所述基板支撑件温度是380°C;沉积速率是约30埃/分钟；能带隙是约1.5eV ;折射率(在633nm处测量)是约2.1 ;消光系数(在400nm处测量)是约0.40 ;内应力是约-30 X 19达因/平方厘米；以及NF 3蚀刻速率是约30埃/小时。
[0050]当压力是9托时，所施加的功率是3kW，以及所述基板支撑件温度是380°C;沉积速率是约140埃/分钟；能带隙是约1.6eV ;折射率(在633nm处测量)是约2.1 ;消光系数(在400nm处测量)是约0.30 ；以及内应力是约0.18 X 19达因/平方厘米。
[0051]当压力是5托时，所施加的功率是3kW，以及所述基板支撑件温度是380°C;沉积速率是约520埃/分钟；能带隙是约1.7eV ;折射率(在633nm处测量)是约1.8 ;消光系数(在400nm处测量)是约0.21 ;以及内应力是约0.26 X 19达因/平方厘米。
[0052]在使用具有4000sccm/m2的流动速率的CH4作为含碳气体，具有1500sccm/m2的流动速率的氮气作为掺杂气体，以及具有8000sCCm/m2的流动速率的氩气作为惰性气体而沉积的氮掺杂的类金刚石碳涂层中，从下列条件获得了以下性质。当压力是750毫托时，所施加的功率是1.6kW，以及所述基板支撑件温度是380°C ;沉积速率是约14埃/分钟；能带隙是约1.7eV ;折射率(在633nm处测量)是约2.3 ;消光系数(在400nm处测量)是约0.40 ;内应力是约-30 X 19达因/平方厘米；以及NF 3蚀刻速率是约50埃/小时。当压力是5托时，所施加的功率是3kW，以及所述基板支撑件温度是380°C;沉积速率是约60埃/分钟；能带隙是约0.92eV ;折射率(在633nm处测量)是约1.8 ;消光系数(在400nm处测量)是约0.32 ；以及内应力是约0.89X 19达因/平方厘米。
[0053]在任选的阶段405处，可在处理腔室100中执行清洁工艺以去除任何可能已经形成在所述处理腔室壁或元件上的类金刚石碳沉积物。可在载体101从处理腔室100移除之后执行清洁工艺。或者，可当所述载体101保留在所述处理腔室100中时执行清洁工艺。
[0054]在所述清洁工艺期间，可调整所述处理腔室的多个条件。例如，所述基板支撑件130的温度可维持在约100°C和约500°C之间，诸如在约200°C和约400°C之间，诸如约300°C。所述处理腔室100的压力可维持在约100毫托和约1000毫托之间，诸如在约200毫托和约500毫托之间，诸如约250毫托。所述间隔可在约1000密耳和约2000密耳之间，诸如在约1200密耳和约1600密耳之间，诸如约1500密耳。在其它实施方式中，所述间隔可在约4000密耳和约5000密耳之间，诸如在约4200密耳和约4800密耳之间，诸如约4500密耳。
[0055]在所述清洁工艺期间，气体可流入远程等离子体源124以及随后流入所述处理腔室100的工艺空间106。例如，队0、即3、41队和02中的一或多个可流入所述远程等离子体源124。在一个实施方式中為0、即3、々^队和02的混合物可从所述气源120流入所述远程等离子体源124。在具有144升的腔室容积的一实施方式中，流动速率可如下所述。N2O可以在约Isccm/升和约50sccm/升之间的每处理腔室容积流动速率(诸如，约1sccm/升)从所述气源120流入所述远程等离子体源124。NF3同样可以在约lsccm/升和约30sCCm/升之间的每处理腔室容积流动速率(诸如，约3sCCm/升)从所述气源120流入所述远程等离子体源124。氩气同样可以在约lsccm/升和约30sCCm/升之间的每处理腔室容积流动速率(诸如，约5sCCm/升)从所述气源120流入所述远程等离子体源124。N2同样可以在约lsccm/升和约30sccm/升之间的每处理腔室容积流动速率(诸如，约5sccm/升)从所述气源120流入所述远程等离子体源124。其他的气体也可流入所述远程等离子体源124。
[0056]在另一实施方式中，除了 N2O之外还可使用O2，或者可使用O2代替N20。例如，02可以在约Isccm升和约50sccm/升之间的每处理腔室容积流动速率(诸如，约1sccm/升)从所述气源120流入所述远程等离子体源124。
