、操作、元件、组件或者由它们组成的组。
[0041]本发明中，参照剖面图示描述示例实施例，这些剖面图示是对本发明构思的图解性理想化的示例实施例(及中间结构)的示意图示。因此，将预见到由例如制造技术和/或制造公差导致的图示形状的变化。因而，示例实施例不应认为局限于本发明中图示的区域的特殊形状，而是应包括由例如制造导致的形状偏差。附图中图示的区域实际上是示意性的，它们的形状不旨在图示装置的区域的实际形状并且不旨在限制本发明构思的范围。
[0042]除非另外定义，否则本发明中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与由本发明构思属于的领域内普通技术人员通常理解的意义相同的意义。还将理解，那些例如在通常使用的词典中定义的术语应解释为具有与它们在相关领域的背景下的意义一致的意义并且不要从理想化或过于正式的意义上去理解，除非本发明中明确这样定义。
[0043]图1到图4是图示根据示例实施例的在绝缘层上形成倾斜结构的方法的剖面图。
[0044]参考图1，可以在目标物(未示出)上形成第一绝缘膜5。目标物可以包括基板、绝缘层、导电层等。此外，目标物可以包括具有开关元件、触点、焊盘、插头、电极、导电图案、绝缘图案等的下层结构。第一绝缘膜5可以具有足够覆盖下层结构的厚度。
[0045]在一些示例实施例中，可以对具有第一绝缘膜5的目标物执行平坦化工艺，以改进第一绝缘膜5的平面度。例如，可以对第一绝缘膜5执行化学机械抛光(CMP)工艺和/或回蚀工艺，使得第一绝缘膜5可以具有大致平的表面。
[0046]在示例实施例中，第一绝缘膜5可以包括有机材料。例如，第一绝缘膜5可以使用光刻胶、丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂等形成。这些可以单独使用或将其组合使用。在一些示例实施例中，第一绝缘膜5可以使用无机材料，例如硅化合物、金属、金属氧化物等形成。例如，第一绝缘膜5可以包括硅氧化物(S1x)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(S1xNy)、硅碳氧化物(S1xCy)、硅碳氮化物(SiCxNy)、铝(Al)、镁(Mg)、锌(Zn)、铪(Hf)、锆(Zr)、钛(Ti )、钽(Ta)、铝氧化物(Al Ox)、钛氧化物(T1x),镁氧化物(MgOx)、锌氧化物(ZnOx)、給氧化物(HfOx)、钽氧化物(TaOx)、错氧化物(ZrOx)等。这些可以单独使用或将其组合使用。第一绝缘膜5可以通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积(CVD)工艺、原子层沉积(ALD)工艺、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺、高密度等离子体化学气相沉积(HDP-CVD)工艺、真空蒸镀工艺等形成。可以依据第一绝缘膜5中包含的材料选择用于形成第一绝缘膜5的工艺。
[0047]仍然参考图1，可以在第一绝缘膜5上方放置第一掩膜(未示出)。第一掩膜可以包括挡光区和半透射区。可以使用第一掩膜对第一绝缘膜5执行第一曝光工艺。例如，在第一曝光工艺中，第一绝缘膜5可以暴露于紫外线或激光。可选地，可以使用附加的蚀刻掩膜对第一绝缘膜5执行第一蚀刻工艺。第一曝光工艺和第一蚀刻工艺可以依据第一绝缘膜5中包含的材料选择性地执行。在示例实施例中，第一掩膜可以包括半色调掩膜、半色调狭缝掩膜(half tone slit mask)等。此外，第一掩膜可以包括与挡光区和/或半透射区邻近的透射区。
[0048]当第一绝缘膜5经历第一曝光工艺时，可以对第一绝缘膜5执行第一显影工艺或第一蚀刻工艺，以部分地除去经曝光的第一绝缘膜5。由此，可以在第一绝缘膜5上形成第一凹槽10。在示例实施例中，第一凹槽10可以具有从第一绝缘膜5的上表面起测量的相对大的第一深度。此外，第一凹槽10可以具有相对小的第一宽度。第一凹槽10的侧壁可以具有相对于与目标物(或者例如与第一绝缘膜5的上表面)大致平行的方向相对大的第一倾斜角。例如，第一凹槽10的侧壁的该第一倾斜角可以关于与目标物的上表面大致平行的轴线处于大约40°到大约90°的范围内。
