电路板封装结构及其制造方法_5

文档序号:8366350阅读:来源:国知局
且该第三端部延伸至该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对该支撑层的表面上,该第四端部延伸至该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层的该第二表面上; 第二保护层,覆盖于该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对该基板的表面上与该些第二导电层的该些第三端部上;以及 第三保护层或补强支撑层,覆盖于该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对该基板的表面上与该些第二导电层的该些第四端部上。
24.如权利要求19所述的电路板封装结构,还包含: 第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层,覆盖于该支撑层相对该基板的表面上与该些第一导电层的该些第一端部上,该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层具有至少一贯穿区,且该贯穿区位于该些第一端部的一者相对于该支撑层的表面上,垂直延伸至该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对于该支撑层的表面上; 至少一第二导电层,位于该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层朝向该贯穿区的表面上,该第二导电层具有一第三端部,且该第三端部延伸至该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对该支撑层的表面上; 第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层,覆盖于该基板的该第二表面上与该些第一导电层的该些第二端部上; 第二保护层,覆盖于该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对该基板的表面上与该第二导电层的该第三端部的侧表面上,使该第二导电层的该第三端部从该第二保护层裸露;以及 第三保护层或补强支撑层,覆盖于该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对该基板的表面上。
25.如权利要求19所述的电路板封装结构,还包含: 第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层,覆盖于该支撑层相对该基板的表面上与该些第一导电层的该些第一端部上; 第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层,覆盖于该基板的该第二表面上与该些第一导电层的该些第二端部上,该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层具有至少一贯穿区,且该贯穿区位于该些第二端部的一者相对于该基板的表面上,垂直延伸至该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对于该基板的表面上; 至少一第二导电层,位于该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层朝向该贯穿区的表面上,该第二导电层具有第三端部,且该第三端部延伸至该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对该基板的表面上; 第二保护层,覆盖于该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对该基板的表面上;以及 第三保护层或补强支撑层,覆盖于该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层相对该基板的表面上与该第二导电层的该第三端部的侧表面上,使该第二导电层的该第三端部从该第三保护层或该补强支撑层裸露。
26.如权利要求19所述的电路板封装结构,其中该些开槽的长度方向均相同。
27.如权利要求19所述的电路板封装结构,其中该环形凹槽的相对两内壁间的距离与每一该些开槽的相对两内壁间的距离相同。
28.如权利要求19所述的电路板封装结构,其中该环形凹槽的深度与每一该些开槽的深度相同。
29.—种电路板封装结构的制造方法,包含下列步骤: (a)提供一基板; (b)形成多个第一环形凹槽与多个第一开槽于该基板的第一表面,其中每一第一环形凹槽由至少一第一开槽连通至另一第一环形凹槽; (c)放置多个环形磁力元件于该些第一环形凹槽中; (d)贴附一支撑层于该基板的该第一表面上,使该些第一环形凹槽与该些第一开槽由该支撑层覆盖; (e)形成多个穿孔贯穿于该支撑层与该基板,且该些穿孔相邻该些第一环形凹槽; (f)形成多个第一导电层于该支撑层与该基板朝向该些穿孔的表面上、该支撑层相对该基板的表面上及该基板的该第二表面上;以及 (g)图案化在该支撑层相对该基板的表面上与该基板的该第二表面上的该些第一导电层。
30.如权利要求29所述的电路板封装结构的制造方法,其中步骤(d)的支撑层还包含: 含非固化环氧树脂的玻璃纤维层,位于该支撑层的下层,覆盖该些环形凹槽与该些开槽;以及 含已固化环氧树脂的玻璃纤维层,位于该支撑层的上层,覆盖下层的含非固化环氧树脂的玻璃纤维层。
31.如权利要求29所述的电路板封装结构的制造方法,还包含: 形成多个第一保护层于该些穿孔中。
32.如权利要求29所述的电路板封装结构的制造方法,还包含: 形成一第二保护层覆盖该支撑层相对该基板的表面上与在该支撑层相对该基板的表面上的该些第一导电层;以及 形成一第三保护层覆盖该基板的该第二表面上与在该基板的该第二表面上的该些第一导电层。
33.如权利要求32所述的电路板封装结构的制造方法,还包含: 以垂直该些第一开槽的方向切割该第二保护层、该支撑层、该基板与该第三保护层,使切割后的每一该第一开槽在该基板的侧面形成一开口。
