锂金属上的固态电解质及阻挡层及其方法
【专利摘要】制造包含锂金属电极的电化学装置的方法可包含：提供基板，在所述基板表面上具有锂金属电极；沉积第一电介质材料层至锂金属电极上，且沉积第一电介质材料层是在氩环境中溅射Li3PO4；在沉积第一电介质材料层后，在第一电介质材料层上方诱发及维持氮等离子体，以提供离子轰击第一电介质材料层而将氮并入所述第一电介质材料层内；及在沉积、诱发及维持后，沉积第二电介质材料层至经离子轰击的第一电介质材料层上，且沉积第二电介质材料层是在含氮环境中溅射Li3PO4。电化学装置可包含在锂金属电极与LiPON电解质之间的阻挡层。本文也描述配置为制造包含锂金属电极的电化学装置的工具。
【专利说明】裡金属上的固态电解质及阻挡层及其方法
[0001] 对相关申请的交叉引用
[0002] 本申请是2012年6月14日申请的美国专利申请第13/523，790号的部分继续申请， 所述部分继续申请要求2011年6月17日申请的美国临时专利申请第61/498,480号的优先 权，二者的全文内容W引用方式并入本文中。
技术领域
[0003] 本公开内容的实施方式大体关于薄膜沉积，更具体地说是关于沉积固态电解质层 (诸如LiPON)至裡金属上的方法和相关装置及沉积设备。
【背景技术】
[0004] 图1图示典型薄膜电池（TFB)的截面示意图。具有阳极集电器（anode current collector)103和阴极集电器102的TFB装置结构100形成于基板101上，然后为阴极104、电 解质105和阳极106;然而装置可制造成具有相反顺序的阴极、电解质和阳极。另外，阴极集 电器(CCC)和阳极集电器(ACC)可分别沉积。例如，CCC可在阴极前沉积，ACC可在电解质后沉 积。装置可被包覆层107覆盖，W保护环境敏感层遭氧化剂作用。例如参见"N.J.Dudney， Materials Science and lingineering B 1 16, (2005)245-249"。注意图 1 所示TFB装置中 的部件层并未按比例绘制。
[0005] 在典型TFB装置结构中，诸如图1所示，电解质（电介质材料，诸如裡憐氮氧 化iPON))夹设在两个电极（阳极与阴极)之间。LiPON为化学稳定固态电解质且具有宽工作 电压范围（高达5.5V)和相对高的离子导电率(l-2yS/cm)。固态电池，特别是薄膜型的，含有 LiPON做为电解质，因为运类电池能有超过20000次充放电循环且电容量损失/循环仅 0.001 %。习知用于沉积LiPON的方法为在化环境中物理气相沉积(PVD)射频(RF)瓣射LisP化 祀材。
[0006] 在Li做为阳极材料的固态电池结构中，Li的反应性在制造电池方面将是一大挑 战。此具挑战性的情况出现在当依习知顺序制造电池而需保护Li阳极时，例如在薄膜(真空 沉积）固态电池中，阴极集电器、阴极、电解质、阳极依此大致顺序相继形成至基板上，而留 下顶部Li阳极待W-些方式涂覆，W免与环境氛围反应。另一情况出现在考虑先形成Li阳 极、然后形成电解质和阴极的"倒置"电池结构时。此结构可真空沉积或利用非真空方法(缝 模(slot die)、印刷等）。若为倒置电池结构，贝喊化戈出现在当电解质层(诸如LiPON)需沉积 至Li金属表面时。
[0007] 显然需要能让LiPON电介质薄膜沉积至裡金属表面的电化学装置结构、沉积工艺 和制造设备。
【发明内容】
[000引本公开内容包括沉积固态电解质层(诸如LiPON)至裡金属上的方法，LiPON是用于 高能量密度固态电池的电解质材料。为避免在LiPO脚冗积期间氮等离子体接触裡金属，会先 在100%氣(Ar)环境中，使用Li3P04祀材沉积很薄的（10nm-100nn0Li3P04层化i3P04层也是固 态电解质，然而离子导电率较低)至裡金属上。Li3P化膜沉积后接着用氮等离子体处理，W改 善Li3P化膜的离子导电率，接着在纯氮氛围中，使用相同祀材沉积预定厚度的LiPON。