[0057]为了产生活性物种以执行清洁工艺，可以从功率源(未示出)施加功率到所述远程等离子体源124。例如，施加至所述远程等离子体源的功率可在约4kW和约SkW之间，诸如在约5kW和约7kW之间，诸如约6kW。
[0058]也可通过功率源122将射频功率施加至喷淋头110。所述功率源122可供应在例如约13.56MHz处的射频功率。所施加的射频功率可在约IkW和约2kW之间，诸如约1.5kW。在另一实施方式中，所述功率可在2kW和约4kW之间，诸如约3kW。例如，如果所述间隔是约1500密耳，那么所施加的射频功率可为约1.5kW。在另一实例中，如果所述间隔是约4500密耳，那么所施加的功率可为约3kW。在另一实施方式中，所述射频功率施加至背板112而不是喷淋头110，或者除了施加至所述喷淋头110之外所述射频功率还施加至背板112。
[0059]本文公开的清洁工艺的实施方式已表现出对在所述处理腔室100的壁和所述处理腔室100的元件上形成的类金刚石碳沉积物非常高的蚀刻速率。一个实施方式的所测得蚀刻速率大于约4400埃/分钟。相较于使用仅NF3或者仅NF 3和氩气的处理，所测量的实施方式的蚀刻速率分别是所述处理的约3500倍和约4倍。
[0060]在替代性实施方式中，使用清洁工艺来从载体101去除类金刚石碳涂层。在一些实施方式中，在去除所述类金刚石碳涂层之后，可涂覆新的类金刚石碳涂层至所述载体101上。在其它实施方式中，在去除所述类金刚石碳涂层之后，可涂覆不同的涂层至所述载体101上。在一些实施方式中，本文公开的清洁工艺是用来清洁因为将类金刚石碳涂层沉积到基板载体101上以外的工艺而形成在所述处理腔室100的壁上的类金刚石碳沉积物。
[0061]先前描述的实施方式具有许多优点，包括以下优点。可在用于处理基板的相同处理腔室中将所述类金刚石碳涂层沉积在载体上。所述类金刚石碳涂层具有对~匕等离子体的极高耐蚀性，在基板处理期间载体可能会暴露于所述NF3等离子体。耐NF 3蚀刻导致所述载体的使用寿命发生惊人的增长。所述类金刚石碳涂层具有非常低的摩擦系数和非常高的表面硬度，这将导致最小的晶片表面损伤、较少的颗粒产生，以及高耐磨性。通过掺杂和/或改变处理条件，可以轻易地调整所述类金刚石碳涂层的电性质、机械性质、热学性质，以及化学性质。此外，通过将类金刚石碳涂层沉积在常规的载体(诸如，石墨载体)上，在处理期间产生的颗粒可减少。另外，通过将所述类金刚石碳涂层沉积在多孔载体或者其他载体上，在沉积工艺期间载体的排气可减少。本文公开的实施方式还允许从处理腔室壁、处理腔室元件、基板载体以及其他物件上快速地去除类金刚石碳涂层。上述优点是说明性而非限制性的。未必所有的实施方式都具有所有的优点。
[0062]尽管上述内容是针对本公开案的实施方式，但可在不脱离本公开案的基本范围的情况下设计本公开案的进一步实施方式，并且本公开案的范围是由所附权利要求书来确定的。
【主权项】
1.一种基板载体，其特征在于，所述基板载体包括: 保持框架； 子载体保持表面； 至少一个子载体保持凹槽，所述子载体保持凹槽配置用于横向地保持一或多个子载体；以及 类金刚石碳涂层，所述类金刚石碳涂层形成在所述子载体保持表面上。2.根据权利要求1所述的基板载体，其特征在于，所述类金刚石碳涂层具有在约0.1 μ??和约200 μm之间的厚度。3.根据权利要求2所述的基板载体，其特征在于，所述基板载体包括至少一个保持框架中央挡板。4.根据权利要求2所述的基板载体，其特征在于，跨所述子载体保持表面的所述类金刚石碳涂层的厚度为实质上均匀的。5.如权利要求1所述的基板载体，其特征在于，所述基板载体还包括:一或多个子载体。6.根据权利要求5所述的基板载体，其特征在于，所述一或多个子载体包括一或多个保持框架和一或多个基板保持凹槽。
【专利摘要】提供了一种基板载体，该基板载体上设置有类金刚石碳涂层。所述类金刚石碳涂层可具有实质上耐在光伏电池的制造期间执行的常用清洁工艺(诸如，使用NF3等离子体的清洁工艺)的性质。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN204834654
【申请号】CN201520320644
【发明人】盛殊然, 张 林, S·H·赵
【申请人】应用材料公司
【公开日】2015年12月2日
【申请日】2015年5月18日
【公告号】US20150333213