出的倾斜结构255的上表面和像素限定层265的一部分上。因此，有机发光结构315的侧向部分每个可以具有相对大的倾斜角。当有机发光结构315形成在具有突出部分303的第一电极300上时，有机发光结构315可以包括多个与突出部分303对应的凹槽、凹坑或凹痕。因此，有机发光结构315可以被凹槽、凹坑或凹痕分隔成多个部分。
[0137]参考图21，可以在像素限定层265和有机发光结构315上形成第二电极275。如果有机发光显示装置具有底部发射结构，那么第二电极275可以包括反射材料。第二电极275可以沿有机发光结构315的轮廓均匀地布置在像素限定层265和有机发光结构315上。此外，第二电极275与倾斜结构255的侧壁邻近的部分可以具有与第五倾斜角Θ3大致相同或大致类似的倾斜角。
[0138]可以在第二电极275上形成第二保护层280。第二保护层280既可以布置在发光区内又可以布置在非发光区内。可以在第二保护层280上设置第二基板290，同时在第二保护层280和第二基板290之间可能插入预设的间隔285。然而，当在第二电极275和第二基板290之间插入附加的填充材料或填充层时，可以不在第二电极275上形成第二保护层280。
[0139]图22到图24是图示依据一些示例实施例的制造有机发光显示装置的方法的剖面图。除具有倾斜结构的绝缘层、第一电极、像素限定层和有机发光结构以外，图22到图24中示出的方法可以提供具有与参照图5到图11描述的有机发光显示装置的构造大致相同或大致类似的构造的有机发光显示装置。然而，本领域普通技术人员可理解，该方法可提供具有开关器件、保护层、电极、绝缘层、有机发光结构等的多种构造的其它有机发光显示装置。
[0140]参考图22，可以在第一基板350上通过与参照图7和图8描述的工艺大致相同或大致类似的工艺形成缓冲层355、开关器件和第一保护层395。这里，开关器件可以包括半导体图案、栅绝缘层360、栅电极363、绝缘夹层380、源电极385和漏电极390。开关器件的半导体图案可以分成源区365、漏区370和沟道区375。
[0141]可以在第一保护层395上形成具有突出的倾斜结构405的绝缘层400。此外，绝缘层400可以包括暴露漏电极390的一部分的孔。绝缘层400可以具有包括至少两个绝缘膜的多层结构。绝缘层400的这些绝缘膜可以使用与参照图1和图2描述的第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的材料大致相同或大致类似的材料形成。此外，绝缘层400的绝缘膜可以通过与参照图1和图2描述的用于形成第一绝缘膜5和第二绝缘膜15的工艺大致相同或大致类似的工艺获得。
[0142]在示例实施例中，可以在第一保护层395上形成第一绝缘膜(未示出)和第二绝缘膜(未示出)。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以分别具有大致平的表面。可以在第二绝缘膜上以预设的距离形成第一凹槽(未示出)。这里，相邻第一凹槽间的距离可以与继续形成的倾斜结构405的宽度大致相同或大致类似。可以在第二绝缘膜上形成第三绝缘膜(未示出)，此时第一凹槽介于第二绝缘膜和第三绝缘膜之间。然后，可以除去第三绝缘膜在第一凹槽上方的部分，以形成穿过第三绝缘膜的第二凹槽。每个第二凹槽可以与关联的第一凹槽相通。在对第二绝缘膜和第三绝缘膜执行回流以后，可以在绝缘层400上设置突出的倾斜结构405。突出的倾斜结构405可以布置在相邻的第一凹槽或相邻的第二凹槽之间。如果绝缘层400的倾斜结构405具有突出的形状，那么有机发光显示装置可以具有底部发射结构。倾斜结构405的侧壁可以具有与由第一凹槽和第二凹槽组合形成的相邻凹槽的倾斜角大致相同或大致类似的第五倾斜角Θ3。例如，倾斜结构405的侧壁可以具有参照与第一基板350大致平行的方向处于大约20°到大约70°范围内的第五倾斜角Θ3。
