061 ]在本发明的一个优选实施例中，请继续参考图1所示，阵列基板还包括:位于遮光层123远离透明基板10—侧的保护层16。在遮光层远离透明基板的一侧设置保护层，不仅可以保护遮光层，还可以使遮光层的表面较为光滑。
[0062]本发明实施例提供一种显示装置，包括背光模组和显示面板，显示面板包括彩膜基板、前述任一实施例的阵列基板以及位于彩膜基板和基板之间的液晶层，其中，阵列基板位于彩膜基板远离背光模组的一侧。
[0063]也就是说，彩膜基板位于背光模组与阵列基板之间，阵列基板位于出光侧，彩膜基板位于入光侧。
[0064]显示装置的具体类型不限，例如可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置可以实现窄边框甚至无边框设计，并且显示效果较好。
[0065]如图3所示，本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法，包括:
[0066]步骤101:在透明基板的一侧形成薄膜晶体管、栅线和数据线；
[0067]步骤102:在透明基板的另一侧形成遮光层，遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影。
[0068]采用该方法制造的阵列基板，当其位于背光模组的出光侧时，因为出光侧具有遮光层，并且遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影，所以，当外界有光线照射薄膜晶体管、栅线和数据线时，遮光层会吸收绝大部分的光线，这样反射到观看者的人眼的反射光线就大大被减弱，因而有效地改善了阵列基板的反光现象，提高了显示装置的显示效果。
[0069]优选的，遮光层在透明基板上的正投影与薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影图形相同。
[0070]在上述实施例中，遮光层的具体类型不限，例如可以为氧化钼遮光层、氧化钼铌遮光层或者黑矩阵遮光层。
[0071]当遮光层为氧化钼遮光层或者氧化钼铌遮光层时，阵列基板的制造方法还包括:在透明基板与遮光层之间形成静电屏蔽层。静电屏蔽层可以消除透明基板与遮光层之间的静电，进而提高产品品质;此外，采用氧化钼或者氧化钼铌作为遮光层的材料，当阵列基板进入工艺腔室进行遮光层薄膜的沉积工序时，可以减少对设备的污染，进而提高产品的整体性能。
[0072]在本发明方法实施例中，在透明基板的另一侧形成遮光层，遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影，具体包括:
[0073 ]在透明基板的另一侧沉积遮光层薄膜；
[0074]在薄膜晶体管、栅线和数据线一侧，采取自对位曝光方式对基板进行曝光；
[0075]对曝光处理后的遮光层薄膜进行显影，形成遮光层，遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影。
[0076]其中，采取自对曝光方式对基板进行曝光，具体为:采取自对位曝光机对基板进行曝光。
[0077]在本发明方法的一个优选实施例中，阵列基板的制造方法还包括:在遮光层的远离透明基板的一侧形成保护层。在该实施例中，在遮光层远离透明基板的一侧设置保护层，不仅可以保护遮光层，还可以使遮光层的表面较为光滑。
[0078]请结合图4和图5所示，以下仅举两个具体实施例列举阵列基板的制造方法，但读者应知，阵列基板的制造方法并不局限于此:
[0079]如图4所示，当遮光层为氧化钼遮光层或者氧化钼铌遮光层时，阵列基板的制造方法包括:
[0080]步骤201:在透明基板的一侧形成薄膜晶体管、栅线和数据线；
[0081]步骤202:在透明基板的另一侧形成静电屏蔽层；
[0082]步骤203:在静电屏蔽层远离透明基板一侧沉积遮光层薄膜；
[0083]步骤204:在遮光层薄膜一侧，采取自对位曝光方式对基板进行曝光；
[0084]步骤205:对曝光处理后的基板进行显影、刻蚀、光刻胶剥离等，形成遮光层，遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影；
[0085]步骤206;在遮光层的远离透明基板的一侧形成保护层。
[0086]如图5所示，当遮光层为黑矩阵遮光层时，阵列基板的制造方法包括:
[0087]步骤301:在透明基板的一侧形成薄膜晶体管、栅线和数据线；
[0088]步骤302:在透明基板的另一侧沉积遮光层薄膜；
[0089]步骤303:在薄膜晶体管、栅线和数据线一侧，采取自对位曝光方式对基板进行曝光；
[0090]步骤304:对曝光处理后的遮光层薄膜进行显影，形成遮光层，遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影；
[0091]步骤305:在遮光层的远离透明基板的一侧形成保护层。
[0092]采用上述各实施例方法制造的阵列基板，当其位于背光模组的出光侧时，因为出光侧具有遮光层，并且遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影，所以，当外界有光线照射薄膜晶体管、栅线和数据线时，遮光层会吸收绝大部分的光线，这样反射到观看者的人眼的反射光线就大大被减弱，因而有效地改善了阵列基板的反光现象，提高了显示装置的显示效果，同时也可以使显示装置实现窄边框甚至无边框设计。
[0093]显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
【主权项】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括: 透明基板； 位于透明基板一侧的薄膜晶体管、栅线和数据线； 位于透明基板另一侧的遮光层，所述遮光层在所述透明基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层在所述透明基板上的正投影与所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影图形相同。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层为氧化钼遮光层或者氧化钼铌遮光层。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括:位于透明基板与遮光层之间的静电屏蔽层。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述遮光层为黑矩阵遮光层。6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括:位于遮光层远离所述透明基板一侧的保护层。7.—种显示装置，其特征在于，包括背光模组和显示面板，所述显示面板包括彩膜基板、如权利要求1?6任一项所述的阵列基板以及位于所述彩膜基板和阵列基板之间的液晶层，其中，所述阵列基板位于所述彩膜基板远离所述背光模组的一侧。8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括: 在透明基板的一侧形成薄膜晶体管、栅线和数据线； 在透明基板的另一侧形成遮光层，所述遮光层在所述透明基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影。9.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述遮光层在所述透明基板上的正投影与所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影图形相同。10.如权利要求9所述的制造方法，其特征在于，所述遮光层为氧化钼遮光层或者氧化钼铌遮光层。11.如权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括: 在透明基板与遮光层之间形成静电屏蔽层。12.如权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述遮光层为黑矩阵遮光层。13.如权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述在透明基板的另一侧形成遮光层，所述遮光层在所述透明基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影，具体包括: 在透明基板的另一侧沉积遮光层薄膜； 在薄膜晶体管、栅线和数据线一侧，采取自对位曝光方式对基板进行曝光； 对曝光处理后的遮光层薄膜进行显影，形成遮光层，所述遮光层在所述透明基板上的正投影覆盖所述薄膜晶体管、栅线和数据线在所述透明基板上的正投影。14.如权利要求8?13任一项所述的制造方法，其特征在于，所述方法还包括: 在遮光层的远离透明基板的一侧形成保护层。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，以改善阵列基板的反光现象，提升显示装置的显示效果。阵列基板包括：透明基板；位于透明基板一侧的薄膜晶体管、栅线和数据线；位于透明基板另一侧的遮光层，遮光层在透明基板上的正投影覆盖薄膜晶体管、栅线和数据线在透明基板上的正投影。本发明技术方案提供的阵列基板，当其位于背光模组的出光侧时，外界有光线照射薄膜晶体管、栅线和数据线时，遮光层会吸收绝大部分的光线，这样反射到观看者的人眼的反射光线就大大被减弱，因而有效地改善了阵列基板的反光现象，提高了显示装置的显示效果。
【IPC分类】G02F1/1362, G02F1/1333
【公开号】CN105572998
【申请号】CN201610125905
【发明人】王守坤, 李梁梁, 冯玉春, 郭会斌
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方显示技术有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2016年3月4日