基板载体的制作方法
【技术领域】
[0001]本公开案的实施方式一般涉及用于制造光伏电池或太阳能电池的装备，尤其涉及一种基板载体。
【背景技术】
[0002]光伏(PV)电池是将日光转化为直流(DC)电能的装置。典型的PV电池包括厚度一般小于约0.3mm的P型硅基板，以及设置在所述P型基板的顶端上的η型硅材料薄层。当暴露于日光时，ρ-η结产生成对的自由电子和空穴。跨所述ρ-η结的耗尽区形成的电场将所述自由电子与所述自由空穴分离开，所述电场可流过外部电路或者电负载。由所述PV电池产生的电压和电流取决于所述ρ-η结的材料性质、已沉积层之间的界面性质，以及所述装置的表面积。
[0003]形成ρ-η结的常规方法一般包括通过沉积工艺(诸如，等离子体增强化学气相沉积(PECVD))形成η型和/或P型层。为了提高所述沉积工艺的处理能力，通过在沉积期间将多个基板放置在一基板载体上来同时处理多个基板。然而，常规的基板载体可能会遭受较短的使用寿命。另外，使用基板载体执行的沉积工艺可导致在沉积工艺期间增强的颗粒产生。在沉积工艺期间的颗粒产生可造成有缺陷的或者低性能的PV电池。
[0004]因为先前的说明，所以在本领域中存在对改善的基板载体的需要。
【实用新型内容】
[0005]提供了一种具有类金刚石碳涂层设置在其上的基板载体。所述类金刚石碳涂层可具有实质上耐在光伏电池的制造期间执行的常用清洁工艺(诸如，使用NF3等离子体的清洁工艺)的性质。另外，提供了一种在基板载体上形成类金刚石碳涂层的方法。所述方法包括将基板载体安置在处理腔室中，以及在所述基板载体上形成类金刚石碳涂层。形成类金刚石碳涂层的步骤包括使含碳气体流入处理腔室，以及分离所述含碳气体。
[0006]本公开案的一个实施方式包括基板载体。所述基板载体包括保持框架、子载体保持表面，以及至少一个子载体保持凹槽，所述凹槽配置成横向地保持一或多个子载体。所述基板载体还具有形成在子载体保持表面上的类金刚石碳涂层。
[0007]本公开案的另一实施方式包括一种涂覆基板载体的方法。所述方法包括将基板载体安置在处理腔室中。所述基板载体包括保持框架、子载体保持表面，以及至少一个子载体保持凹槽，所述凹槽配置成横向地保持一或多个子载体。所述方法进一步包括:将类金刚石碳涂层覆盖沉积在所述子载体保持表面上方。
[0008]可在用于处理基板的相同处理腔室中将所述类金刚石碳涂层沉积在载体上。所述类金刚石碳涂层具有对~匕等离子体的极高耐蚀性，在基板处理期间载体可能会暴露于所述NF3等离子体。耐NF3蚀刻导致所述载体的使用寿命发生惊人的增长。所述类金刚石碳涂层具有非常低的摩擦系数和非常高的表面硬度，这将导致最小的晶片表面损伤、较少的颗粒产生，以及高耐磨性。通过掺杂和/或改变处理条件，可以轻易地调整所述类金刚石碳涂层的电性质、机械性质、热学性质，以及化学性质。此外，通过将类金刚石碳涂层沉积在常规的载体(诸如，石墨载体)上，在处理期间产生的颗粒可减少。另外，通过将所述类金刚石碳涂层沉积在多孔载体或者其他载体上，在沉积工艺期间载体的排气可减少。
【附图说明】
[0009]因此，可详细地理解本公开案的上述特征结构的方式，即上文简要概述的本公开案的更具体描述可参照实施方式进行，一些实施方式图示在附图中。然而，应注意，附图仅图示本公开案的典型实施方式，且因此不应被视为本公开案范围的限制，因为本公开案可允许其他等效的实施方式。
[0010]图1是根据本公开案的一个实施方式用于处理一批基板的处理腔室的示意性横截面图。
[0011]图2是根据本文描述的一个实施方式的基板载体的俯视透视图。
[0012]图3是根据本文描述的一个实施方式的子载体的俯视透视图。
[0013]图4是流程图，说明用于沉积涂层的方法的一个实施方式。
[0014]为了促进理解，已尽可能使用相同元件符号指定各图所共有的相同元件。另外，一个实施方式的要素可有利地适用于本文描述的其他实施方式。
【具体实施方式】
[0015]提供了一种基板载体，该基板载体上设置有类金刚石碳涂层。所述类金刚石碳涂层可具有实质上耐在光伏电池的制造期间执行的常用清洁工艺(诸如，使用~匕等离子体的清洁工艺)的性质。另外，提供了一种在基板载体上形成类金刚石碳涂层的方法。所述方法包括将基板载体安置在处理腔室中，以及在所述基板载体上形成类金刚石碳涂层。形成类金刚石碳涂层的步骤包括使含碳气体流入处理腔室，以及分离所述含碳气体。