[0009] 根据本公开内容的一些实施方式，制造包含裡金属电极的电化学装置的方法可包 含:提供基板，在所述基板的表面上具有裡金属电极;沉积第一电介质材料层至裡金属电极 上，且沉积第一电介质材料层是在氣环境中瓣射Li3P化;在沉积第一电介质材料层后，在第 一电介质材料层上方诱发及维持氮等离子体，W提供离子轰击第一电介质材料层而将氮并 入第一电介质材料内；及在沉积、诱发及维持后，沉积第二电介质材料层至经离子轰击的第 一电介质材料层上，且沉积第二电介质材料层是在含氮环境中瓣射Li3P化。
[0010] 根据本公开内容的进一步的实施方式，电化学装置可包含:基板，在所述基板表面 上具有裡金属电极;在裡金属电极上的经离子轰击的第一电介质材料层，经离子轰击的第 一电介质材料层是通过在氣环境中瓣射Li3P化祀材、然后在含氮环境中等离子体处理而形 成的材料层;在经离子轰击的第一电介质材料层上的第二电介质材料层，第二电介质材料 层是通过在含氮环境中瓣射Li3P化而形成;在第二电介质材料层上的第二电极。
[0011] 另外，本公开内容提供配置为执行本公开内容所述方法的工具。
【附图说明】
[0012] 在配合参阅W下本公开内容的特定实施方式说明和附图后，本领域普通技术人员 将更清楚明白本公开内容的上述和其它方面与特征，其中：
[0013] 图1是现有技术薄膜电池的截面示意图；
[0014] 图2是根据本公开内容一些实施方式的沉积系统示意图；
[0015] 图3是根据本公开内容一些实施方式的用于沉积固态电解质和阻挡层薄膜至电化 学装置的裡金属电极上的流程图；
[0016] 图4是根据本公开内容一些实施方式的垂直堆叠薄膜电池截面示意图；
[0017] 图5是根据本公开内容一些实施方式的薄膜沉积群集工具示意图；
[0018] 图6是根据本公开内容一些实施方式的具多个沿线（in-line)工具的薄膜沉积系 统不意图；及
[0019] 图7是根据本公开内容一些实施方式的沿线沉积工具示意图。
【具体实施方式】
[0020] 本公开内容的实施方式现将参照附图详述，运仅是举例说明本公开内容，W供本 领域技术人员实施本公开内容。附图包括装置和装置处理流程示意图且未按比例绘制。需 注意附图和W下实例无意将本公开内容的保护范围限定成单一实施方式，而是可交换所述 部分或所有元件变成其他实施方式。再者，本公开内容的一些元件可部分或全部使用已知 部件，在此仅讨论理解本公开内容所需的已知部件，其余已知部件细节则不再寶述，W免让 本公开内容变得晦涩难懂。在本说明书中，除非明确陈述，否则描绘单一部件的实施方式不 应视为限制条件;反之，本公开内容拟涵盖其他包括多个相同部件的实施方式，反之亦然。 再者，除非特别提出，否则本公开内容说明书或申请专利范围的任何用语不解释成不常见 或特殊意义。另外，本公开内容包含在此举例说明的已知部件的现存和未来已知等效物。
[0021] 各种电化学装置期望沉积LiPON层至裡金属表面，包括TFB。习知用于沉积LiPON的 方法为在氮环境中物理气相沉积(PVD)射频(RF)瓣射Li3P化祀材。问题在于:在LiPON完全遮 盖基板前，基板(裡金属)一旦碰到氮等离子体，瓣射氮等离子体便会引起下列反应:6Li+化 一化isN。产物Li3N对Li参考电极具有很小的电压范围（~0.4V)。尽管形成Li3N本身并非大 问题化i3N是Li离子导体），但此反应不具自限性（self-limiting),而是持续消耗裡金属 (电池用电荷载体），只留下阴极中用于电池操作的电荷载体。在此假设阴极W裡化完全放 电状态沉积，由此吸引循环载体。此类无附加 Li离子电荷载体储存器的电池通常因电荷载 体Li经由电池寿命期间的各种机制损失而展现较低循环性和电容量保存性，运将直接影响 电容量和循环寿命。因此，沉积LiPON至裡金属上的可行方法是制造上述类型高性能功能电 池的关键。
