名"2P监一PW"、四国化成工业公司制） 3.5份、热塑性树脂(商品名"SIBSTAR072r KANEKA公司制）100份、相对于除去填料W外的全 部树脂成分整体为50重量％的防静电剂(产品名叩化ESTAT"、S洋化成公司制），利用漉混 炼机依次在60°C加热2分钟、在80°C加热2分钟、在120°C加热6分钟，合计10分钟，在减压条 件下(O.Olkg/cm 2)下烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120°C的条件下利 用狭缝形模头法涂布在脱模处理膜上而制成片状，制作出厚200WH、纵350mm、横350mm的最 外层。作为上述脱模处理膜，使用了由进行了娃酬脱模处理的厚度为50WI1的聚对苯二甲酸 乙二醇醋膜构成的膜。
[0270] (最内层的制作）
[0271]相对于环氧树脂(商品名"YSLV-80XY"、新日铁化学公司制）100份，配合酪醒树脂 (商品名"MEH- 7851 - SS"、明和化成公司制）110份、球状填料(商品名"FB-9454FC'、电化 学工业公司制）2080份、硅烷偶联剂（商品名"KBM-403"、信越化学公司制）2.2份、炭黑（商 品名"#20"三菱化学公司制）11份、固化促进剂(商品名"2P监一PW"、四国化成工业公司制） 3.6份、热塑性树脂(商品名"SIBSTAR072r、KANEKA公司制)65份，利用漉混炼机依次在60°C 加热2分钟、在80°C加热2分钟、在120°C加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下（0.01kg/ cm2)下烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120°C的条件下利用狭缝形模头 法涂布在脱模处理膜上而制成片状，制作出厚200WI1、纵350mm、横350mm的最内层。作为上述 脱模处理膜，使用了由进行了娃酬脱模处理的厚度为50皿的聚对苯二甲酸乙二醇醋膜构成 的膜。
[0272]将所制作的最外层和最内层利用层压机在60°C的溫度贴合，制作出本实施例3的 厚400WI1的密封用片。
[027引（实施例4)
[0274] <密封用片的制作>
[027引（最外层的制作）
[0276]除了将实施例3的最外层的防静电剂的含量变更为5重量％ ^外，与实施例3的最 外层相同地制作出本实施例4的最外层。
[0277] (最内层的制作）
[0278] 制作出与实施例3的最内层相同的最内层。
[0279] 将所制作的最外层和最内层利用层压机在60°C的溫度贴合，制作出本实施例4的 厚400WI1的剥离用片。
[0280] (实施例5)
[0281] <密封用片的制作>
[0282] (最外层的制作）
[0283] 相对于环氧树脂(商品名叮51^￥-80乂护、新日铁化学公司制）100份，配合酪醒树脂 (商品名"MEH- 7851 - SS"、明和化成公司制）110份、球状填料(商品名"FB-9454FC'、电化 学工业公司制）2350份、硅烷偶联剂（商品名"KBM-403"、信越化学公司制）2.5份、炭黑（商 品名、S菱化学公司制）13份、固化促进剂(商品名"2P监一PW"、四国化成工业公司制） 3.5份、热塑性树脂（商品名"SIBSTAR072r、KA肥KA公司制）100份，利用漉混炼机依次在60 °C加热2分钟、在80°C加热2分钟、在120°C加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下(0.0 lkg/ cm2)下烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120°C的条件下利用狭缝形模头 法涂布在脱模处理膜上而制成片状，制作出厚200WI1、纵350mm、横350mm的最内层。作为上述 脱模处理膜，使用了由进行了娃酬脱模处理的厚度为50皿的聚对苯二甲酸乙二醇醋膜构成 的膜。
[0284] (最内层的制作）
[0285] 相对于环氧树脂(商品名叮51^￥-80乂护、新日铁化学公司制）100份，配合酪醒树脂 (商品名"MEH- 7851 - SS"、明和化成公司制）110份、球状填料(商品名"FB-9454FC'、电化 学工业公司制）2080份、硅烷偶联剂（商品名"KBM-403"、信越化学公司制）2.2份、炭黑（商 品名"#20"三菱化学公司制）11份、固化促进剂(商品名"2P监一PW"、四国化成工业公司制） 3.6份、热塑性树脂(商品名"SIBSTAR072r、KANEKA公司审Ij)65份、相对于除去填料W外的全 部树脂成分整体为50重量％的防静电剂(产品名叩化ESTAT"、S洋化成公司制），利用漉混 炼机依次在60°C加热2分钟、在80°C加热2分钟、在120°C加热6分钟，合计10分钟，在减压条 件下(O.Olkg/cm 2)下烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120°C的条件下利 用狭缝形模头法涂布在脱模处理膜上而制成片状，制作出厚200WH、纵350mm、横350mm的最 内层。作为上述脱模处理膜，使用了由进行了娃酬脱模处理的厚度为50WI1的聚对苯二甲酸 乙二醇醋膜构成的膜。
[0286] 将所制作的最外层和最内层利用层压机在60°C的溫度贴合，制作出本实施例5的 厚400WI1的剥离用片。
[0287] (实施例6)
[0288] <密封用片的制作>
[0289] (最外层的制作）
