制备含硅膜的方法与流程

技术总结
本发明提供了制备含硅膜的方法。本文描述了形成介电膜的方法，该膜包含硅、氧及任选的氮、碳、氢和硼。本文还公开了在待加工的物体，如半导体晶片，上形成介电膜或涂层的方法。

技术研发人员：杨柳;萧满超;韩冰;K·S·卡瑟尔;M·L·奥尼尔
受保护的技术使用者：弗萨姆材料美国有限责任公司
文档号码：201310291966
技术研发日：2011.02.09
技术公布日：2017.07.07