[0022] 形成包括沉积至Li上的LiPON材料的稳定堆叠也提供机会W制造混合性质的电池 堆叠，例如利用很厚的非真空沉积阴极层和液态电解质，W获得高很多的电容量、能量密度 及降低成本。成本降低是因为采用形成厚阴极的非真空方法。例如，"层叠双基板结构"，其 中一侧是基板/ACC/Li/阻挡层/LiPON,而另一侧是基板/CCC/阴极/液态电解质。
[0023] 只在Ar中瓣射的薄Li3P化阻挡层能有效防止裡金属在后续形成LiPON的步骤期间 接触氮等离子体。实际沉积LiPON层时，运可有效避免裡金属与上述氮等离子体反应。此外， 整个工艺可在同一瓣射腔室中W连续方式进行，无需空断，不用溶液处理，故无附加成本。 W单个晶片为例，可使用像应用材料公司（Applied Materials)的化dura?批式处理工具。 在"沿线"工具中，基板在多个相邻祀材前面连续移动，第一祀材可做为初始阻挡层涂布步 骤，其余后续祀材可用于建立所需LiPON层，此再次在单一工具中完成。为补偿初始阻挡层 的低离子导电率，在先沉积Li3P化层后并入氮等离子体处理。运不仅将提高离子导电率，在 后续LiPON沉积步骤期间，等离子体处理的针孔补救作用也给予较佳保护。显然在Ar环境中 进行Li3P化沉积后，有多种用等离子体处理层的方式。注意Ar等离子体可提供针孔补救，氮 等离子体可提供离子导电率和针孔补救。故可利用Ar等离子体瓣射，然后用氮等离子体处 理瓣射膜。
[0024] 图2为沉积工具200的实例示意图，沉积工具200配置为进行根据本公开内容的沉 积方法。沉积工具200包括真空腔室201、瓣射祀材202、基板204和基板基座205。就LiPON沉 积而言，祀材202可为Li3P化，适合基板204可为娃、氮化娃覆Si、玻璃、PET(聚对苯二甲酸乙 二醋）、云母、金属锥(诸如铜)等，并可依需求先沉积及图案化集电器和电极层。例如参见图 1及图4。腔室201具有真空累系统206和工艺气体输送系统207。多个功率源连接至祀材。各 祀材功率源可具有匹配网路，用W操纵射频(RF)电源。滤波器用于能使用两个W不同频率 操作的功率源，其中滤波器用作保护低频操作的祀材电源免遭高频损害。同样地，多个功率 源连接至基板。连接至基板的各功率源具匹配网路，用W操纵射频(RF)电源。滤波器用于能 使用两个W不同频率操作的功率源，其中滤波器用作保护连接至基板的低频操作电源免遭 高频损害。
[0025] 根据使用的沉积类型和等离子体针孔减少技术，连接至基板的一个或更多个电源 可为DC源、脉冲式DC (pDC)源、RF源等。同样地，一个或更多个祀材电源可为DC源、pDC源、RF 源等。一些电源(PS)构造和使用实例列于下表1。另外，根据本公开内容一些实施方式，组合 电源（PS)可用于沉积薄膜，此概念和构造描述于Kwak等人的美国专利申请公开文件第 2009/0288943号，所述文件全文内容W引用方式并入本文中；例如，除RF源外的组合电源可 有效降低沉积膜中的针孔密度。此外，可在沉积期间加热基板。
[0026] 表 1
[0027]
[0028] *可使用小于IMHz的频率。
[0029] 表1提供根据本公开内容一些实施方式的用于瓣射沉积和等离子体针孔填充工艺 的示例性电源构造。瓣射沉积#1和#2可用于瓣射沉积材料（诸如LiPON或Li3P〇4)，使用 Li3P化祀材，在氮或氣环境中（若为后者，则后续氮等离子体处理也可为针孔填充工艺的一 部分，且可并入所需氮来改善Li3P化的裡离子离子导电率)瓣射沉积。
[0030] 根据本公开内容一些实施方式，可依据图3的一般工艺流程进行在Li金属电极上 的LiPO脚冗积。工艺流程可包括:提供具有裡金属阳极的基板(步骤310);沉积薄LisPO油介 质层至裡金属阳极上(步骤320);在基板上方诱发及维持含氮等离子体，W提供离子轰击沉 积电介质层而改变电介质组成，并入氮来改善Li+离子导电率(步骤330);及沉积LiPON层至 已改变组成的Li3P化电介质上(步骤340)。在此，薄电介质层指厚度为数纳米至数百纳米的 Li3P化电介质层，在实施方式中，层厚度为lOnm至l(K)nm，在进一步的实施方式中，层厚度为 20nm至60nm。
