1.一种钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
S1.将分析纯及以上的PbI2与碘甲胺或碘乙胺按摩尔比1:0.8~1.2的配比混合研磨,得到钙钛矿材料;
S2.将步骤S1得到的钙钛矿材料压制成钙钛矿靶材;
S3.将步骤S2得到的钙钛矿靶材放入真空磁控溅射台进行磁控溅射,薄膜厚度达到50~1500nm后放气,得到钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,在PbI2与碘甲胺或碘乙胺研磨前加入异丙醇或DMF或无水甲醇作为研磨介质,研磨后进行烘干,得到钙钛矿材料。
3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S1中,分析纯及以上的PbI2与碘甲胺或碘乙胺按摩尔比1:1配比。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,钙钛矿材料压制后进行真空密封得到钙钛矿靶材。
5.根据权利要求1~2任一项所述的钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,将步骤S1得到的钙钛矿材料放入模具中在5~150MPa压力下压制成钙钛矿靶材。
6.根据权利要求5所述的钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S2中,将步骤S1得到的钙钛矿材料放入模具中在10~100MPa压力下压制成钙钛矿靶材。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S3中,进行磁控溅射前将真空磁控溅射台抽真空至10-4~10-6Pa充入氩气至0.5~0.8Pa。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S3中,进行磁控溅射前将真空磁控溅射台抽真空至10-5Pa充入氩气至0.5~0.8Pa。
9.根据权利要求1或2或4或7或8所述的钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S3中,磁控溅射薄膜达到100~1000nm后放气取出。