个以上的情况下也同样。
[0197]更具体来说，如图18的(A)、图18的(B)、图18的(C)所示，在两个靶41在与搬送方向正交的方向、也就是半径方向上排列的情况下，两个靶41的电力变化的时点相同。但是，使对远离轴的靶41施加的电力升高。
[0198]而且，如图19的(A)、图19的(B)、图19的(C)所示，在两个靶41在与搬送方向倾斜地交叉的方向上排列的情况下，使对更先接近工件W的靶41施加的电力变化的时点更早。而且，使对远离轴的靶41施加的电力升高。
[0199]而且，如图20的(A)、图20的(B)、图20的(C)所示，在两个靶41在与搬送方向相同的方向或搬送方向的切线方向上排列的情况下，使对更先接近工件W的靶41施加的电力变化的时点更早。但是，因为两个靶41相对于轴的距离大致相同，所以施加的电力设为同等。
[0200](2)成膜装置也可以具有检测距离的传感器，且电源控制部91连接于传感器，根据由传感器检测出的从传感器到工件W的表面的距离，使第一电源部5施加的电力变化。
[0201]例如，将对到检测对象的距离进行检测的传感器连接于控制装置9。该传感器配置在能够检测从传感器到工件W的表面的距离的位置。例如，作为传感器，可使用激光传感器(laser sensor)。而且，例如，可将传感器设置在溅射源4之间的真空室21的顶板等。所谓“从传感器”是指“从指定的基准位置”，根据传感器的距离的运算方法而不同。例如，能够将传感器下表面设为指定的基准位置，但并不限定于此。
[0202]图21的(A)、图21的⑶、图21的(C)、图22的(A)、图22的⑶、图22的(C)表示利用传感器K进行的到工件W表面的距离的测量。图21的(A)、图21的(B)、图22的(A)、图22的⑶是表示测量工件W的缘部的状态的透视侧视图，图21的(C)、图22的(C)是表示测量中央部的状态的透视侧视图。基板的旋转角与电力的图表(graph)的关系与图5的(A)、图5的(B)、图5的(C)、图6相同。图21的(A)、图21的(B)、图21的(C)是将工件W配置成凹状的例子，所以到缘部的距离变短，到中央部的距离变长。图22的(A)、图22的(B)、图22的(C)是将工件W配置成凸状的例子，所以到缘部的距离长，到中央部的距离短。也就是说，也可以将传感器K设置在对到工件W表面的距离成为最大的部位、与到工件W表面的距离成为最小的部位进行检测的位置。
[0203]因为传感器K与靶41的高低差固定，所以传感器K与工件W的距离和靶41与工件W的距离成比例。因此，根据利用传感器K所得的距离的检测值改变电力，由此可获得与所述实施方式相同的作用效果。在图21的(A)、图21的⑶、图21的(C)、图22的(A)、图22的(B)、图22的(C)中，例示改变电力的形态。工件W与传感器K的距离越短，则电力越小，距离越长，则电力越大，但对照工件W的曲面，电力的上升与下降成为平缓的曲线(curve)。
[0204]在该实施方式中，基于距离的实际测量值改变电力，所以能够进行更准确地反映工件W的形状的精密的膜厚控制。进而，在将所搬入的工件W全部保持在保持部33的状态下，使旋转台31旋转一圈并利用传感器K检测距离。而且，例如，控制装置9的设定部93设定与距离成比例的电力的变化形态并存储在存储部92中。如果电源控制部91按照该变化形态控制第一电源部5，那么可节省操作员的工夫，且能够实施最佳的电力的变化形态的成膜。
[0205](3)搬送部3所具有的搬送单元并不限定于旋转台31。搬送部3也可以包括具有保持部的旋转筒。例如，如图23所示，可由角柱形状的旋转筒34构成搬送部3。该旋转筒34是在侧面设置保持工件W的保持部35，且利用驱动源以轴为中心旋转。在收容旋转筒34的腔室26内，在与工件W的搬送路径对向的位置设置着与上文所述相同的溅射源4、逆溅射源6等。
[0206]在该实施方式中，可将通过旋转筒34的旋转来搬送工件W的搬送方向与工件W的配置方向设为平行。例如，在与所述实施方式同样地设为长方形状的工件W的情况下，工件W的长边与搬送方向平行。因此，与旋转台31相比，可减少与搬送方向正交的方向上的膜厚的不均。此外，旋转筒34并不限定于角形筒状，也可以为圆形筒状。
[0207](4)由搬送部3同时搬送的工件W的数量、保持部33、保持部35的数量只要至少为一个即可，并不限定于所述实施方式中所例示的数量。也就是说，既可以为一个工件W循环而重复成膜的实施方式，也可以为两个以上的工件W循环而重复成膜的实施方式。因此，例如，也可以为如下实施方式:搬送部3具有一个将工件W相对于搬送路径P的搬送方向的角度保持为固定的保持部33、保持部35。溅射源4、逆溅射源6的数量既可以为单数，也可以为多个，并不限定于所述实施方式中所例示的数量。而且，一个溅射源4所具备的靶41的个数也是既可以为单数，也可以为多个。而且，也可以为如下构成:使多个靶41的材料不同，在成膜对象物形成复合膜、或者不同材料的多层膜。
[0208](5)成为成膜对象的工件W的形状也并不限定于所述实施方式中所示的形状。也可以成为成膜对象的面形成为凹状或凸状，而保持在保持部33、保持部35 —侧的面为平坦面。例如，也适合制造成为成膜对象的面呈研钵状或盘状凹陷的凹面镜。而且，也可以为成为成膜对象的面重复凹凸的工件W。在该情况下，如果可知因凹凸所引起的与靶41的距离的变化形态，那么只要对照该变化形态使施加电力变化即可。而且，如上所述，如果利用传感器K测定距离，那么可准确地施加对照凹凸的电力。