[0031] 更大体而言，根据本公开内容的实施方式，W下方法可用于制作具裡金属电极的 电化学装置。第一，提供基板，所述基板上具裡金属电极;基板可为玻璃、娃、铜等。第二，通 过在氣环境中瓣射Li3P化，沉积第一电介质材料层至裡金属电极上。第Ξ，关闭RF祀材电源， 及改变腔室气体W提供含氮环境，或使基板移动到具含氮环境的不同腔室。第四，利用RF基 板电源直接施加 RF至基板，W在邻接基板表面处产生局部等离子体，此等离子体将产生具 足够能量的高能离子，使氮并入第一层而改善Li+离子导电率。第五，完成等离子体处理，接 着通过在氮环境中从Li3P化源瓣射沉积，W沉积第二电介质材料层至经离子轰击的第一层 上。注意氮等离子体处理第一层也可有效消除任何已形成于第一层中的针孔。另外，注意氮 等离子体处理可在个别腔室中完成，W沉积第一层，另外，沉积第二层可在和氮等离子体处 理相同或不同的腔室中完成。
[0032] 本发明人注意到相较于在氮环境中自Li3P化祀材瓣射沉积W沉积薄膜，利用氣瓣 射Li3P〇4祀材来沉积薄膜也可改善减少薄膜针孔的效果。运可能是因为氮会毒化Li3P〇4祀 材，导致祀材微粒产生，微粒会造成沉积膜中的针孔，而氣不会毒化祀材，所w可减少微粒 掉落及减少针孔形成。另外，利用氣环境瓣射Li3P化、接着用氮等离子体处理移除针孔所形 成的膜呈现的离子导电率优于利用氮环境瓣射沉积、但无沉积后氮等离子体处理而得的 膜。离子导电率改善是因为氮等离子体处理期间能更有效地将氮并入LiPON膜。并入氮的 11口0財才料可^^3口化斯表示，其中2.5<曰<3.5,3.7<6<4.2,0.05<〇<0.3。在一定程度 上，氮含量越多，离子导电率越高。注意通过控制基板溫度，可提高氮等离子体处理移除针 孔及改善离子导电率的效率。就LiPO脚冗积而言，高溫可增进氮并入，然而溫度不宜太高，否 则膜可能会结晶，基板溫度控制在室溫至300°C的溫度范围内可提供更有效率的LiPON薄膜 沉积工艺。另外，预期使用其他气体也可获得类似结果，诸如用氣取代氣，但比起氣，气体 (诸如氣)的高成本限制其使用。
[0033] 下表2显示根据本公开内容一些实施方式，在应用材料公司的200mm化dura?标准 物理气相沉积(PVD)腔室中进行Li3P〇4沉积和氮等离子体处理的样品等离子体配方。
[0034] 表 2
[0035]
[0036] t功率上限是因所用电源的极限，并不代表祀区决定的处理上限和祀材材料的功 率密度限制值。功率预期可提高到祀材开始破裂时的点值。
[0037] 表2提供工艺条件实例，用W瓣射Li3P〇4而形成薄膜，然后等离子体处理W改善Li+ 离子导电率，还有降低针孔密度。运仅是许多可W使用的变化工艺条件中的一例。注意工艺 可扩展到大面积工具。例如，具有1400mmX190mm矩形Li3P〇4祀材的沿线工具可在10千瓦下 操作。大沿线祀材可WRF功率操作，RF功率具有由祀材面积决定的上限和祀材材料的功率 密度限制值。
[0038] 另外，可改变上述工艺条件。例如，沉积溫度可更高，电源可为pDC，瓣射气体可为 Ar/化混合物。本领域技术人员在阅读本公开内容后将理解运些参数可依需求调整，W改善 沉积膜均匀性、表面粗糖度、层密度等。
[0039] 图4图示根据本公开内容方法制造具垂直堆叠的电化学装置实例;本公开内容的 方法也可用于制造具有图1的一般构造的装置，然而本公开内容包括在裡金属阳极与LiPON 电解质之间的阻挡层。在图4中，垂直堆叠包含:基板410、裡金属阳极420、阻挡层430、电解 质层440和阴极层450。也可有(未图示）阳极及/或阴极用集电器、覆盖整个堆叠的保护涂层 和阳极与阴极用电触点。