[0049]参考图2，可以在上面具有第一凹槽10的第一绝缘膜5上形成第二绝缘膜15。第二绝缘膜15可以使用有机材料或无机材料形成。例如，第二绝缘膜15可以包括丙烯酰基类聚合物、聚酰亚胺类聚合物、聚酰胺类聚合物、硅氧烷类聚合物、包含光敏丙烯酰基羧基的聚合物、酚醛树脂、碱溶性树脂、硅氧化物、硅氮化物、硅的氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、铝、镁、锌、铪、锆、钛、钽、招氧化物、钛氧化物、镁氧化物、锌氧化物、铪氧化物、钽氧化物、锆氧化物等。这些可以单独使用或者将其组合使用。第二绝缘膜15可以通过旋转涂覆工艺、印刷工艺、溅射工艺、化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺、高密度等离子体化学气相沉积工艺、真空蒸镀工艺等形成。同样可以依据在第二绝缘膜15中包含的材料选择用于形成第二绝缘膜15的工艺。在示例实施例中，第二绝缘膜15可以包含与第一绝缘膜5的材料大致相同或大致类似的材料。可选地，第一绝缘膜5和第二绝缘膜15可以分别使用不同材料形成。
[0050]在示例实施例中，第二绝缘膜15可以设置在第一绝缘膜5上，而不填充第一凹槽10。也就是说，第一凹槽10可以位于第一绝缘膜5和第二绝缘膜15之间，因为第一凹槽10不会被第二绝缘膜15填充。为了实现这种包括第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的构造，可以对第一凹槽10执行表面处理工艺。例如，可以对第一凹槽10的底部和侧壁选择性地执行表面处理工艺。表面处理工艺可以包括等离子体处理工艺、疏水性处理工艺等。
[0051]参考图3，可以在将第二掩膜(未示出)放置在第二绝缘膜15上以后对第二绝缘膜15执行第二曝光工艺。第二掩膜可以包括挡光区和半透射区。同样可以使用紫外线或激光执行第二曝光工艺。第二掩膜同样可以包括半色调掩膜或半色调狭缝掩膜。此外，第二掩膜可以包括与挡光区和/或半透射区邻近的透射区。
[0052]可以对经曝光的第二绝缘膜15执行第二显影工艺或第二蚀刻工艺，使得可以在第二绝缘膜15上形成第二凹槽20。可以依据第二绝缘膜15中包含的材料选择性地对第二绝缘膜15执行第二显影工艺和第二蚀刻工艺。
[0053]在示例实施例中，第二凹槽20可以与第一凹槽10相通。第二凹槽20可以具有相对大的第二宽度和相对小的第二深度。也就是说，第二凹槽20的第二宽度可以大致大于第二凹槽10的第一宽度，而第二凹槽20的第二深度可以大致小于第一凹槽10的第一深度。此外，第二凹槽20可以包括具有相对于与目标物大致平行的轴线相对大的第二倾斜角的侧壁。例如，第二凹槽20的侧壁的第二倾斜角可以关于与目标物的上表面(或者例如与第二绝缘膜15的上表面)大致平行方向处于大约40°到大约90°的范围内。也就是说。第二凹槽20的第二倾斜角可以与第一凹槽10的第一倾斜角大致相同或大致近似。当第一凹槽10和第二凹槽20在第一绝缘膜5和第二绝缘膜15上形成时，在第一绝缘膜5和第二绝缘膜15之间可能设置阶梯形部分。
[0054]参考图4，可以对第一绝缘膜5和第二绝缘膜15执行回流工艺，以从第一凹槽10和第二凹槽20中形成倾斜结构25。在示例实施例中，回流工艺可以在第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的熔点(Tm)的大约50%到大约80%的温度下执行。例如，依据第一绝缘膜5和第二绝缘膜15中包含的成分，通过在大约100°C到大约300°C的温度下执行回流工艺大约30分钟到大约2小时，可以获得倾斜结构25。考虑到第一绝缘膜5和第二绝缘膜15中的成分，通过调整工艺时间和工艺温度，倾斜结构25可以包括具有期望倾斜角的侧壁。
[0055]在根据示例实施例的回流工艺中，第一绝缘膜5和第二绝缘膜15可以一体地合并，以提供具有倾斜结构25的绝缘层30。也就是说，第一凹槽10和第二凹槽20可以在回流工艺中变成倾斜结构25，使得可以在目标物上形成包括倾斜结构25的绝缘层30。
[0056]倾斜结构25可以具有相对大的第三深度，并且倾斜结构25的侧壁可以具有相对小的第三倾斜角Θ1。换句话说，倾斜结构25的第三深度可以大致大于第一凹槽10的第一深度。例如，倾斜结构25的第三深度可以与第一凹槽10的第一深度和第二凹槽20的第二深度之和大致相同或大致近似。此外，倾斜结构25的第三倾斜角Θ1可以大致小于第一凹槽10的第一倾斜角或第二凹槽20的第二倾斜角。
