不一定非要比配向液的初始厚度还高。也就是说，只要挡墙81的高度比最终固化后的配向层8厚度大，但比配向液的初始厚度小，则其就可起到一定的阻挡效果，同时，这样的挡墙81高度也不太大，容易实现且对其他结构的影响小。具体的，通常配向液的初始厚度不超过3000nm，而最终形成的配向层8厚度不小于50nm，故挡墙81的高度优选在50nm ?3000nm 之间。
[0048]优选的，挡墙81的宽度在100nm?lOOOOOnm。
[0049]也就是说，该挡墙81的“壁”的厚度应处于以上范围内。显然，挡墙81不能太宽，因为挡墙81本身处配向层5的厚度可能是不均匀的，故其所占的地方越小越好；但同时，从工艺角度考虑，太窄的挡墙81也难以制造，且强度也不够。
[0050]优选的，该挡墙81与过孔8周边的显示结构间的位置关系，可分为以下的几种:
[0051](I)挡墙81位于过孔8周边最上层的显示结构上。
[0052]也就是说，挡墙81位于过孔8周边的所有的显示结构之上，从而直接与配向层5接触。例如，如图4所示，对于上述漏极14上的过孔8，过孔8周边最上层的显示结构为像素电极3，因此挡墙81可直接位于像素电极3上。
[0053]根据以上设计，挡墙81位于最上层，故挡墙81的存在不会对其他显示结构造成影响，例如不会因为挡墙81的高度过大而导致上方的显示结构出现断裂等。
[0054](2)挡墙81至少位于一层过孔8周边的显示结构之下。
[0055]也就是说，挡墙81可被至少部分显示结构覆盖，如可直接位于基底9上，也可位于两层相邻的显示结构之间。例如，如图5所示，对于上述漏极14上的过孔8，挡墙81可位于钝化层4上，但在像素电极3之下。应当理解，虽然此时挡墙81不是位于最上层，但其也可使其上方的显示结构产生变形，从而最终在过孔8周边形成凸起。
[0056]这种挡墙81的位置比较灵活，可根据需要选择，便于实现。
[0057](3)挡墙81由多层子挡墙811组成。
[0058]也就是说，挡墙81本身也可是由多层不同的子挡墙811共同组成的。例如，如图6所示，对于上述漏极14上的过孔8，一个子挡墙811可位于栅绝缘层上，另一子挡墙811则位于像素电极3上，而二者共同构成挡墙81。当然，各层子挡墙811之间也可没有其他的显示结构，即各子挡墙811可直接接触。
[0059]如前所述，挡墙81具有较大的高度，若其仅由一层结构单独构成，则该层结构高度过大，工艺上难以实现。为此，可采用多层结构共同构成以上的挡墙81，从而降低每层子挡墙81的厚度。
[0060]优选的，以上挡墙81与至少一个显示结构同层设置。
[0061]在现有的液晶显示基板中并无挡墙81结构，因此，可增加单独的步骤用于制备该挡墙81。但优选的，为简化制备工艺，可在制备其他显示结构的同时形成挡墙81或挡墙81的一部分(子挡墙811)。也就是说，可在制备其他本不位于过孔8周边的显示结构的同时，也形成围绕过孔8的结构，作为挡墙81或挡墙81的一部分。例如，如图6所示的挡墙81，其中在下的子挡墙811即可与有源区11同层(也就是同时形成)。
[0062]优选的，挡墙81由导电材料构成。
[0063]通常而言，过孔8多是用于实现不同显示结构间的电连接的，因此过孔8中一般填充的都是导电材料。为此，优选可使用导电材料(如氧化铟锡，即Ι??)形成挡墙81，这样，即使挡墙81造成了过孔8中导电结构的断裂等，其本身也可起到导电作用。
[0064]本实施例还提供一种上述液晶显示基板的制备方法，其包括:
[0065]在基底9上形成包括挡墙81的图形；
[0066]在所有显不结构制备完成后，在完成如述步骤的基底9上涂布配向液，使配向液固化形成配向层5。
[0067]也就是说，在制备上述液晶显示基板时，先形成上述挡墙81 ;而在所有显示结构都制备完成后，再涂布配向液并形成配向层5，从而达到防止过孔8周边的配向层5厚度不均的效果。
[0068]当然，各显示结构的具体形式、位置、制备方法等都是多样且已知的，故在此不再详细描述。
[0069]同时，该挡墙81与显示结构的位置关系也是多样的，如前所述，其可位于全部显示结构上，从而可在其他显示结构制备完成后再制备挡墙81 ;或者，挡墙81也可位于一些显示结构间，由此可在形成一些显示结构后即制备挡墙81，之后再继续其他显示结构。因此，挡墙81与显示结构的制备顺序的关系也是多样的，在也此不再详细描述。
