顶发射发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种顶发射发光器件及其制备方法。一种顶发射发光器件，包括发光单元，所述发光单元具有出光面，所述发光单元的出光面表面涂覆形成有增透层，所述增透层的材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯，所述增透层的表面为不平整表面。上述顶发射发光器件的亮度较高。
【专利说明】
顶发射发光器件及其制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及薄膜电致发光器件领域，特别是涉及一种顶发射发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]传统的顶发射发光器件如有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管(QLED)的发光区域是没有添加增加光输出结构的，而顶发射发光器件漫散射会降低顶发射发光器件的亮度以及光的均匀性，从而造成部分光的损失，导致顶发射发光器件光的利用率降低。理论计算表明，顶发射发光器件80%的光会在内部消耗，只有20%的光可以逃脱顶发射发光器件表面而发出，因此对于内量子效率25 %的单线态发光材料，其外量子效率理论值为5% ;而对于内量子效率100%的三线态发光材料，其外量子效率理论值为20% ;因此需要新型的光学模型来增加顶发射发光器件的光耦和输出。
[0003]现有工艺一般需要微加工图案化工艺来实现器件表面规则的半球形微小结构表面，其不仅工艺复杂，成本昂贵，而且由于顶发射发光器件出光面为薄膜金属覆盖的有机材料，使其难于抵抗微加工复杂的图案化工艺，难于投入使用。因此，需要简单的工艺来实现器件表面的微结构图案化，并实现光输出的显著提高。
【发明内容】
[0004]基于此，有必要提供一种亮度较高的顶发射发光器件及其制备方法。
[0005]—种顶发射发光器件，包括发光单元，所述发光单元具有出光面，所述发光单元的出光面表面涂覆形成有增透层，所述增透层的材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯，所述增透层的表面为不平整表面。
[0006]在其中一个实施例中，所述发光单元包括依次层叠的基底、阳极、发光层及阴极，所述增透层形成于所述阴极的表面。
[0007]在其中一个实施例中，所述阴极的材料为金属。
[0008]在其中一个实施例中，所述阴极的材料选自铝、银、镁、钡及钙中的至少一种。
[0009]在其中一个实施例中，所述发光单元还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，所述空穴注入层及空穴传输层位于所述阳极及发光层之间，所述电子传输层及电子注入层位于所述发光层及所述阴极之间。
[0010]在其中一个实施例中，所述发光层为有机发光层或量子点发光层。
[0011]—种顶发射发光器件的制备方法，所述顶发射发光器件包括发光单元，所述发光单元具有出光面，所述顶发射发光器件的制备方法包括在所述出光面的表面涂覆增透液后快速除去增透液中的溶剂形成增透层的步骤，所述增透层的材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯，所述增透层的表面为不平整表面。
[0012]在其中一个实施例中，所述增透液中的溶质选自聚苯乙烯及聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种，所述增透液中溶质的浓度为20mg/ml?70mg/ml，所述增透液中的溶剂为低沸点溶剂。
[0013]在其中一个实施例中，所述在所述出光面的表面涂覆增透液的步骤中，采用旋涂或喷墨打印的方式进行涂覆;及/或，所述快速除去增透液中的溶剂形成增透层的步骤中，采用低温加热、风吹、吸尘器抽气等方式。
[0014]在其中一个实施例中，所述发光单元包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
[0015]上述顶发射发光器件及其制备方法，发光单元的出光面表面形成有增透层，增透层的材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯，增透层的表面为不平整表面，增透层的不平整表面可以减少出光面和空气界面的全反射，提高出光率，从而提高亮度;通过涂覆增透液后快速除去增透液中的溶剂来制备增透层，快速干燥的过程中，溶剂快速挥发使得增透层表面形成褶皱而形成不平整的表面，工艺简单。
