阻挡膜及制备该阻挡膜的方法
【技术领域】
[0001 ]本申请设及一种阻挡膜和制备该阻挡膜的方法。
【背景技术】
[0002] 当在有机或无机巧光体、显示设备和光伏设备等中包括的电子器件和金属连线与 外部化学物质，如氧或水相接触时，他们可被改性或氧化，因而不能正常地发挥功能。因此， 有必要保护所述电子器件远离运些化学物质。为此，已经提出了利用玻璃板作为基板或覆 盖板来保护易受运些化学物质损害的内部电子器件的技术。所述玻璃板具有令人满意的特 性，包括透光率、热膨胀系数和耐化学性。然而，由于玻璃是重的、硬的和易于损坏的，故其 应当被小屯、地处理。
[0003] 因此，存在有积极的尝试，用塑料膜或片（其为与所述玻璃板相比具有较轻的重 量、优良的耐冲击性和更高的柔初性的代表性材料)来替代用作电子器件的基板的玻璃板。 然而，与所述玻璃板相比，有必要弥补目前工业生产的塑料膜不足的物理性能。特别地，相 比于所述玻璃板的特性，最为迫切地需要改善所述塑料膜的物理性能中的耐水性和气体阻 隔性能，且需要展现出优异的气体阻隔性能和透光率的阻挡膜。
[0004] [现有技术文献]
[0005] 1、日本早期公开专利申请第2007-090803号
【发明内容】
[0006] [技术问题]
[0007] 本申请设及提供一种阻挡膜及该阻挡膜的制造方法，所述阻挡膜适用于有机或无 机巧光体、显示设备和光伏设备W有效阻隔环境中的化学物质，如湿气或氧，保护其中的电 子器件，并保持优异的光学特性。
[000引[技术方案]
[0009] 在一个方面，本申请提供了一种阻挡膜。在一个实施例中，本申请的阻挡膜可被用 于有机或无机巧光设备、显示设备和光伏设备。如图1所示，示例性的阻挡膜10可依序包括 基底层14、第一电介质层13、无机层12和第二电介质层11，并满足通式1。在运里，所述无机 层可具有1.65W上的折射率。另外，所述第一电介质层可具有lOOnmW上的厚度，且所述第 二电介质层的厚度可等于或小于所述第一电介质层的厚度。即所述第二电介质层的厚度可 等于或小于所述第一电介质层的厚度。与此同时，所述无机层的折射率可W是至少1.65,例 如，1.7 W上、1.75 W上、1.8 W上、1.85 W上、1.9 W上、1.95 W上、1.96 W上、1.97 W上、1.98 W上、1.99W上或2.0W上。所述无机层的折射率的上限可W是，但并不特别地限定于，例 如，3.0W下、2.5W下、2.4W下、2.3W下或2.2W下。除具有相对较高的折射率的无机层之 夕h本申请通过控制所述第一电介质层和所述第二电介质层的厚度和折射率可提供一种具 有气体阻隔性能和优异的光学特性的阻挡膜。
[0010] [通式U
[0011] η2<ηι<Π?
[0012] 在通式1中，m代表所述第一电介质层的折射率，Π 2代表所述第二电介质层的折射 率，W及m代表所述无机层的折射率。
[0013] 通过调节组件层的折射率和厚度会影响具有层压了若干层的结构的膜的光学特 性。特别地，由于光的反射和折射会发生在具有不同的折射率的两个层的交界面处，故层压 材料(造成了它们本身之间的折射率的差异)和层压顺序对多层膜的光学特性具有深远的 影响。所述第一电介质层、无机层和第二电介质层可由本领域的普通技术人员所知的材料 形成而没有限制，只要所述材料满足所述折射率的关系即可，而当满足所述折射率的关系 和厚度关系时，可制得具有优异的光学特性的阻挡膜。
[0014] 此处所用的术语"折射率"可W是，除非有特别的规定，300至1000皿的波长范围内 的折射率。在一个实施例中，此处所用的"折射率"可指的是550或633nm波长处的折射率。
[0015] 另外，可通过满足根据通式4的厚度关系来制造本申请的具有优异的光学特性的 阻挡膜。
[0016] [通式 4]
[0017] 0.01 <d2/di< 1
[0018] 在通式4中，di为所述第一电介质层的厚度，W及cb为所述第二电介质层的厚度。
[0019] 如上所述，所述第二电介质层的厚度cb与所述第一电介质层的厚度山的比例可W 是 0.01至1，或0.01W上且小于1，例如，0.02至 1.0、0.05至1.0、0.1至1.0、0.1至0.9、0.1至 0.8或0.1至0.7。如上所述，当所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的厚度的比例被 限定为特定的比例时，可制得具有优异的气体阻隔性能和透光率的膜。
[0020] 在一个实施例中，所述第一电介质层的厚度山可为lOOnmW上，例如，大于lOOnm且 为化mW下。另外，所述第一电介质层的厚度di可为1 lOnm至Ιμηι、120nm至900nm、130nm至 80化m、140皿至700皿、150nm至600皿、150nm至500皿或150皿至48化m。在一个实施例中，所 述第二电介质层的厚度d2可为lOnm至化m、lOnm至900nm、20nm至800nm、30nm至700nm、35nm 至600nm、40nm至500nm或45nm至480nm。
[0021] 另外，在本申请的示例性实施方式中，所述第一电介质层的折射率nl和所述第二 电介质层的折射率n2可满足通式2。
[0022] [通式 2]
[0023] 〇.5< (n2-l)/(nl-l) < 1
[0024] 如通式2所示，所述第二电介质层的折射率m与所述第一电介质层的折射率m的比 例(n2-l)/(m-l)可为0.5至 1，优选地，0.55至 1、0.6至 1、0.65至 1 或0.7至 1。
[0025] 另外，在本申请的示例性实施方式中，所述第一电介质层的折射率m和所述无机 层的折射率m可满足通式3。
[0026] [通式 3]
[0027] 〇.3< (m-l)/(m-l) <0.95
[0028] 如通式3所示，所述第一电介质层的折射率m与所述无机层的折射率m的比例(m- 1)/(山-1)可为0.3至0.95，优选地，0.35至0.85、0.4至0.8、0.4至0.75、0.4至0.7或0.45至 0.7。
[0029] 根据本申请，可通过限定所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的折射率的 比例和/或所述无机层与所述第二电介质层之间的折射率的比例在特定的范围内来制造具 有优异的透光率的膜。
[0030]在一个实施例中，所述基底层的折射率可W是，但并不特别地限定于，1.45至 1.75、1.45至1.7或1.5至1.65。只要满足通式1，所述第一电介质层的折射率m或所述第二 电介质层的折射率Π 2可W是，但并不特别地限定于，1.35至1.9、1.4至1.9、1.45至1.9或 1.45 至 1.8。
[0031 ]另外，当所述基底层的折射率为ns时，所述基底层的折射率可低于所述无机层的 折射率m。在一个实施例中，所述基底层的折射率ns和所述无机层的折射率m可满足通式5。
[0032] [通式引
[0033] ns<m
[0034] 在本申请中，所述基底层的折射率ns和所述第一电介质层的折射率m也可满足通 式6。
[0035] [通式 6]
[0036] 〇.5<ns/ni 含 1.5
[0037] 即用于本申请的基底层的材料并不作特别地限定，但可满足通式5或6即可。例如， 所述基底层的折射率为ns与所述第一电介质层的折射率m