[0040] 虽然图2图示具有水平平面祀材和基板的腔室构造，但祀材和基板可被保持在垂 直面中，若祀材本身会产生微粒，则此构造有助于减轻微粒问题。另外，祀材和基板的位置 可交换，使得基板被保持在祀材上方。再者，基板可具有柔性且由卷盘式系统在祀材前面移 动，祀材可为旋转圆柱形祀材，祀材可为非平面，及/或基板可为非平面。
[0041] 图5为根据本公开内容的一些实施方式，用于制造 WB装置的处理系统600的示意 图。处理系统600包括通往群集工具620的标准机械接口（SMIF)610,群集工具装配反应等离 子体清洁(RPC)腔室630和处理腔室Cl-C4(641-644)，所述多个腔室可用于上述工艺步骤。 若有需要，手套箱650也可附接至群集工具。手套箱可将基板存储在惰性环境中（例如处于 诸如化、化或Ar等稀有气体中），运在碱金属/碱±金属沉积后很有用。若有需要，也可使用 预燃室(ante chamber)660通往手套箱，预燃室为气体交换室(惰性气体换成空气，反之亦 可），依此可在不污染手套箱的惰性环境的情况下，将基板传送进出手套箱。注意可W如同 裡锥制造业者所用露点够低的干燥室环境来代替手套箱。腔室C1-C4可配置用于制造薄膜 电池装置的工艺步骤，包括如上所述的：沉积Li金属层至基板上，氮等离子体处理后的 Li3P化阻挡层，接着沉积电解质层(例如在化中R内贱射Li3P化祀材而得LiPON)。应理解虽然处 理系统600图示呈群集配置，但也可采用线性系统，其中处理腔室排成一线而无传送腔室， 使得基板将从一个腔室连续移动到下一个腔室。
[0042] 图6为根据本公开内容的一些实施方式，具有多个沿线工具710、720、730、740等的 沿线制造系统700的示意图。沿线工具可包括用于沉积电化学装置中所有层的工具，例如包 括TFB。另外，沿线工具可包括预调节腔室与后调节腔室。例如，工具710可为抽真空（pump down)腔室，用W在基板移动通过真空气室715而至沉积工具720前建立真空。部分或所有沿 线工具可为由真空气室715隔开的真空工具。注意处理工具的顺序和生产线的特定处理工 具取决于所用特定电化学装置制造方法。例如，根据本公开内容一些实施方式，上述一个或 更多个沿线工具可专用于沉积缓冲层至Li金属上，包括氮等离子体处理改善离子导电率。 另外，基板可移动通过水平或垂直定向的沿线制造系统。再者，沿线系统适于卷盘式处理网 状基板。
[0043] 为说明基板如何移动通过诸如图6所示沿线制造系统，图7图示基板输送装置750 只有一个沿线工具710就定位。含有基板810的基板保持器755(所示的基板保持器被部分地 裁切，W显示基板)装设在输送装置750或等价装置上，使保持器和基板依指示移动通过沿 线工具710。适用于具有垂直基板构造的处理工具710的沿线平台可为应用材料公司的化W Aristo?。适用于具水平基板构造的处理工具710的沿线平台可为应用材料公司的Aton?。 另外，沿线工艺可实施于卷盘式系统中，诸如应用材料公司的SmartWeb?。
[0044] 根据本公开内容实施方式，用于制造包含裡金属电极的电化学装置的设备包含： 第一系统，用于沉积第一电介质材料层至基板上的裡金属电极上，且沉积第一电介质材料 层是在氣环境中瓣射Li3P化;第二系统，用于在第一电介质材料层上方诱发及维持氮等离子 体，W提供离子轰击第一电介质材料层而并入氮于内；及第Ξ系统，用于沉积第二电介质材 料层至经离子轰击的第一电介质材料层上，且沉积第二电介质材料层是在含氮环境中瓣射 Li3P〇4。第一、第二和第Ξ系统可为相同系统。在实施方式中，第二和第Ξ系统是相同系统。 设备可为群集工具或沿线工具。另外，在沿线或卷盘式设备中，沉积及诱发步骤可在分离的 相邻系统中进行。
[0045] 本公开内容可用于任何使LiPO脚冗积至裡金属表面的应用，例如能量储存装置、电 致变色装置等。
[0046] 虽然本公开内容已经W-些实施方式来具体的描述，但是本领域普通技术人员在 不脱离本公开内容的精神和范围内，当可对形式与细节作各种改变与变化。