[0209]也能够利用与搬送路径P对应地具有多个靶41的情况，针对每个成膜区域F改变靶41与工件W的位置关系，从而提高宽度方向的膜厚分布。例如，考虑改变各靶41的高度、角度等位置，或改变被各保持部33、保持部35保持的工件W的高度、角度等位置等。
【主权项】
1.一种成膜装置，使溅射气体等离子体化，且使成膜材料堆积在工件上，其特征在于包括: 腔室，被导入溅射气体； 搬送部，设置在所述腔室内，循环搬送工件； 溅射源，由堆积在所述工件而成为膜的所述成膜材料形成，且具有靶，所述靶设置在与利用所述搬送部使所述工件移动的路径对向的位置； 电源部，对所述靶施加电力；以及 电源控制部，在所述工件通过作为供所述成膜材料堆积的区域的成膜区域期间，根据所述工件相对于所述靶的间隔、方向或从平面方向观察到的重叠面积的变化，使所述电源部对所述靶施加的电力变化。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于: 所述电源控制部根据所述工件中的成为成膜对象的面与所述靶的垂直方向的距离，使所述电源部对所述靶施加的电力变化。3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于: 所述电源控制部是所述距离越短则使施加的电力越小，所述距离越长则使施加的电力越大。4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置，其特征在于: 所述电源控制部使所述电源部施加的电力以指定的振幅及周期变化。5.根据权利要求4所述的成膜装置，其特征在于: 所述电源控制部在所述工件的循环搬送的一圈中，按照所规定的变化模式，使所述电源部对所述靶施加的电力变化。6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于: 所述搬送部具有将所述工件相对于所述工件的搬送方向的角度保持为固定的多个保持部，且所述保持部以等间隔配设。7.根据权利要求6所述的成膜装置，其特征在于: 所述保持部将所述工件保持在通过所述成膜区域的工件通过与所述靶的距离成为最大的部位、及与所述靶的距离成为最小的部位的位置。8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于: 所述搬送部具有设置着所述保持部的旋转台。9.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于: 所述搬送部具有设置着所述保持部的旋转筒。10.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于: 所述溅射源具有多个所述靶， 所述电源部针对每个靶改变使施加的电力变化的时点。11.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于: 具有检测距离的传感器， 所述电源控制部连接于所述传感器，根据由所述传感器检测出的到所述工件的表面的距离，使所述电源部施加的电力变化。12.根据权利要求11所述的成膜装置，其特征在于: 所述传感器设置在对到所述工件的表面的距离成为最大的部位、与到所述工件的表面的距离成为最小的部位进行检测的位置。13.一种成膜基板制造方法，其特征在于: 在被导入有溅射气体的腔室内，利用搬送部循环搬送基板， 电源部对与被循环搬送的所述基板的移动路径对向地配置的靶施加电力，由此，使腔室内的溅射气体等离子体化，且使成膜材料堆积在基板上， 通过所述搬送部使所述基板移动，根据随着所述基板的移动而产生的基板与靶的位置的变化，改变所述电源部对靶施加的电力。14.根据权利要求13所述的成膜基板制造方法，其特征在于: 所述电源部根据所述基板中的成为成膜对象的面与所述靶的距离，使对所述溅射源施加的电力变化。15.根据权利要求14所述的成膜基板制造方法，其特征在于: 所述距离越短则使施加的电力越小，所述距离越长则使施加的电力越大。
【专利摘要】本发明提供一种成膜装置及成膜基板制造方法。本发明的成膜装置包括：腔室，被导入溅射气体；搬送部，设置在腔室内，且具有循环搬送工件的搬送路径；靶，由堆积在工件上而成为膜的成膜材料形成，且设置在与搬送路径隔开并对向的位置；第一电源部，通过对靶施加电力，而使溅射气体等离子体化，且使成膜材料堆积在工件上；以及电源控制部，在工件利用搬送部而通过供成膜材料堆积的区域即成膜区域期间，根据工件相对于靶的位置的变化，使第一电源部对靶施加的电力变化。本发明具有小型且省空间的优点，且无论工件的形状如何，均能够高速且高效率地以均匀的厚度成膜。
【IPC分类】C23C14/54, C23C14/34
【公开号】CN105463386
【申请号】CN201510622724
【发明人】川又由雄
【申请人】芝浦机械电子装置株式会社
【公开日】2016年4月6日
【申请日】2015年9月25日