[0070]通常而言，以上的显示结构和挡墙81都可通过构图工艺形成。构图工艺是指能形成具有特定图形的结构的工艺，其包括光刻工艺、丝网印刷工艺等。其中，光刻工艺是构图工艺中最主要的一种，其可包括形成材料层(如通过涂布、蒸镀、溅射、化学气相沉积等)、涂布光刻胶、曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等步骤中的一步或多步。
[0071]优选的，以上在基底9上形成包括挡墙81的图形包括:
[0072]在基底9上同时形成包括至少一显示结构和挡墙81的图形；
[0073]或
[0074]在基底9上单独挡墙81的图形。
[0075]也就是说，如前所述，该挡墙81可在制备其他显示结构时同步形成，即通过一次构图工艺同时形成一些显示结构和挡墙81(或挡墙81的一部分)。或者，如前所述，该挡墙81也可通过新增的步骤单独制造。
[0076]可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种液晶显示基板，包括多个显示结构，以及位于所有显示结构上方的配向层，其中至少部分所述显示结构中设有过孔，其特征在于， 至少部分所述过孔被挡墙围绕，所述挡墙位于所述配向层之下。
2.根据权利要求1所述的液晶显示基板，其特征在于， 所述配向层是由配向液固化形成的，所述挡墙的高度大于等于用于形成所述配向层的配向液的厚度。
3.根据权利要求1所述的液晶显示基板，其特征在于， 所述配向层是由配向液固化形成的，所述挡墙的高度小于等于用于形成所述配向层的配向液的厚度，而大于等于配向层的厚度。
4.根据权利要求1所述的液晶显示基板，其特征在于， 所述挡墙的宽度在100nm?lOOOOOnm。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的液晶显示基板，其特征在于， 所述挡墙位于所述过孔周边最上层的显示结构上。
6.根据权利要求1至4中任意一项所述的液晶显示基板，其特征在于， 所述挡墙至少位于一层所述过孔周边的显示结构之下。
7.根据权利要求1至4中任意一项所述的液晶显示基板，其特征在于， 所述挡墙由多层子挡墙组成。
8.根据权利要求1至4中任意一项所述的液晶显示基板，其特征在于， 所述挡墙与至少一显示结构同层设置。
9.根据权利要求1至4中任意一项所述的液晶显示基板，其特征在于， 所述挡墙由导电材料构成。
10.根据权利要求1至4中任意一项所述的液晶显示基板，其特征在于，所述液晶显示基板为阵列基板；其中， 所述显示结构包括薄膜晶体管的漏极、覆盖所述漏极的钝化层、位于所述钝化层上的像素电极； 所述过孔包括钝化层中的过孔，所述像素电极通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极连接。
11.一种液晶显示基板的制备方法，所述液晶显示基板为权利要求1至10中任意一项所述的液晶显示基板，其特征在于，液晶显示基板的制备方法包括: 在基底上形成包括所述挡墙的图形； 在所有显示结构制备完成后，在完成前述步骤的基底上涂布配向液，使配向液固化形成配向层。
12.根据权利要求11所述的液晶显示基板的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成包括所述挡墙的图形包括: 在基底上同时形成包括至少一显示结构和所述挡墙的图形。
13.根据权利要求11所述的液晶显示基板的制备方法，其特征在于，所述在基底上形成包括所述挡墙的图形包括: 在基底上单独所述挡墙的图形。
【专利摘要】本发明提供一种液晶显示基板及其制备方法，属于液晶显示技术领域，其可解决现有的液晶显示基板中的过孔会引起配向层厚度不均匀，进而影响显示效果的问题。本发明的液晶显示基板，包括多个显示结构，以及位于所有显示结构上方的配向层，其中至少部分所述显示结构中设有过孔，且至少部分所述过孔被挡墙围绕，所述挡墙位于所述配向层之下。
【IPC分类】G02F1-1337, G02F1-1339
【公开号】CN104656315
【申请号】CN201510117047
【发明人】黄助兵, 敬辉, 王晓峰, 阮德发, 于德
【申请人】合肥鑫晟光电科技有限公司, 京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年5月27日
【申请日】2015年3月17日