【附图说明】
[0016]图1为一实施方式的顶发射发光器件的结构示意图；
[0017]图2为实施例1?3与对比例的顶发射发光器件的亮度-电压曲线对比图；
[0018]图3为Ag膜和复合膜的透光率测试曲线图。
【具体实施方式】
[0019]下面主要结合附图及具体实施例对顶发射发光器件的制备方法作进一步详细的说明。
[0020]请参阅图1，一实施方式的顶发射发光器件，包括依次层叠的基底10、阳极20、空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层60、电子注入层70、阴极80及增透层90。[0021 ]顶发射发光器件可以为有机发光二极管(OLED)或量子点发光二极管(QLED)。当顶发射发光器件为有机发光二极管时，发光层50为有机发光层，当顶发射发光器件为量子点发光二极管时，发光层为量子点发光层。
[0022]以下以顶发射发光器件为有机发光二极管为例进行说明。
[0023]基底10通常选择透过率较高的玻璃。
[0024]阳极20层叠于基底10的表面。阳极20为全反射阳极，阳极20的材料选自银、铝、金及铀中的至少一种。阳极20的厚度为10nm?200nm，优选为10nm0
[0025]空穴注入层30层叠于阳极20的表面。空穴注入层30的材料选自Mo03、W03、V205及CuPc中的至少一种。空穴注入层30的厚度为1nm?20nm，优选为10nm。
[0026]空穴传输层40层叠于空穴注入层30的表面。空穴传输层40的材料选自N,N’-二苯基_N，N’- (1-萘基)-1,1 ’-联苯-4,4 ’-二胺(NPB)、2，2 ’ 二(3-二甲基苯氨基苯)I，I ’ 联苯(BTPD)、4，4 ’ -双(9-咔唑-9-基)联苯(CBP)及2-羟基-3-甲基_2_环戊烯-1-酮(mCP)中的至少一种。空穴传输层40的厚度为20nm?40nm，优选为40nmo
[0027]发光层50层叠于空穴传输层40的表面。发光层50的材料选自三(8-轻基喹啉)招(八193)、2，3，6，7-四氢-1，1，7，7-四甲基-1!1，5!1，11!1-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9，9八，1GH]香豆素、三(2-苯基吡啶)合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(Firpic)及四溴苯酸酞乙酯钾盐(TBPe)中的至少一种。发光层50的厚度为20nm?50nm，优选为30nmo
[0028]电子传输层60层叠于发光层50的表面。电子传输层60的材料选自N-芳基苯并咪挫(TPBi)、二苯基邻菲咯啉(Bphen)及三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)中的至少一种。电子传输层60的厚度为20nm?50nm，优选为30nmo
[0029]电子注入层70层叠于电子传输层60的表面。电子注入层70为叠层结构，包括层叠于电子传输层表面的第一电子注入层及层叠于第一电子注入层表面的第二电子注入层。第一电子注入层的材料选自氟化锂、碳酸锂、碳酸铯、氮化铯、氯化铯、氟化铯中的至少一种。第二电子注入层的材料选自铝(Al)、镁(Mg)、镱(Yb)、钡(Ba)及钙(Ca)中的至少一种。电子注入层70的厚度为0.5nm?5nm。优选的，电子注入层包括依次层叠的氟化锂层(LiF)和铝层(Al)，氟化锂层的厚度为lnm，招层(Al)的厚度为Inm0
[0030]阴极80为金属阴极，阴极80层叠于电子注入层70的表面。阴极80的材料选自铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钡(Ba)及钙(Ca)中的至少一种。阴极80的厚度为12nm?20nm，优选为20nm。阴极80的表面为出光面。
[0031]增透层90层叠于阴极80的表面。增透层90通过涂覆形成于阴极80的表面。增透层90的表面为不平整表面，优选的，增透层90的表面粗糙度为50?150nm。增透层90的材料为聚苯乙烯(PS)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。增透层90的厚度为50nm?200nm。在优选的实施例中，增透层90的材料为PS，增透层90表面形成有不规则的椭圆形的凸起，凸起的高度约为150nmo