[0057]当倾斜结构25包括具有第三倾斜角Θ1的侧壁时，倾斜结构25可以具有大致大于其下宽度的上宽度。例如，倾斜结构25的第三倾斜角Θ1可以相对于与目标物的上表面(或者与例如第二绝缘膜15和第一绝缘膜5的上表面)大致平行的方向处于大约20°到大约70°的范围内。因此，第一凹槽10的第一倾斜角和倾斜结构25的第三倾斜角Θ1之间的比值可以处于大约1.0: 0.2到大约1.0: 1.8的范围内。此外，第二凹槽20的第二倾斜角和倾斜结构25的第三倾斜角Θ1之间的比率也可以处于大约1.0:0.2到大约1.0:1.8的范围内。倾斜结构25的第三倾斜角ΘI可以依据回流工艺的工艺条件改变，例如工艺时间、工艺温度等。也就是说，可以调整回流工艺的工艺条件，以提供就有机发光显示装置的结构(例如发光方向)来说包括具有期望第三倾斜角Θ1的侧壁的倾斜结构25。
[0058]当光可能入射到具有倾斜结构25的绝缘层30上时，入射光会在倾斜结构25的侧壁上反射。在此情况下，由包括在倾斜结构25中放置的多个层的发光结构(未示出)产生的光不会在发光结构的多个层和/或上反射层或下反射层之间全反射。也就是说，具有第三倾斜角Θ1的倾斜结构25可以防止由发光结构产生的光的全反射。因此，由于具有第三倾斜角Θ1的倾斜结构25(发光结构位于这里)的原因，可以提高由有机发光结构产生的光的效率。
[0059]如上文所述，绝缘层30可以具有带有凹陷形状的倾斜结构25。在一些示例实施例中，可以在绝缘层30上形成具有突出形状的倾斜结构。换句话说，可以通过与参照图1到图4描述的工艺大致类似的工艺获得具有突出形状的倾斜结构。当两个或更多个具有凹陷形状的倾斜结构以设定或预设的距离间隔形成在绝缘层30上时，可以在相邻的凹陷的倾斜结构之间设置具有突出形状的倾斜结构。因此绝缘层30可以具有突出的倾斜结构和凹陷的倾斜结构，或者可以通过除去凹陷的倾斜结构而仅具有突出的倾斜结构。根据一些示例实施例，可以在目标物上形成第一绝缘膜5，然后可以在第一绝缘膜5上以设定或预设的距离形成第一凹槽。第二绝缘膜15可以在第一绝缘膜5上通过将第一凹槽夹在二者中间的方式形成，然后可以在第二绝缘膜15的覆盖第一凹槽的部分上形成第二凹槽。当对第一绝缘膜5和第二绝缘膜15进行回流时，可以在由第一凹槽和第二凹槽的结合提供的相邻凹槽之间设置具有突出形状的倾斜结构。这里，突出的倾斜结构的侧壁可以具有与凹陷的倾斜结构的侧壁的倾斜角大致相同或大致近似的倾斜角。换句话说，相邻的突出倾斜结构和凹陷倾斜结构可以具有一个共同的侧壁。
[0060]图5到图11是图示依据示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。
[0061]参考图5，可以在第一基板50上设置第一缓冲层55。第一基板50可以包括透明绝缘基板。例如，第一基板50可以包括玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。用于第一基板50的透明树脂基板的示例可以包括聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂、聚丙烯酸酯树脂、聚碳酸酯树月旨、聚醚树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂、磺酸树脂等。
[0062]在一些示例实施例中，可以在在第一基板50上形成缓冲层55以前对第一基板50执行平坦化工艺。例如，可以对第一基板50执行化学机械抛光(CMP)工艺和/或回蚀工艺，使得第一基板50可以具有大致平的表面。在一些示例实施例中，依据第一基板50的平面度、第一基板50中包含的成分等，可以不在第一基板50上形成缓冲层55。
[0063]缓冲层55可以防止来自第一基板50的金属原子、金属离子和/或杂质在继续的工艺中扩散。缓冲层55还可以控制半导体图案60的继续的结晶工艺中的热传递速率，使得半导体图案60可以均匀地形成在缓冲层55上。此外，缓冲层55可以在第一基板50具有大致不规则的表面时改进第一基板50的平面度。缓冲层55可以使用硅的化合物形成。