一种阵列基板及其制造方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及其制造方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无福射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。
[0003]目前常见的液晶显示面板，其彩膜基板位于阵列基板远离背光模组的一侧。为了实现显示装置的窄边框甚至无边框设计，也可以将阵列基板放置在彩膜基板远离背光模组的一侧，这样可以大幅度窄化印刷电路板绑定区占用的边框面积。
[0004]然而，当阵列基板位于出光侧时，阵列基板上的栅线、数据线等金属线由于其材质特性存在反光现象，尤其当外界光线较强时，由金属线反射的光线进入人眼，会严重影响显示装置的显示效果。
【发明内容】
[0005]本发明实施例的目的是提供一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以改善阵列基板的反光现象，提升显示装置的显示效果。
[0006]本发明实施例提供了一种阵列基板，包括:
[0007]透明基板；
[0008]位于透明基板一侧的薄膜晶体管、栅线和数据线；
[0009]位于透明基板另一侧的遮光层，所述遮光层在所述透明基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影。
[0010]在本发明的技术方案中，当阵列基板位于背光模组的出光侧时，因为出光侧具有遮光层，并且遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影，所以，当外界有光线照射薄膜晶体管、栅线和数据线时，遮光层会吸收绝大部分的光线，这样反射到观看者的人眼的反射光线就大大被减弱，因而有效地改善了阵列基板的反光现象，提高了显示装置的显示效果。
[0011]优选的，所述遮光层在所述透明基板上的正投影与所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影图形相同。
[0012]较佳的，所述遮光层为氧化钼遮光层或者氧化钼铌遮光层。采用氧化钼或者氧化钼铌作为遮光层的材料，当阵列基板进入工艺腔室进行遮光层薄膜的沉积工序时，可以减少对设备的污染，进而提高产品的整体性能。
[0013]较佳的，所述阵列基板还包括:位于透明基板与遮光层之间的静电屏蔽层。在该技术方案中，当遮光层为氧化钼遮光层或者氧化钼铌遮光层时，静电屏蔽层可以消除透明基板与遮光层之间的静电，进而提高产品品质。
[0014]较佳的，所述遮光层为黑矩阵遮光层。
[0015]更优的，所述阵列基板还包括:位于遮光层远离所述透明基板一侧的保护层。在该技术方案中，在遮光层远离透明基板的一侧设置保护层，不仅可以保护遮光层，还可以使遮光层的表面较为光滑。
[0016]本发明实施例提供一种显示装置，包括背光模组和显示面板，所述显示面板包括彩膜基板、如上述任一技术方案所述的阵列基板以及位于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板位于所述彩膜基板远离所述背光模组的一侧。该显示装置可以实现窄边框甚至无边框设计，并且显示效果较好。
[0017]本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，包括:
[0018]在透明基板的一侧形成薄膜晶体管、栅线和数据线；
[0019]在透明基板的另一侧形成遮光层，所述遮光层在所述透明基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影。
[0020]采用该方法制造的阵列基板，当其位于背光模组的出光侧时，因为出光侧具有遮光层，并且遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影，所以，当外界有光线照射薄膜晶体管、栅线和数据线时，遮光层会吸收绝大部分的光线，这样反射到观看者的人眼的反射光线就大大被减弱，因而有效地改善了阵列基板的反光现象，提高了显示装置的显示效果。
[0021]优选的，所述遮光层在所述透明基板上的正投影与所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影图形相同。
[0022]较佳的，所述遮光层为氧化钼遮光层或者氧化钼铌遮光层。采用氧化钼或者氧化钼铌作为遮光层的材料，当阵列基板进入工艺腔室进行遮光层薄膜的沉积工序时，可以减少对设备的污染，进而提高产品的整体性能。
[0023]较佳的，所述方法还包括:
[0024]在透明基板与遮光层之间形成静电屏蔽层。在该技术方案中，当遮光层为氧化钼遮光层或者氧化钼铌遮光层时，静电屏蔽层可以消除透明基板与遮光层之间的静电，进而提尚广品品质。
[0025]较佳的，所述遮光层为黑矩阵遮光层。
[0026]具体的，所述在透明基板的另一侧形成遮光层，所述遮光层在所述透明基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影，具体包括:
[0027]在透明基板的另一侧沉积遮光层薄膜；
[0028]在薄膜晶体管、栅线和数据线一侧，采取自对位曝光方式对基板进行曝光；
[0029]对曝光处理后的遮光层薄膜进行显影，形成遮光层，所述遮光层在所述透明基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影。
[0030]优选的，所述方法还包括:
[0031]在遮光层的远离透明基板的一侧形成保护层。在该实施例中，在遮光层远离透明基板的一侧设置保护层，不仅可以保护遮光层，还可以使遮光层的表面较为光滑。
【附图说明】
[0032]图1为本发明实施例阵列基板的结构示意图；
[0033]图2为本发明一实施例遮光层在透明基板上的正投影示意图；
[0034]图3为本发明实施例阵列基板的制造方法流程图；
[0035]图4为本发明另一实施例阵列基板的制造方法流程图；
[0036]图5为本发明又一实施例阵列基板的制造方法流程图。
[0037]附图标记:
[0038]10-透明基板
[0039]11-栅极
[0040]12-栅极绝缘层
[0041]13-有源层
[0042]14-源极
[0043]15-漏极
[0044]16-保护层
[0045]100-薄膜晶体管在透明基板上的正投影所对应的遮光层区域
[0046]200-数据线在透明基板上的正投影所对应的遮光层区域
[0047]300-栅线在透明基板上的正投影所对应的遮光层区域
[0048]123-遮光层
【具体实施方式】
[0049]为了改善阵列基板的反光现象，提升显示装置的显示效果，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示装置。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本发明作进一步详细说明。
[0050]如图1所示，本发明实施例提供的阵列基板，包括:
[0051]透明基板10;
[0052]位于透明基板10—侧的薄膜晶体管、栅线和数据线；
[0053]位于透明基板10另一侧的遮光层123，遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影。
[0054]在本发明实施例中，当阵列基板位于背光模组的出光侧时，因为出光侧具有遮光层，并且遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影，所以，当外界有光线照射薄膜晶体管、栅线和数据线时，遮光层会吸收绝大部分的光线，这样反射到观看者的人眼的反射光线就大大被减弱，因而有效地改善了阵列基板的反光现象，提高了显示装置的显示效果。
[0055]具体的，薄膜晶体管包括:位于透明基板10出光侧的栅极11，位于栅极远离透明基板一侧的栅极绝缘层12;位于栅极绝缘层远离透明基板一侧的有源层13，位于有源层远离透明基板一侧的相间隔设置的源极14和漏极15。
[0056]较优的，遮光层在透明基板上的正投影与薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影图形相同。
[0057]需要说明的是，上述图形相同，指的是遮光层在透明基板上的正投影在形状、尺寸大小等方面与薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影完全重合。
[0058]请参考图2所示，图2为遮光层在透明基板上的正投影示意图，其中，100为薄膜晶体管在透明基板上的正投影所对应的遮光层区域，200为数据线在透明基板上的正投影所对应的遮光层区域，300为栅线在透明基板上的正投影所对应的遮光层区域。
[0059]其中，遮光层的具体材质不限，光反射率比较低的材质均可以用来形成遮光层，例如遮光层可以为氧化钼遮光层、氧化钼铌遮光层或者黑矩阵遮光层。
[0060]当遮光层为氧化钼遮光层或者氧化钼铌遮光层时，阵列基板还包括位于透明基板与遮光层之间的静电屏蔽层。静电屏蔽层可以消除透明基板与遮光层之间的静电，进而提高产品品质;此外，采用氧化钼或者氧化钼铌作为遮光层的材料，当阵列基板进入工艺腔室进行遮光层薄膜的沉积工序时，可以减少对设备的污染，进而提高产品的整体性能。
[0