[0032]发光单元的结构和材料不限于为上述的结构和材料，事实上，只要发光单元的出光面为平面，尤其是，当出光面为金属平面时，通过在出光面的表面涂覆形成具有不平整表面的增透层，都能起到提高亮度的作用，在其他实施方式中，顶发射发光器件为量子点发光二极管，量子点发光二极管的发光单元的结构与上述的有机发光二极管结构的发光单元的结构稍有不同，增透层的结构无区别，以下对量子点发光二极管为例对发光单元的结构进行说明，增透层的结构不再赘述。发光单元包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
[0033]基底通常选择透过率较高的玻璃。
[0034]阳极形成于基底的表面。阳极的材料为铟锡氧化物(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(IZO)。阳极的厚度为80nm?200nmo
[0035]空穴注入层形成于阳极的表面。空穴注入层的材料为聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。优选的，空穴注入层的材料为质量比为3:1的聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。空穴注入层的厚度为20nm?40nmo
[0036]空穴传输层形成于空穴注入层的表面。空穴传输层的材料选自聚(N，N’_双(4-丁基苯基)4少’-双(苯基)联苯胺)(？0171?0)和聚((9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共(4，4’-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))(TFB)中的至少一种。空穴传输层的厚度为20nm?40nmo
[0037]量子点发光层的材料为各种发光波长的量子点。优选的，量子点发光层的材料为蓝光量子点、绿光量子点、红光量子点及白光量子点中的至少一种，当然量子点发光层的材料还可为其他量子点，不限于列举的几种。
[0038]优选的，蓝光量子点为核壳结构的CdSeOZnS蓝光量子点或ZnCdSOZnS蓝光量子点，其中，“CdSeOZnS” 为ZnS包覆CdSe，“ZnCdSOZnS” 为ZnS包覆ZnCdS。核壳结构的CdSeOZnS蓝光量子点可以直接购买得到，粒径优选为3?6nm;核壳结构的ZnCdSOZnS蓝光量子点可以直接购买得到，粒径优选为8?15nm;量子点发光层的厚度为20nm?30nmo
[0039]优选的，绿光量子点为核壳结构的CdSeOZnS绿光量子点，其中，“CdSeOZnS”为ZnS包覆CdSe。核壳结构的CdSeOZnS绿光量子点可以直接购买得到，粒径优选为6?15nm。量子点发光层的厚度为20nm?30nmo
[0040]优选的，红光量子点为核壳结构的CdSeOZnS红光量子点或核壳结构的CdSeOCdS红光量子点，其中，CdSeOZnS为ZnS包覆CdSe，CdSeOCdS为CdS包覆CdSe XdSeOZnS红光量子点或CdSeOCdS红光量子点的粒径为1nm?15nm。量子点发光层的厚度为20nm?30nmo
[0041]电子传输层层叠于能量传递层的表面，当然如果没有能量传递层，电子传输层直接层叠于量子点发光层表面即可。电子传输层的材料选自N-芳基苯并咪唑(TPBi)、二苯基邻菲略啉(Bphen )、氧化锌(ZnO)和二氧化钛(Ti02)中至少一种。电子传输层的厚度为30nm?60nmo
[0042]电子注入层层叠于电子传输层的表面。电子注入层为叠层结构，包括层叠于电子传输层表面的第一电子注入层及层叠于第一电子注入层表面的第二电子注入层。第一电子注入层的材料选自氟化锂、碳酸锂、碳酸铯、氮化铯、氯化铯、氟化铯中的至少一种。第二电子注入层的材料选自铝(Al)、镁(Mg)、镱(Yb)、钡(Ba)及钙(Ca)中的至少一种。电子注入层70的厚度为0.5nm?5nm。优选的，电子注入层包括依次层叠的氟化锂层(LiF)和铝层(Al)，氟化锂层的厚度为lnm，铝层(Al)的厚度为Inm0
[0043]阴极层叠于电子注入层的表面。阴极的材料为铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钡(Ba)或I丐(Ca)。阴极的厚度为80nm?150nmo
[0044]上述顶发射发光器件，发光单元的出光面表面涂覆形成有增透层，增透层的材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯，增透层的表面为不平整表面，增透层的不平整表面可以减少出光面和空气界面的全反射，提高出光率，从而提高亮度。