【主权项】
1. 一种制造电化学装置的方法，所述电化学装置包含锂金属电极，所述方法包含下列 步骤： 提供基板，在所述基板的表面上具有锂金属电极； 沉积第一电介质材料层至所述锂金属电极上，所述沉积所述第一电介质材料层是在氩 环境中派射L i 3PO4; 在所述沉积所述第一电介质材料层之后，在所述第一电介质材料层上方诱发及维持氮 等离子体，以提供离子轰击所述第一电介质材料层而将氮并入所述第一电介质材料层内； 及 在所述沉积、所述诱发及所述维持之后，沉积第二电介质材料层至所述经离子轰击的 第一电介质材料层上，所述沉积所述第二电介质材料层是在含氮环境中溅射Li3P〇4。2. 根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电介质材料层的厚度在1 Onm和1 OOnm之 间。3. 根据权利要求1所述的方法，其中所述第一电介质材料层的厚度在40nm和60nm之间。4. 根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积所述第一电介质材料层是在第一真空腔 室中，及所述诱发及维持是在第二真空腔室中。5. 根据权利要求1所述的方法，其中所述经离子轰击的第一电介质材料层的组成由化 学式 LiaP0bNc 表示，其中 2.5<a<3.5,3.7<b<4.2,且 0.05<c<0.3。6. 根据权利要求1所述的方法，其中所述诱发及维持提高所述第一电介质材料层的锂 离子离子导电率。7. 根据权利要求1所述的方法，其中所述诱发及维持降低在所述第一电介质材料层中 的针孔密度。8. 根据权利要求1所述的方法，其中在所述诱发及维持期间，加热所述基板。9. 根据权利要求1所述的方法，其中所述沉积所述第二电介质材料层包括在氮与氩环 境中溅射Li3P04。10. 根据权利要求1所述的方法，其中所述第二电介质材料层的组成由化学式LiPON表 不。11. 一种电化学装置，包含： 基板，具有在所述基板表面上的锂金属电极； 经离子轰击的第一电介质材料层，所述经离子轰击的第一电介质材料层在所述锂金属 电极上，所述经离子轰击的第一电介质材料层是通过在氩环境中溅射Li3P〇4靶材、然后在含 氮环境中等离子体处理而形成的材料层； 第二电介质材料层，所述第二电介质材料层在所述经离子轰击的第一电介质材料层 上，所述第二电介质材料层是通过在含氮环境中溅射Li3P〇4而形成； 第二电极，所述第二电极在所述第二电介质材料层上。12. 根据权利要求11所述的电化学装置，其中所述经离子轰击的第一电介质材料层具 有由化学式LiaP0bN c表示的组成，其中2.5<a< 3.5,3.7<b<4.2,且0.05< c<0.3。13. 根据权利要求11所述的电化学装置，其中所述第二电介质材料层具有由化学式 LiPON表示的组成。14. 根据权利要求11所述的电化学装置，其中所述电化学装置是薄膜电池。15. -种设备，用于制造电化学装置，所述电化学装置包含锂金属电极，所述设备包含： 第一系统，用于沉积第一电介质材料层至基板上的锂金属电极上，且所述沉积所述第 一电介质材料层是在氩环境中派射Li3P〇4; 第二系统，用于在所述第一电介质材料层上方诱发及维持氮等离子体，以提供离子轰 击所述第一电介质材料层而将氮并入所述第一电介质材料层内；及 第三系统，用于沉积第二电介质材料层至所述经离子轰击的第一电介质材料层上，且 所述沉积所述第二电介质材料层是在含氮环境中溅射Li3P〇4。
【文档编号】H01M10/0562GK105874641SQ201480072040
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2014年12月10日
【发明人】立钟·孙, 冲·蒋, 秉圣·利奥·郭, 约瑟夫·G·戈登二世
【申请人】应用材料公司