34.如权利要求29所述的电路板封装结构的制造方法,还包含: (h)贴附一第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层和一第一铜箔层于该支撑层相对于基板的表面上,使该支撑层由该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层覆盖,且该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层由该第一铜箔层覆盖; (i)贴附一第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层和一第二铜箔层于该基板的第二表面上,使该基板的第二表面由该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层覆盖,且该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层由该第二铜箔层覆盖; (j)形成一或多个长穿孔贯穿于该些铜箔层、该些含非固化环氧树脂的玻璃纤维层、该支撑层与该基板,且该些长穿孔相连步骤(g)的该些图案化的第一导电层; (k)形成该些第一导电层于步骤(j)的该些长穿孔的表面上、该些铜箔层相对该基板的表面上; (I)形成多个第四保护层于该些长穿孔中; (m)图案化步骤(h)以及(i)的该些铜箔层而形成该些第一导电层;以及 (η)形成一第二保护层以及一第三保护层覆盖步骤(m)图案化的该些第一导电层。
35.如权利要求34所述的电路板封装结构的制造方法,还包含: 以垂直该些第一开槽的方向切割该第二保护层、该些含非固化环氧树脂的玻璃纤维层、该支撑层、该基板与该第三保护层,使切割后的每一该第一开槽在该基板的侧面形成一开口。
36.如权利要求29所述的电路板封装结构的制造方法,还包含: (h)贴附一第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层和一铜箔层于该支撑层相对于基板的表面上,使该支撑层由该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层覆盖,且该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层由该铜箔层覆盖; (i)贴附一第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层和一补强支撑层于该基板的第二表面上,使该基板的第二表面由该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层覆盖,且该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层由该补强支撑层覆盖; (j)形成一或多个贯穿区贯穿于步骤(h)的该第一铜箔层与该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层,且该些贯穿区相连步骤(g)的该些图案化第一导电层; (k)形成一第二导电层于步骤(j)的每一该些贯穿区的表面上及步骤(h)的该铜箔层相对该基板的表面上; (I)图案化步骤(h)的该铜箔层而形成该些第一导电层;以及 (m)形成一第二保护层覆盖步骤(I)图案化的该些第一导电层。
37.如权利要求36所述的电路板封装结构的制造方法,还包含: 以垂直该些第一开槽的方向切割该第二保护层、该些含非固化环氧树脂的玻璃纤维层、该支撑层、该基板与该补强支撑层,或切割该第二保护层、该些含非固化环氧树脂的玻璃纤维层、该支撑层、该基板与一第三保护层,使切割后的每一该第一开槽在该基板的侧面形成一开口。
38.如权利要求29所述的电路板封装结构的制造方法,还包含: (h)贴附一第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层和一补强支撑层于该支撑层相对于该基板的表面上,使该支撑层由该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层覆盖,且该第一含非固化环氧树脂的玻璃纤维层由该补强支撑层覆盖; (i)贴附一第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层和一铜箔层于该基板的第二表面上,使该基板的第二表面由该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层覆盖,且该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层由该铜箔层覆盖; (j)形成一或多个贯穿区贯穿于步骤(i)的该铜箔层与该第二含非固化环氧树脂的玻璃纤维层,且该些贯穿区相连步骤(g)的该些图案化的第一导电层; (k)形成一第二导电层于步骤(j)的每一该些贯穿区的表面上及步骤(i)的该铜箔层相对该基板的表面上; (I)图案化步骤(i)的该铜箔层而形成该些第一导电层;以及 (m)形成一第二保护层覆盖步骤(I)图案化的该些第一导电层。
39.如权利要求38所述的电路板封装结构的制造方法,还包含: 以垂直该些第一开槽的方向切割该补强支撑层、该些含非固化环氧树脂的玻璃纤维层、该支撑层、该基板与该第二保护层,或切割一第三保护层、该些含非固化环氧树脂的玻璃纤维层、该支撑层、该基板与该第二保护层,使切割后的每一该第一开槽在该基板的侧面形成一开口。
40.如权利要求29所述的电路板封装结构的制造方法,其中步骤(b)还包含: 形成多个第二环形凹槽与多个第二开槽于该基板的该第一表面,其中每一该第二开槽的两端连通于两相邻的该些第二环形凹槽,且每一该第二开槽交错且连通于该些第一开槽的其中一者。
【专利摘要】本发明公开一种电路板封装结构及其制造方法。该电路板封装结构包含基板、多个环形磁力元件、支撑层与多个第一导电层。基板具有相对的第一表面与第二表面、多个第一环形凹槽与多个第一开槽。第一环形凹槽与第一开槽位于第一表面。每一第一环形凹槽由至少一第一开槽连通至另一第一环形凹槽,且至少二第一环形凹槽由第一开槽连通至基板侧面形成至少二开口。环形磁力元件分别位于第一环形凹槽中。支撑层位于基板的第一表面上,且覆盖第一环形凹槽与第一开槽。支撑层与基板具有多个穿孔。第一导电层分别位于支撑层与基板朝向穿孔的表面上。
【IPC分类】H05K3-32, H05K1-18
【公开号】CN104684251
【申请号】CN201410138574
【发明人】黄柏雄, 杨伟雄, 石汉青, 林正峰
【申请人】健鼎(无锡)电子有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2014年4月8日
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