[0045]上述顶发射发光器件的制备方法，包括以下步骤:
[0046]步骤S200、制备发光单元。
[0047]具体的，如果发光单元是有机发光二极管(OLED)，则发光单元制备包括以下步骤:
[0048]S221、提供基底10并对基底10进行清洗。
[0049]基底10通常选择透过率较高的玻璃。
[0050]对基底10进行清洗的操作为:对基底10依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。
[0051 ]当然，基底1如果是干净的，则步骤S1可以省略。
[0052]S222、在基底上形成阳极20。
[0053]阳极20层叠于基底10的表面。阳极20为全反射阳极，阳极20的材料选自银、铝、金及铀中的至少一种。阳极20的厚度为10nm?200nm，优选为10nm0
[0054]在基底10上形成阳极20的操作中，阳极20的形成方法包括蒸镀、喷镀、溅射、电化学蒸发沉积、电化学方式等，优选为溅射。
[0055]优选的，还包括对形成有阳极20的基板10依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min，再进行UV-ozone作15min处理的操作。
[0056]S223、在阳极20上依次蒸镀形成空穴注入层30、空穴传输层40、发光层50、电子传输层60、电子注入层70及阴极80。
[0057]空穴注入层30层叠于阳极20的表面。空穴注入层30的材料选自Mo03、W03、V205及CuPc中的至少一种。空穴注入层30的厚度为1nm?20nm，优选为10nm。
[0058]空穴传输层40层叠于空穴注入层30的表面。空穴传输层40的材料选自N,N’-二苯基_N，N’- (1-萘基)-1,1 ’-联苯-4,4 ’-二胺(NPB)、2，2 ’ 二(3-二甲基苯氨基苯)I，I ’ 联苯(BTPD)、4，4 ’ -双(9-咔唑-9-基)联苯(CBP)及2-羟基-3-甲基_2_环戊烯-1-酮(mCP)中的至少一种。空穴传输层40的厚度为20nm?40nm，优选为40nmo
[0059]发光层50层叠于空穴传输层40的表面。发光层50的材料选自三(8-轻基喹啉)招(八193)、2，3，6，7-四氢-1，1，7，7-四甲基-1!1，5!1，11!1-10-(2-苯并噻唑基)-喹嗪并[9，9八，1GH]香豆素、三(2-苯基吡啶)合铱、双(4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱(Firpic)及四溴苯酸酞乙酯钾盐(TBPe)中的至少一种。发光层50的厚度为20nm?50nm，优选为30nmo[ΟΟ?Ο]电子传输层60层叠于发光层50的表面。电子传输层60的材料选自N-芳基苯并咪唑、二苯基邻菲咯啉及三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)中的至少一种。电子传输层60的厚度为20nm ?50nm，优选为 30nm。
[0061]电子注入层70层叠于电子传输层60的表面。电子注入层70为叠层结构，包括层叠于电子传输层表面的第一电子注入层及层叠于第一电子注入层表面的第二电子注入层。第一电子注入层的材料选自氟化锂、碳酸锂、碳酸铯、氮化铯、氯化铯、氟化铯中的至少一种。第二电子注入层的材料选自铝(Al)、镁(Mg)、镱(Yb)、钡(Ba)及钙(Ca)中的至少一种。电子注入层70的厚度为0.5nm?5nm。优选的，电子注入层包括依次层叠的氟化锂层(LiF)和铝层(Al)，氟化锂层的厚度为lnm，铝层(Al)的厚度为Inm0
[0062]阴极80为金属阴极，阴极80层叠于电子注入层70的表面。阴极80的材料选自铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钡(Ba)及钙(Ca)中的至少一种。阴极80的厚度为12nm?20nm，优选为20nm。阴极80的表面为出光面。
[0063]增透层90层叠于阴极80的表面。增透层90通过涂覆形成于阴极80的表面。增透层90的表面为不平整表面，优选的，增透层90的表面粗糙度为50?150nm。增透层90的材料为聚苯乙烯(PS)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。增透层90的厚度为50nm?200nm。在优选的实施例中，增透层90的材料为PS，增透层90表面形成有不规则的椭圆形的凸起，凸起的高度约为150nmo
[0064]需要说明的是，在其他实施例中，发光单元还可以为量子点发光二极管(QLED)，此时发光单元制备包括以下步骤:
[0065]S231、提供基底并对基底进行清洗。
[0066]基底通常选择透过率较高的玻璃。
[0067]对基底进行清洗的操作为:对基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。
[0068]当然，基底如果是干净的，则步骤S231可以省略。
[0069]S232、在基底上形成阳极。
[0070]阳极的材料为铟锡氧化物(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铝的氧化锌(AZO)或掺铟的氧化锌(ΙΖ0) ο阳极的厚度为80nm?200nmo
[0071]在基底上形成阳极的操作中，阳极的形成方法包括蒸镀、喷镀、溅射、电化学蒸发沉积、电化学方式等，优选为溅射。
[0072]优选的，还包括对形成有阳极的基板依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min，再进行UV-ozone作15min处理的操作。
[0073]S233、在阳极上通过溶液旋涂法依次形成空穴注入层、空穴传输层和量子点发光层。
[0074]空穴注入层的材料为聚3，4_二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。优选的，空穴注入层30的材料为质量比为3:1的聚3，4_二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物。空穴注入层的厚度为20nm?40nmo
[0075]空穴传输层的材料选自聚(N，N’_双(4-丁基苯基)-N，N’_双(苯基)联苯胺)(Poly-TPD)和聚((9，9-二辛基芴-2，7-二基)-共(4，4’-0-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))0?8)中的至少一种。空穴传输层的厚度为20nm?40nmo
[0076]量子点发光层的材料为各种发光波长的量子点。优选的，量子点发光层的材料为蓝光量子点、绿光量子点、红光量子点及白光量子点中的至少一种，当然量子点发光层的材料还可为其他量子点，不限于列举的几种。
[0077]优选的，蓝光量子点为核壳结构的CdSeOZnS蓝光量子点或ZnCdSOZnS蓝光量子点，其中，“CdSeOZnS” 为ZnS包覆CdSe，“ZnCdSOZnS” 为ZnS包覆ZnCdS。核壳结构的CdSeOZnS蓝光量子点可以直接购买得到，粒径优选为3?6nm;核壳结构的ZnCdSOZnS蓝光量子点可以直接购买得到，粒径优选为8?15nm;量子点发光层的厚度为20nm?30nmo
[0078]优选的，绿光量子点为核壳结构的CdSeOZnS绿光量子点，其中，“CdSeOZnS”为ZnS包覆CdSe。核壳结构的CdSeOZnS绿光量子点可以直接购买得到，粒径优选为6?15nm。量子点发光层的厚度为20nm?30nmo
[0079]优选的，红光量子点为核壳结构的CdSeOZnS红光量子点或核壳结构的CdSeOCdS红光量子点，其中，CdSeOZnS为ZnS包覆CdSe，CdSeOCdS为CdS包覆CdSe XdSeOZnS红光量子点或CdSeOCdS红光量子点的粒径为1nm?15nm。量子点发光层的厚度为20nm?30nmo
[0080]S234、在量子点发光层上通过真空蒸镀法依次形成电子传输层、电子注入层和阴极。
[0081]电子传输层的材料选自N-芳基苯并咪唑(IPBi)、二苯基邻菲咯啉(Bphen)、氧化锌(ZnO)和二氧化钛(Ti02)中至少一种。电子传输层70的厚度为30nm?60nm。
[0082]电子注入层层叠于电子传输层的表面。电子注入层为叠层结构，包括层叠于电子传输层表面的第一电子注入层及层叠于第一电子注入层表面的第二电子注入层。第一电子注入层的材料选自氟化锂、碳酸锂、碳酸铯、氮化铯、氯化铯、氟化铯中的至少一种。第二电子注入层的材料选自铝(Al)、镁(Mg)、镱(Yb)、钡(Ba)及钙(Ca)中的至少一种。电子注入层70的厚度为0.5nm?5 nm。优选的，电子注入层包括依次层叠的氟化锂层(LiF)和铝层(Al)，氟化锂层的厚度为lnm，铝层(Al)的厚度为Inm0
[0083]阴极的材料为铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)、钡(Ba)或钙(Ca)。阴极的厚度为12nm?20nmo
[0084]S300、在阴极的表面涂覆增透液后快速除去增透液中的溶剂形成增透层。