[0016]图1是根据本公开案的一个实施方式用于处理一批基板的处理腔室100的示意性横截面图。可受益于本文公开的实施方式的一个适当的处理腔室包括作为第2代到第8.5代处理平台的部分的处理腔室，所述处理平台可购自位于加利福尼亚州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials Inc.)。可购自其他制造商的其他处理腔室和处理系统同样也可受益于本文公开的实施方式。
[0017]所述处理腔室100 —般地包括壁102、底部104、喷淋头110和基板支撑件130，所述壁102、底部104、喷淋头110和基板支撑件130共同限定一工艺空间106。通过开口 108进出所述工艺空间106，因此可将基板载体101传递进出所述处理腔室100。所述晶片载体可具有设置在晶片载体上的一或多个子载体S。每一子载体S可具有设置在所述子载体上的一或多个基板W(在图3中示出)。所述基板W可由例如玻璃或半导体材料构成。所述载体101具有形成在所述载体中的至少一个子载体保持凹槽1lA(在图2中示出)。所述子载体保持凹槽1lA配置成在传递进出所述处理腔室100期间支持和保持所述子载体S。
[0018]所述基板支撑件130包括用于支撑所述载体101的基板接收表面132，以及耦合至升降系统136以升高和降低所述基板支撑件130的杆134。阴影框架133可任选地安置在所述载体101的周缘上方。升降杆138穿过基板支撑件130可移动地设置，以移动载体101往返于基板接收表面132。基板支撑件130还可以包括加热和/或冷却元件139，以将所述基板支撑件130维持在所需温度。一或多个接地组件142通过附接设备144耦合至壁102、基板支撑件130和/或其他腔室元件。
[0019]所述喷淋头110通过悬挂件114耦合至背板112的周缘处。气源120耦合至所述背板112并且通过管道131提供气体，所述管道131穿过所述背板112。所述气体离开所述管道131并且穿过喷淋头110中的多个孔111，以进入所述工艺空间106。真空栗109耦合到所述处理腔室100，以控制工艺空间106处于所需压力。功率源122耦合至所述背板112和/或所述喷淋头110以提供功率到所述喷淋头110，从而在所述喷淋头110和所述基板支撑件130之间产生电场，以及在所述工艺空间106中从所述气体产生等离子体。所述功率源122可配置成供应例如射频或超高频功率。所述功率源122可供应处于例如约13.56MHz的射频功率。所述功率源122可供应处于例如约20MHz和约300MHz之间的超高频功率。
[0020]远程等离子体源124，诸如电感耦合的远程等离子体源，可任选地耦合在气源120和背板112之间。处理多批基板W以形成PV电池的步骤可包括在远程等离子体源124中从清洁气体产生等离子体，以及使从所述等离子体产生的被激发物种流入所述工艺空间106。可以进一步地用功率源122激发清洁气体并提供到喷淋头110。适当的清洁气体包括但不限于NF3、F2，以及SF60
[0021]图2是所述载体101的一个代表性实施方式的俯视透视图。如图2所示，载体101包括保持框架203和16个子载体保持凹槽101A。所述保持框架203包括外壁223和子载体保持表面213。所述外壁223从子载体保持表面213延伸，并且具有顶表面224和内表面225。从所述子载体保持表面213测量的外壁223的高度可基于将被支撑在所述子载体保持表面213上的一或多个子载体S的尺寸来选择。外壁高度可以与所述子载体S的高度实质上相同，大于所述子载体S的高度，或者小于所述子载体S的高度。例如，在将由子载体保持表面213支撑的子载体具有624mmX624mmX0.2mm的尺寸的配置中，所述外壁223的高度可为从约0.1mm到约0.3mm。
[0022]如图2所示，每一子载体保持凹槽1lA是通过子载体保持壁构件215或者保持框架中央挡板207而与每一邻近的子载体保持凹槽1lA分隔的。所述子载体保持壁构件215作用为分隔子载体S以及将所述子载体S保持在载体101上。保持框架中央挡板207作用为分隔所述载体101上的子载体S以及还作用为提供载体101的结构稳定性。在一些实施方式中，所述保持框架中央挡板207和子载体保持壁构件215具有相同高度。在其他实施方式中，所述保持框