[0143]可以在具有突出的倾斜结构405的绝缘层400上形成第一电极410，同时填充为部分地暴露漏电极390而穿过绝缘层400形成的孔。在示例实施例中，可以在绝缘层400上形成第一电极层(未示出)，以充满该孔，然后可以在第一电极层上形成蚀刻掩膜(未示出)。可以使用蚀刻掩膜对第一电极层图案化，使得可以在绝缘层400上形成相邻像素区中分离的第一电极410。每个第一电极410可以与漏电极390接触并且可以位于突出的倾斜部分405的侧壁和上表面上。由于第一电极410布置在突出的倾斜结构405上，所以第一电极410的侧向部分可以具有与倾斜结构405的第五倾斜角Θ3大致相同或大致类似的倾斜角。例如，第一电极410的每个侧向部分可以具有关于与第一基板大致平行的轴线处于大约20°到大约70°范围内的倾斜角。
[0144]参考图23，可以在第一电极410和绝缘层400上形成像素限定层415，以限定有机发光显示装置的发光区和非发光区。像素限定层415可以使用有机材料或无机材料形成。像素限定层415可以从非发光区延伸到在发光区中放置的倾斜结构405上。
[0145]在示例实施例中，像素限定层415可以延伸，以覆盖发光区中的第一电极410。在此情况下，可以穿过像素限定层415形成开口，以暴露在倾斜结构405的上表面上放置的第一电极410。像素限定层415的开口可以包括具有与倾斜结构405的侧壁的第五倾斜角Θ3基本不同的第六倾斜角Θ4的侧壁。例如，像素限定层415的开口的侧壁可以具有关于与第一基板350大致平行的方向处于大约110°到大约160°范围内的第六倾斜角Θ4。这个具有开口的像素限定层415可以限定有机发光显示装置的发光区。此外，像素限定层415的布置在倾斜结构405的侧壁上的侧向部分可以具有与第五倾斜角Θ3大致相同或大致类似的倾斜角。
[0146]可以在像素限定层415的开口中在第一电极410上形成有机发光结构420。在示例实施例中，有机发光结构420可以埋(填充)在像素限定层415的开口内。也就是说，有机发光结构420可以完全填充像素限定层415的开口，并且可以具有大致平的表面。由此，有机发光结构420的侧壁可以具有与开口的侧壁的第六倾斜角Θ4大致相同或大致类似的倾斜角。例如，有机发光结构420的侧壁可以具有关于与第一基板350大致平行的轴线处于大约110°到大约160°范围内的倾斜角。因此，有机发光结构420的侧壁相对于突出的倾斜结构405的侧壁、第一电极410的侧向部分或者像素限定层415的侧向部分的比率可以处于大约1.0:1.6到大约1.0:8.0的相对大的范围内。在有机发光显示装置的像素中，有机发光结构420可以具有包括有机发光层的多层结构。有机发光结构420可以分别包括不同的发光材料。可替代地，所有的有机发光结构420可以包括用于产生白色光的堆叠的发光材料。
[0147]参考图24，可以在像素限定层415和有机发光结构420上形成第二电极425。当有机发光显示装置具有底部发射结构时，第二电极425可以具有反射材料。第二电极425可以大致均匀地形成在像素限定层415和有机发光结构420上。在此情况下，第二电极425的与突出的倾斜结构405的侧壁邻近的部分可以具有与第五倾斜角Θ3大致相同或大致类似的倾斜角。
[0148]可以在第二电极425上形成第二保护层430。第二保护层430可以包括有机材料或无机材料，并且可以从发光区延伸到非发光区。可以在第二保护层430上布置包括透明绝缘基板的第二基板450。这里，可以在发光区中在第二保护层430和第二基板450之间设置设定或预设的间隔435。虽然空气或惰性气体(例如氮气)可以充满间隔435，但是根据时机需要，具有透光率和吸湿性的树脂可以填满这种间隔435。在一些示例实施例中，根据间隔435中的附加填充材料在第二电极425和第二基板450之间可以不形成第二保护层430。
[0149]根据示例实施例，为防止从有机发光结构420中产生的光的全反射，突出的倾斜结构405可以提供具有期望倾斜角的第一电极410的侧向部分、像素限定层415的侧向部分和第二电极425的侧向部分。因此，有机发光显示装置可以保证显著提高的光效率。此外，有机发光结构420可以埋在像素限定层415的开口内，使得进入非发光区内的光可以通过在具有突出形状的倾斜结构405上方布置的第二电极425朝向发光区反射。
[0150]根据本发明的示例实施例，有机发光显示装置可以包括具有含有凹陷形状或突出形状的倾斜结构的绝缘层，而不添加任何用于从有机发光结构中产生的光的光学谐振的结构。因此，该有机发光显示装置可以具有显著大于传统有机发光显示装置的光效率的光效率。由此，该有机发光显示装置可以以提高的亮度、增加的对比度和扩大的视角等显示图像。