[0085]优选的，增透液中的溶质选自聚苯乙烯及聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种，增透液中溶质的浓度为20mg/ m I?7 Omg/ m I。
[0086]优选的，增透液中的溶剂为低沸点溶剂，进一步优选的，溶剂选自氯仿及二氯甲烷中的至少一种。
[0087]优选的，涂覆增透液的操作中采用旋涂或喷墨打印的方式进行涂覆。
[0088]优选的，快速除去增透液中的溶剂形成增透层的步骤中，采用低温加热、风吹、吸尘器抽气等方式。由于增透层中的有机溶剂快速挥发，使得增透层表面形成褶皱等不平整的表面，从而可以提高光输出的效果。
[0089]增透层90层叠于阴极80的表面。增透层90的表面为不平整表面，优选的，增透层90的表面粗糙度为50?150nm。增透层90的材料为聚苯乙烯(PS)或聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。增透层90的厚度为50nm?200nm。在优选的实施例中，增透层90的材料为PS，增透层90表面形成有不规则的椭圆形的凸起，凸起的高度约为150nm。
[0090]优选的，还可以对顶发射发光器件进行封装。
[0091]上述顶发射发光器件的制备方法，通过涂覆增透液后快速除去增透液中的溶剂来制备增透层，快速干燥的过程中，溶剂快速挥发使得增透层表面形成褶皱而形成不平整的表面，工艺简单。
[0092]以下为具体实施例。
[0093]实施例1
[0094]先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。在洗净的玻璃基板上依次蒸镀厚度为10nm的Ag作为反射阳极，1nm的MoO3作为空穴注入层，40nm的NPB作为空穴传输层、60nm的Alq3作为发光层及电子传输层，LiF/Al(lnm/lnm)作为电子注入层，20nm的Ag作为半透明阴极，完成顶发射OLED器件制备。然后把顶发射OLED器件转移至惰性气氛手套箱内，在顶发射OLED器件的半透明阴极Ag上直接旋涂35mg/ml的氯仿溶液溶解的PS溶液，转速1500rpm，70 V加热7min使溶剂快速挥发，完成制备。
[0095]实施例2
[0096]先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。在洗净的玻璃基板上依次蒸镀厚度为10nm的Ag作为反射阳极，1nm的MoO3作为空穴注入层，40nm的NPB作为空穴传输层、60nm的Alq3作为发光层及电子传输层，LiF/Al (lnm/lnm)作为电子注入层，20nm的Ag作为半透明阴极，完成顶发射OLED器件制备。然后把顶发射OLED器件转移至惰性气氛手套箱内，在顶发射OLED器件的半透明阴极Ag上直接旋涂30mg/ml的氯仿溶液溶解的PS溶液，转速1500rpm，70 V加热7min使溶剂快速挥发，完成制备。
[0097]实施例3
[0098]先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。在洗净的玻璃基板上依次蒸镀厚度为10nm的Ag作为反射阳极，1nm的MoO3作为空穴注入层，40nm的NPB作为空穴传输层、60nm的Alq3作为发光层及电子传输层，LiF/Al (lnm/lnm)作为电子注入层，20nm的Ag作为半透明阴极，完成顶发射OLED器件制备。然后把顶发射OLED器件转移至惰性气氛手套箱内，在顶发射OLED器件的半透明阴极Ag上直接旋涂40mg/ml的氯仿溶液溶解的PS溶液，转速1500rpm，70 V加热7min使溶剂快速挥发，完成制备。
[0099]实施例4
[0100]先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。在洗净的玻璃基板上依次蒸镀厚度为200nm的铝作为反射阳极，20nm的WO3作为空穴注入层，20nm的BTPD作为空穴传输层、20nm的2，3，6，7_四氢-1，1，7，7-四甲基-1Η，5Η，11Η-10-(2-苯并噻唑基)_喹嗪并[9，9A，1GH]香豆素、三(2-苯基吡啶)合铱作为发光层及20nm的N-芳基苯并咪P坐作为电子传输层，碳酸锂/Mg(0.2nm/0.3nm)作为电子注入层，12nm的Al作为半透明阴极，完成顶发射OLED器件制备。然后把顶发射OLED器件转移至惰性气氛手套箱内，在顶发射OLED器件的半透明阴极Al上直接旋涂20mg/ml的氯仿溶液溶解的PMMA溶液，转速1500rpm，吸尘器抽气使溶剂快速挥发，完成制备。
[0101]实施例5