[0290] 制作出与实施例5的最外层相同的最外层。
[0291] (最内层的制作）
[0292] 除了将实施例5的最内层的防静电剂的含量变更为5重量％ W外，与实施例5的最 内层相同地制作出本实施例6的最外层。
[0293] 将所制作的最外层和最内层利用层压机在60°C的溫度贴合，制作出本实施例1的 厚400WI1的剥离用片。
[0294] (实施例7)
[029引 < 防静电剥离用片的制作>
[0296] 在作为剥离衬垫（隔膜）的进行了娃酬脱模处理的厚度为50WI1的聚对苯二甲酸乙 二醇醋膜的与娃酬脱模处理面相反一侧的面涂布防静电剂层形成用溶液D后，在60°C加热 干燥1分钟，形成厚度约IOOnm的防静电剂层。而且，防静电剂层形成用溶液D作为防静电剂 使用了产品名：1?7°瓜公一歹(化合物名：聚嚷吩），Wl%的浓度分散在甲乙酬(MEK)溶剂中 而制备。
[0297] <密封用片的制作>
[0298] 相对于环氧树脂(商品名叮SLV-80XY"、新日铁化学公司制）100份，配合酪醒树脂 (商品名"MEH- 7851 - SS"、明和化成公司制）110份、球状填料(商品名"FB-9454FC'、电化 学工业公司制）2350份、硅烷偶联剂（商品名"KBM-403"、信越化学公司制）2.5份、炭黑（商 品名、S菱化学公司制）13份、固化促进剂(商品名"2P监一PW"、四国化成工业公司制） 3.5份、热塑性树脂（商品名"SIBSTAR072r、KA肥KA公司制）100份，利用漉混炼机依次在60 °C加热2分钟、在80°C加热2分钟、在120°C加热6分钟，合计10分钟，在减压条件下(0.0 lkg/ cm2)下烙融混炼，制备出混炼物。然后，将所得的混炼物在120°C的条件下利用狭缝形模头 法涂布在所述防静电剥离用片的娃酬处理面而制成片状，在另一方的面上也在60°C的溫度 层压相同的防静电剥离用片而制作出厚400WI1、纵350mm、横350mm的密封用片。
[0299] <表面固有电阻值的测定>
[0300] 将密封用片的最内层侧的剥离用片、最外层侧的剥离用片分别剥离，测定出最内 层、最外层、剥离用片的表面的表面固有电阻值。而且，表面固有电阻是使用(株)ADVANTEST 公司制高阻表TR-8601的超高电阻测定用试样箱TR-42,在23°C、60%RH的条件下，施加 IOOV的直流电压1分钟而测定。将结果表示于表1中。
[0301 ] <剥离带电电压的测定>
[030引在预先进行了除电的亚克力板(厚：1mm、宽：70mm、长：100mm)上，贴合剥离了与测 定面相反一侧的剥离用片的密封用片。在贴合时，使用手压漉，W使亚克力板与密封用片的 剥离用片除去面夹隔着双面胶带相面对的方式进行。
[0303] 在23°C、50%畑的环境下放置一天后，将样品安放在给定的位置(参照图12)。将剥 离用片的端部固定在自动卷绕机上，W使剥离角度为180°、剥离速度为lOm/min的方式剥 离。利用固定在给定的位置的电位测量仪(春日电机公司制、KSD-0103)测定出此时产生的 剥离用片侧的面的电位。测定是在23°C、50%RH的环境下进行。将结果表示于表1中。
[0304] <剥离力的测定>
[030引从密封用片中，切出长1 OOmm、宽20mm的条状的试验片。将该试验片的与测定面相 反一侧的剥离用片除去，将剥离用片除去面侧加衬在SUS板上后，使用剥离试验机(商品名 "Autograph AGS-J"岛津制作所公司制），在溫度23°C的条件下，在剥离角度:90°、拉伸速 度:300mm/min的条件下，从密封用片拉剥剥离用片(使之在剥离用片与密封用片界面处进 行剥离），测定进行该拉剥时的载荷的最大载荷（除去测定初期的峰顶W外的载荷的最大 值），将该最大载荷作为剥离用片与密封用片之间的剥离力（剥离用片对密封用片的粘接 力）（粘接力;N/20mm宽度)求出。将结果表示于表1中。 [0306][表1]
[030引符号的说明
[0309] 10、40密封用片，
[0310] 20、50 层叠体，
[0；3川 22 半导体晶片，
[0312] 23、53半导体忍片，
[0313] 28、58 密封体，
[0314] 29、59半导体装置，
[〇31引 60 临时固定材料
【主权项】
1. 一种密封用片，是用于填埋半导体芯片的密封用片，其特征在于， 任意一个表面的表面固有电阻值为1.0XΙΟ12Ω以下。2. 根据权利要求1所述的粘接片，其特征在于， 在所述密封用片中含有防静电剂。3. -种半导体装置的制造方法，其特征在于， 具备： 工序A，在支撑体上固定半导体芯片;和 工序B，将固定于所述支撑体的所述半导体芯片填埋在密封用片中而形成密封体， 所述密封用片的任意一个表面的表面固有电阻值为1.0X1〇12Ω以下。4. 根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于， 在所述密封用片中含有防静电剂。
【专利摘要】本发明提供一种密封用片，是用于填埋半导体芯片的密封用片，其任意一个表面的表面固有电阻值为1.0×1012Ω以下。
【IPC分类】H01L23/31, B32B27/18, C09J7/00, C09J201/00, H01L21/56, H01L21/60, H01L23/29
【公开号】CN105474374
【申请号】CN201480046137
【发明人】志贺豪士, 水野浩二
【申请人】日东电工株式会社
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2014年7月18日
【公告号】WO2015025661A1