[0151]上述内容说明了示例实施例，而不应被解释为示例实施例的限制。虽然描述了几个示例实施例，但是本领域的技术人员会容易理解，在示例实施例中可能进行许多修改，而实际上不背离示例实施例的新颖教导和优势。因此，所有这样的修改旨在包含在在权利要求中限定的示例实施例的范围内。在权利要求中，装置加功能项旨在涵盖本发明中执行所记载功能时描述的结构，不仅包括结构等价物，还包括等价结构。因此，应理解，上述内容说明了示例实施例并且不应解释为局限于所公开的特定实施例，并且对所公开的示例实施例以及其它示例实施例的修改旨在包含在所附权利要求的范围内。本发明由下面的权利要求限定，权利要求的等价物包含在本发明内。
【主权项】
1.一种有机发光显示装置，包括: 第一基板； 位于所述第一基板上的绝缘层，所述绝缘层包括倾斜结构； 位于所述绝缘层上的第一电极； 位于所述绝缘层和所述第一电极上的像素限定层，所述像素限定层限定发光区和非发光区； 位于所述发光区中的所述第一电极上的有机发光结构； 位于所述像素限定层和所述有机发光结构上的第二电极；以及 位于所述第二电极上的第二基板； 其中所述倾斜结构具有突出的形状，并且所述倾斜结构的侧壁的倾斜角和所述有机发光结构的侧壁的倾斜角之间的比率处于1.0: 0.2到1.0: 1.8的范围内。2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层在设置在所述倾斜结构的侧壁上的所述第一电极上延伸。3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述像素限定层在设置在所述倾斜结构的上表面上的所述第一电极上延伸，并且所述像素限定层具有暴露所述发光区中的所述第一电极的开口。4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光结构布置在所述像素限定层的所述开口内。5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光结构的侧壁具有相对于与所述第一基板平行的方向110°到160°的倾斜角。6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述倾斜结构的侧壁具有相对于与所述第一基板平行的方向20°到70°的倾斜角。7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极在所述倾斜结构上的侧向部分和所述第二电极在所述倾斜结构上的侧向部分中的每个具有与所述倾斜结构的所述侧壁的倾斜角相同的倾斜角。8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述绝缘层具有在所述倾斜结构上的多个突起。9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中所述第一电极具有分别形成在所述多个突起上的多个突出部分。10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述有机发光结构具有被所述第一电极的所述多个突出部分分隔的多个部分。
【专利摘要】本发明提供一种有机发光显示装置。该有机发光显示装置包括第一基板、具有倾斜结构的绝缘层、第一电极、限定发光区和非发光区的像素限定层、有机发光结构、第二电极和第二基板。第一电极的侧向部分、第二电极的侧向部分和/或像素限定层的侧向部分可以具有用于防止从有机发光结构中产生的光的全反射的倾斜角，使得有机发光显示装置可以保证比传统有机发光显示装置的光效率大致高大约至少30％的光效率。
【IPC分类】H01L51/52, H01L27/32
【公开号】CN105514144
【申请号】CN201610052044
【发明人】林载翊, 朴源祥, 白守珉, 金敏佑, 金一南, 金在经
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2012年6月29日
【公告号】CN103000823A