[0102]先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。在洗净的玻璃基板上依次蒸镀厚度为150nm的铂作为反射阳极，15nm的V2O5作为空穴注入层，30nm的CBP作为空穴传输层、50nm的Firpi c作为发光层及50nm的Al q3作为电子传输层，碳酸铯/镱(2nm/3nm)作为电子注入层，15nm的Ba作为半透明阴极，完成顶发射OLED器件制备。然后把顶发射OLED器件转移至惰性气氛手套箱内，在顶发射OLED器件的半透明阴极Ba上直接旋涂70mg/ml的氯仿溶液溶解的PS溶液，转速1500rpm，70°C加热7min使溶剂快速挥发，完成制备。
[0103]实施例6
[0104]先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。在洗净的玻璃基板上依次蒸镀厚度为180nm的金作为反射阳极，1nm的CuPc作为空穴注入层，30nm的mCP作为空穴传输层、60nm的TBPe作为发光层及30nm的N-芳基苯并咪卩坐作为电子传输层，氟化铯/Ca(2nm/lnm)作为电子注入层，12nm的Ca作为半透明阴极，完成顶发射OLED器件制备。然后把顶发射OLED器件转移至惰性气氛手套箱内，在顶发射OLED器件的半透明阴极Ag上直接旋涂50mg/ml的氯仿溶液溶解的PS溶液，转速1500rpm，快速风干后使溶剂快速挥发，完成制备。
[0105]实施例7
[0106]先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。在洗净的玻璃基板上依次蒸镀厚度为80nm的ITO作为反射阳极，旋涂制备20nm的质量比为3:1的聚3，4_二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物作为空穴注入层，旋涂制备20nm的Poly-TPD作为空穴传输层、旋涂制备8nm厚的CdSeOZnS蓝光量子点(粒径为3nm)作为发光层，蒸镀制备30nm厚的TPBi作为电子传输层，蒸镀制备LiF/Al(lnm/lnm)作为电子注入层，蒸镀制备20nm的Mg作为半透明阴极，完成顶发射QLED器件制备。然后把顶发射QLED器件转移至惰性气氛手套箱内，在顶发射QLED器件的半透明阴极Ag上直接旋涂35mg/ml的氯仿溶液溶解的PMMA溶液，转速1500rpm，快速风干使溶剂快速挥发，完成制备。
[0107]实施例8
[0108]先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。在洗净的玻璃基板上依次蒸镀厚度为200nm的FTO作为反射阳极，旋涂制备40nm的质量比为3:1的聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物作为空穴注入层，旋涂制备20nm的TFB作为空穴传输层、旋涂制备60nm厚的CdSeOZnS绿光量子点(粒径为15nm)作为发光层，蒸镀制备30nm厚的Bphen作为电子传输层，蒸镀制备碳酸锂/Mg(0.2nm/0.3nm)作为电子注入层，蒸镀制备12nm的Ag作为半透明阴极，完成顶发射QLED器件制备。然后把顶发射QLED器件转移至惰性气氛手套箱内，在顶发射QLED器件的半透明阴极Ag上直接旋涂35mg/ml的氯仿溶液溶解的PS溶液，转速1500rpm，70 °C加热7min使溶剂快速挥发，完成制备。
[0109]实施例9
[0110]先将玻璃基底依次用洗涤剂、丙酮、乙醇和异丙醇各超声处理15min。在洗净的玻璃基板上依次蒸镀厚度为150nm的AZO作为反射阳极，旋涂制备30nm的质量比为3:1的聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)和聚苯磺酸盐(PSS)的混合物作为空穴注入层，旋涂制备30nm的Poly-TPD作为空穴传输层、旋涂制备25nm厚的核壳结构的CdSeOCdS红光量子点(粒径为I Onm)作为发光层，蒸镀制备45nm厚的ZnO作为电子传输层，蒸镀制备碳酸铯/镱(2nm/3nm)作为电子注入层，蒸镀制备15nm的Ca作为半透明阴极，完成顶发射QLED器件制备。然后把顶发射QLED器件转移至惰性气氛手套箱内，在顶发射QLED器件的半透明阴极Ag上直接旋涂35mg/ml的氯仿溶液溶解的PS溶液，转速1500rpm，70°C加热7min使溶剂快速挥发，完成制备。
[0111]对比例
[0112]对比例的顶发射发光器件的结构为:玻璃基底/Ag(100nm)/Mo03(10nm)/NPB(40nm)/Alq3(60nm)/LiF(lnm)/Al(lnm)/Ag(20nm)(其中，/表示层叠，下同)。
[0113]请参阅图2，图2所示为实施例1?3与对比例的顶发射发光器件的亮度-电压曲线对比图。从图2可以看出在相同电压下，实施例1?3制备的有机电致发光器件的亮度比对比例I制备的有机电致发光器件的亮度要高；相同的电压下，实施例1的顶发射发光器件的亮度最高，最大亮度为691 lcd/m2，与对比例最大亮度5423cd/m2相比，亮度提高了约30%。
[0114]使用台阶仪测试的实施例1的顶发射发光器件的增透层的粗糙度，增透层表面存在不规则的椭圆形凸起，凸起的高度约为150nm。
[0115]通过蒸镀和旋涂工艺制备了厚度为20nm的Ag膜及Ag(20nm)/PS(200nm)复合膜。请参阅图3，图3为Ag膜和复合膜的透光率测试曲线图，从图3中可以看出复合膜的透光率可以达到50%，明显高于Ag膜的透光率。
[0116]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【主权项】
1.一种顶发射发光器件，包括发光单元，所述发光单元具有出光面，其特征在于，所述发光单元的出光面表面涂覆形成有增透层，所述增透层的材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯，所述增透层的表面为不平整表面。2.根据权利要求1所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述发光单元包括依次层叠的基底、阳极、发光层及阴极，所述增透层形成于所述阴极的表面。3.根据权利要求2所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述阴极的材料为金属。4.根据权利要求3所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述阴极的材料选自铝、银、镁、钡及钙中的至少一种。5.根据权利要求2所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述发光单元还包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层，所述空穴注入层及空穴传输层位于所述阳极及发光层之间，所述电子传输层及电子注入层位于所述发光层及所述阴极之间。6.根据权利要求5所述的顶发射发光器件，其特征在于，所述发光层为有机发光层或量子点发光层。7.—种顶发射发光器件的制备方法，所述顶发射发光器件包括发光单元，所述发光单元具有出光面，其特征在于，所述顶发射发光器件的制备方法包括在所述出光面的表面涂覆增透液后快速除去增透液中的溶剂形成增透层的步骤，所述增透层的材料为聚苯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯，所述增透层的表面为不平整表面。8.根据权利要求7所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述增透液中的溶质选自聚苯乙烯及聚甲基丙烯酸甲酯中的至少一种，所述增透液中溶质的浓度为20mg/ml?70mg/ml，所述增透液中的溶剂为低沸点溶剂。9.根据权利要求7所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述在所述出光面的表面涂覆增透液的步骤中，采用旋涂或喷墨打印的方式进行涂覆;及/或，所述快速除去增透液中的溶剂形成增透层的步骤中，采用低温加热、风吹、吸尘器抽气等方式。10.根据权利要求7所述的顶发射发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光单元包括依次层叠的基底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极。
【文档编号】H01L51/52GK106058069SQ201610213301
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2016年4月7日 公开号201610213301.1, CN 106058069 A, CN 106058069A, CN 201610213301, CN-A-106058069, CN106058069 A, CN106058069A, CN201610213301, CN201610213301.1
【发明人】曹进, 周洁, 谢婧薇, 魏翔, 俞浩健
【申请人】上海大学